一种基于谐波等效电路的两级式DC/DC变换器建模方法

    公开(公告)号:CN111027269B

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN201911364642.9

    申请日:2019-12-26

    IPC分类号: G06F30/367 G06F30/36

    摘要: 本发明公开了一种基于谐波等效电路的两级式DC/DC变换器建模方法,本发明首先建立前级与后级的子模块的周期时变状态空间模型并推导出谐波状态空间模型,再根据谐波状态空间模型绘制出各子模块的谐波等效电路,然后将后级拓扑的谐波等效电路的电源侧开路作为前级拓扑谐波等效电路的等效负载,共同构成统一两级式DC/DC变换器谐波等效电路,列写稳态谐波状态空间方程进行求解,最后验证模型各谐波次数的建模准确度和由等效电路推导出的谐波状态空间方程正确性。电路中的模型元件均为谐波阻抗形式,便于求解各元件上的谐波电压与谐波电流值。本发明对直流配电网多层级间的谐波建模,以及进一步进行稳定性分析有着重要的作用。

    一种SiC MOSFET快速短路保护电路

    公开(公告)号:CN111130518B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN201911224115.8

    申请日:2019-12-03

    IPC分类号: H03K17/0812 H03K17/687

    摘要: 本发明公开了一种SiC MOSFET快速短路保护电路,包括依次串联的驱动电路、电压采样电路和脉冲产生电路。本发明实施的SiC MOSFET短路保护电路通过电压采样电路等效检测SiC MOSFET运行过程中漏极电流,由脉冲产生电路产生脉冲信号,控制第一三极管和第二三极管,当SiC MOSFET无短路故障时,驱动电路正常运行,当SiC MOSFET发生短路故障时,保护电路强制关断第一三极管,导通第二三极管,以关断SiC MOSFET,保护其安全运行。

    一种构网型三相变流器及其阻抗和导纳模型建模方法

    公开(公告)号:CN116191576A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310340499.X

    申请日:2023-03-31

    IPC分类号: H02J3/48 H02J3/50

    摘要: 本发明公开了一种构网型三相变流器及其阻抗和导纳模型建模方法,采用分步构建dq模型的计算方法,模块化分析,逐层累加,整合计算,形成了一种构网型三相变流器dq阻抗、导纳模型,方法包括:构建变流器主电路小信号dq模型;构建变流器控制环节小信号dq阻抗模型,依次建立电压电流变量坐标变换dq模型、有功功率无功功率dq模型、采样低通滤波dq模型、功率控制环相位角dq模型和电压参考信号dq模型、电压控制外环dq模型、电流控制内环dq模型以及PWM控制延时dq模型;简化计算形成构网型三相变流器dq阻抗模型和导纳模型表达式。本发明计算的构网型三相变流器阻抗和导纳模型,可以拓展至多个变流器并联的阻抗导纳模型,为分析变流器离网、并网状态下系统的稳定性提供模型基础。

    基于滑模控制的LCL型并网三相逆变器控制方法和系统

    公开(公告)号:CN109888822B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN201910150817.X

    申请日:2019-02-28

    IPC分类号: H02J3/38

    摘要: 本发明公开一种基于滑模控制的LCL型并网三相逆变器控制方法和系统,方法包括:采样直流侧经LCL滤波器后的注入电网电流以及LCL滤波器的电容电压;将注入电网电流与预设的参考电流做差得到注入电网的电流误差;将所述电流误差输入PR控制器得到电容参考电压;构建以注入电网电流和LCL滤波器的电容电压为状态变量的滑模面切换函数;基于系统状态方程、滑模面切换函数及其导数,确定滑模控制律;以及基于滑模控制律与预设的载波,得到控制三相逆变器中半导体开关的开关控制信号。本发明考虑了电容电压测量对系统的主动阻尼作用,电容参考电压由PR控制器产生保证了电网电流的零稳态误差,在稳态、瞬态、电网不平衡状态下均有较高性能且具有鲁棒性。

    一种LLC和DAB混合的双向DC-DC变流器

    公开(公告)号:CN111064370B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201911362342.7

    申请日:2019-12-26

    IPC分类号: H02M3/335 H02M7/48

    摘要: 本发明公开了一种LLC和DAB混合的双向DC‑DC变流器,包括1个H桥电路、2个LLC谐振腔、2个同变比的隔离变压器和三相半桥全控电路;其中,H桥电路和2个串联连接分裂谐振电容的两端连接输入端电源两端,隔离变压器的原边同名端连接谐振腔谐振电感一端,谐振电感另一端连接H桥电路半桥的中性点,隔离变压器副边的同名端连接三相半桥全控电路桥臂的中性点;2个隔离变压器副边的非同名端均连接三相半桥全控电路中桥臂的中性点。本发明利用LLC变频调压和DAB移相调压的优势,结合PWM脉冲180º移相实现LLC和DAB快速切换,实现不同负载率或电压增益下效率的优化控制,具有开关损耗小,效率高,结构简单的优点。

    电流纹波法下基于SVPWM调制策略的三电平设计方法

    公开(公告)号:CN111510006B

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202010442393.7

    申请日:2020-05-22

    摘要: 本发明公开一种电流纹波法下基于SVPWM调制策略的三电平设计方法,包括步骤:采用电流纹波法求出基于不同SVPWM调制策略下,三电平系统的关于调制比和电压相角的电流纹波方程;依据电流纹波方程,根据工作指标选择SVPWM调制策略;依据电流纹波方程周期内最大值,设计出三电平系统的滤波电感参数;依据电流纹波方程,设计开关器件的电流参数。本发明计算出已确定工作情况的三电平系统下的电流纹波,以此来指导调制策略的选择,指导滤波电感以及开关器件的选择,能够在满足设计指标的情况下降低系统的整体体积、工作损耗和制作成本。

    一种SiC MOSFET串联电路
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108092493B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201711429211.7

    申请日:2017-12-26

    IPC分类号: H02M1/092

    摘要: 本发明公开了一种SiC MOSFET串联电路,该电路通过使用碳化硅器件直接串联,可以实现至少6kV的高耐压和开关频率几十kHz的功率器件,不仅提高了器件的运行效率和频率,而且有效的控制了成本;还实现了完整的器件保护和启动过程控制,非常适合于高压、高温、高功率密度电力电子变换器领域。

    基于谐波稳态值的两级式DC-DC变换器小信号谐波等效电路建模方法

    公开(公告)号:CN111709202A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010493005.8

    申请日:2020-06-03

    IPC分类号: G06F30/3308

    摘要: 本发明公开了一种基于谐波稳态值的两级式DC-DC变换器小信号谐波等效电路建模方法,包括根据DC/DC变换器前后级的电压要求确定占空比,形成稳态情况下的谐波状态空间模型;由所述谐波状态空间模型得到各状态变量谐波稳态值;向所述谐波状态空间模型中的各输入变量中加入小扰动,形成谐波小信号模型;基于所述谐波小信号模型与各状态变量的谐波稳态值,生成多个含有受控源的谐波等效电路;基于各含有受控源的谐波等效电路的等效受控源关系,形成两级式DC/DC变换器小信号谐波等效电路。本发明首先根据DC-DC变换器谐波模型,提出等效电路构建方法,最后得到DC-DC变换器的谐波等效电路,实现数学原理与电路特性的有机结合。

    一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路

    公开(公告)号:CN111614236A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010541881.3

    申请日:2020-06-15

    发明人: 李珅 张宇 李先允

    IPC分类号: H02M1/08 H02M1/088 H02M1/32

    摘要: 本发明公开了一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路,包括驱动回路、负压产生模块和串扰抑制模块;其中,驱动回路包括驱动电阻,负压产生模块由电容与齐纳二极管并联后再与电源模块串联构成,串扰抑制模块包括反并联的三极管和二极管,后与抑制电容相连,三极管基极与发射极和驱动电阻并联;各SiC MOSFET的栅极与源极之间设有驱动回路,负压产生模块与驱动回路串联,串扰抑制模块与驱动回路并联。本发明电路均由无源器件构成,结构简单;无需额外增加驱动负压电源,且驱动负压可由齐纳二极管调节,可满足各种驱动需求;有效解决串联扰动发生时的电压尖峰问题,保证器件安全。