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公开(公告)号：CN104505338A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410814598.8
申请日：2014-12-24
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02096
摘要： 本发明涉及碳化硅晶片清洗技术领域，特别是一种碳化硅晶片外延前预清洗方法。本发明提供的碳化硅外延预清洗包括：将选择的碳化硅衬底浸入到的H2SO4和H2O2配成的溶液中煮沸后用去离子水冲洗；再次将衬底浸入到的NaOH和Na2O2熔融混合溶液中煮沸，去离子水冲洗后烘干，备用。基于本发明提供的碳化硅衬底经过外延后基面位错密度降低到100/cm2以下，并且方法简单，工艺重复性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN105369217A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510665217.9
申请日：2015-10-15
CPC分类号： C23C16/325 , C23C16/44 , C23C28/048
摘要： 本发明涉及一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，该方法包括：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，设置Al源流量，向反应室通入C3H8和SiH4，通过渐变调节通入反应室中Al源的流量生长P型缓变掺杂碳化硅薄膜外延层。本发明的方法利用碳化硅的CVD设备，制备出纵向掺杂浓度梯度可控的碳化硅外延层，满足了制备梯度低掺杂外延层的要求。
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公开(公告)号：CN104465721B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201410737773.8
申请日：2014-12-05
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/205
摘要： 本发明提供了一种碳化硅外延材料。所述碳化硅外延材料包括：N+碳化硅单晶衬底层，位于衬底下面的P+支撑层和位于衬底表面的N‑漂移层，其制备方法包括以下步骤：1、N+型衬底的准备；2、对N+型衬底的背面化学机械抛光；3、在背面进行P+支撑层的生长；4、N+型衬底正面的减薄；5、正面化学机械抛光；6、在正面进行N‑型漂移层的生长。相对于传统碳化硅外延材料而言，采用本发明提供的外延材料P+支撑层电阻率低并且均匀性高，满足高压器件的需求。同时，该外延材料缺陷少，制作方法简单，工艺重复性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN104465721A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410737773.8
申请日：2014-12-05
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/205
摘要： 本发明提供了一种碳化硅外延材料。所述碳化硅外延材料包括：N+碳化硅单晶衬底层，位于衬底下面的P+支撑层和位于衬底表面的N-漂移层，其制备方法包括以下步骤：1、N+型衬底的准备；2、对N+型衬底的背面化学机械抛光；3、在背面进行P+支撑层的生长；4、N+型衬底正面的减薄；5、正面化学机械抛光；6、在正面进行N-型漂移层的生长。相对于传统碳化硅外延材料而言，采用本发明提供的外延材料P+支撑层电阻率低并且均匀性高，满足高压器件的需求。同时，该外延材料缺陷少，制作方法简单，工艺重复性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN104505338B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201410814598.8
申请日：2014-12-24
摘要： 本发明涉及碳化硅晶片清洗技术领域，特别是一种碳化硅晶片外延前预清洗方法。本发明提供的碳化硅外延预清洗包括：将选择的碳化硅衬底浸入到的H2SO4和H2O2配成的溶液中煮沸后用去离子水冲洗；再次将衬底浸入到的NaOH和Na2O2熔融混合溶液中煮沸，去离子水冲洗后烘干，备用。基于本发明提供的碳化硅衬底经过外延后基面位错密度降低到100/cm2以下，并且方法简单，工艺重复性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN105220224A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510666085.1
申请日：2015-10-15
摘要： 本发明涉及一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，该方法包括：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，设置Al源流量，向反应室通入C3H8和SiH4，通过渐变调节通入反应室中C3H8和SiH4的流量生长P型缓变掺杂碳化硅薄膜外延层。本发明的方法利用碳化硅的CVD设备，制备出纵向掺杂浓度梯度可控的碳化硅外延层，满足了制备梯度低掺杂外延层的要求。
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公开(公告)号：CN114878646B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210493599.1
申请日：2022-05-07
申请人： 西安交通大学 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明公开了一种环氧材料的介电松弛分析方法，在DSC实验基础上对高温介电谱实验数据进行拟合计算，用松弛过程δ、松弛过程α和电导损耗拟合出复介电常数，得到表征偶极极化松弛强度的参数Δεα，进而拟合出与极性材料的偶极向量有关的物理量A；电介质介电损耗峰的频率与温度存在联系，通过用Arrhenius公式或Vogel‑Fulcher‑Tammann(VFT)公式对损耗峰频率与温度关系的拟合计算，可得到Tg、分子活化能等用以表征分子链松弛特性的理化参数。
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公开(公告)号：CN116751397A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310525022.9
申请日：2023-05-11
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 北京智慧能源研究院 , 国网上海市电力公司 , 天津大学 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及一种增强绝缘特性的聚丙烯薄膜、方法、应用及薄膜电容器，该增强绝缘特性的聚丙烯薄膜制备方法是：制备光催化接枝反应溶液；将光催化接枝反应溶液充分浸润聚丙烯薄膜，构成玻璃板/聚丙烯薄膜/玻璃板的三层组合；将玻璃板/聚丙烯薄膜/玻璃板的三层组合进行光催化接枝处理；将光催化接枝处理后的聚丙烯薄膜取出，进行冲洗并干燥后得到增强绝缘特性的聚丙烯薄膜。本发明通过对聚丙烯薄膜表面接枝强极性官能团，引入了深陷阱，有效抑制了来自于电极的界面电荷注入，从而降低了介电损耗，并提升薄膜的绝缘性能，性能提升效果明显、操作简易且价格成本低廉，并且能够大规模生产制备，可广泛用于薄膜电容器。
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公开(公告)号：CN116144116A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210775244.1
申请日：2022-07-01
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国网上海市电力公司
摘要： 本发明公开一种高压电缆附件用复合绝缘材料，原料包括三元乙丙橡胶、补强填料和季铵盐，本发明限定了三元乙丙橡胶、补强填料和季铵盐的质量份数之间的关系，且所述复合绝缘材料原料中不包括氧化锌。本发明还公开了上述复合绝缘材料的制备方法。本发明中，特定配比季铵盐能够对填料进行有机改性，提高填料与橡胶基体的相容性，同时季铵盐还具有调节橡胶硫化、提高增强效果的作用，可替代氧化锌应用于橡胶配方开发；特定配比的三元乙丙橡胶、补强填料和季铵盐可以得到性能更好的复合绝缘材料，满足电缆附件使用要求，且由于不含有氧化锌，避免了对环境的污染。本发明中，制备方法采用通用制备方法，不会因为材料的变动影响设备，便于大规模生产。
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公开(公告)号：CN114878646A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210493599.1
申请日：2022-05-07
申请人： 西安交通大学 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明公开了一种环氧材料的介电松弛分析方法，在DSC实验基础上对高温介电谱实验数据进行拟合计算，用松弛过程δ、松弛过程α和电导损耗拟合出复介电常数，得到表征偶极极化松弛强度的参数Δεα，进而拟合出与极性材料的偶极向量有关的物理量A；电介质介电损耗峰的频率与温度存在联系，通过用Arrhenius公式或Vogel‑Fulcher‑Tammann(VFT)公式对损耗峰频率与温度关系的拟合计算，可得到Tg、分子活化能等用以表征分子链松弛特性的理化参数。
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