一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法

    公开(公告)号:CN116626464A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310578346.9

    申请日:2023-05-22

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法,所述电路包括峰值检测电路、模数转换电路和控制运算单元;峰值检测电路包括第一峰值检测电路和第二峰值检测电路;第一峰值检测电路获取器件外部KS端子和S端子之间的电压VKS‑S,第二峰值检测电路获取器件电路中杂散电感上的电压VCIR;模数转换电路用于对峰值检测电路获取的电压值进行转换,并传给控制运算单元;控制运算单元发出指令,并对模数转换电路获取的数据进行计算,将VKS‑S和VCIR的比值作为SiC MOSFET器件键合线疲劳老化的特征量指标。具有构思巧妙,设计合理,结构简单等特点,能够在器件开通瞬态过程中提取出老化特征量并进行键合线老化监测。