一种分析IGBT损耗和结温的方法及系统

    公开(公告)号:CN117851770A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311681297.8

    申请日:2023-12-08

    摘要: 本发明公开了一种分析IGBT损耗和结温的方法及系统,涉及功率半导体器件技术领域,包括在包括IGBT和二极管的器件中,采集IGBT特征数据和二极管特征数据构建数据手册,从数据手册中提取IGBT和二极管的特性曲线参数并进行拟合;基于特性曲线参数拟合结果,计算器件的总损耗;对器件的热网络进行等效,构建IGBT和二极管等效热网络模型,并根据热网络模型分析器件最高结温。本发明所述方法通过提取IGBT和二极管的特性曲线参数,提高了器件损耗结温估计的精准度;通过基于特性曲线参数,计算器件的导通损耗和开断损耗,提高了系统整体效率和器件损耗结温估计的可靠性;通过构建IGBT和二极管等效热网络模型,有助于提高器件的稳定性和可靠性。

    一种插拔式端子及功率模块
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117728210A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311634890.7

    申请日:2023-12-01

    IPC分类号: H01R13/02 H01R13/40

    摘要: 本发明公开了一种插拔式端子,从上至下依次包括与电路板配合的引导段和插入段以及脚部焊接段,所述插入段设有梭形环,梭形环内壁设有用于增加其结构强度的加强肋;所述脚部焊接段底部为平面,整个脚部焊接段的重心在插拔式端子中轴线上。本发明还公开了一种功率模块。本发明在梭形环内侧增加两处加强肋,并经过局部冲压硬化处理,对抗插拔过程中的塑性变形,提高插入段插拔次数,提高端子的可靠性;其脚部采用对称弯曲设计,保证端子重心在端子竖直投影中心位置,稳定性好,避免端子在焊接过程中出现倾倒的不良现象。