-
公开(公告)号：CN109682493A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910153500.1
申请日：2019-02-28
申请人： 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国网陕西省电力公司 , 北京中讯四方科技股份有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01K11/26
CPC分类号： G01K11/265
摘要： 本发明公开了一种双芯片声表面波无源无线测温传感器及其测温方法，包括：两个并联的谐振型声表面波传感器芯片；其中一个谐振型声表面波传感器芯片为正温度系数，另外一个谐振型声表面波传感器芯片为负温度系数。本发明中，通过两个芯片谐振频率差值与温度呈线性关系从而演算出温度值，能够避免因环境条件变化引起起始的频率变化导致的起始温度变化，可提高温度测量精度。
-
公开(公告)号：CN209746589U
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201920328888.X
申请日：2019-03-14
申请人： 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 北京中讯四方科技股份有限公司
IPC分类号： G06K19/077 , G01K11/26 , G01K1/02
摘要： 本实用新型公开了一种温度传感器，包括天线、整流器、射频标签以及至少两个具有温度测量功能的声表面波滤波器；天线与整流器和射频标签连接，而该至少两个声表面波滤波器的一端分别与射频标签连接，用于向射频标签提供射频信号以及实现射频标签与天线间的阻抗匹配，该至少两个声表面波滤波器的另一端并联后与整流器连接，其中，天线接收的射频信号经过整流器的整流和滤波处理，降低了干扰信号，声表面波滤波器也具有滤波作用，而阻抗匹配进一步保证了射频标签接收的射频信号的质量，所以本实用新型的温度传感器的抗干扰特性得到了提升，另一方面阻抗匹配也使得射频标签的灵敏度得到了提升，由此增加了射频标签的识别距离。
-
公开(公告)号：CN110601672A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910716397.7
申请日：2019-08-05
申请人： 北京中讯四方科技股份有限公司 , 深圳华远微电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高温度稳定性的声表波滤波器及其制备方法和应用。所述声表波滤波包括压电基底，至少具有一平面；叉指换能器电极，所述叉指换能器电极是固定设置在所述压电基底的所述平面上；绝缘保护层，所述绝缘保护层具有相对的两个表面，其中一表面层叠结合在所述压电基底的所述平面上，并覆盖所述叉指换能器电极；另一表面上形成有若干间隔分布的凸起。所述声表波滤波器具有低的频率温度系数和低的瑞利波寄生响应现象，而且具有工作性能稳定性和使用寿命长等优点。另外，所述制备方法工艺条件可控，能够有效保证制备的高温度稳定性的声表波滤波器性能稳定，良品率高，成本低。
-
公开(公告)号：CN109951171B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201910231620.9
申请日：2019-03-26
申请人： 浙江华远微电科技有限公司 , 北京中讯四方科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器制备方法。所述薄膜体声波谐振器制备方法包括步骤有：在衬底的一表面上进行刻蚀处理，形成凹槽；向所述凹槽内形成牺牲层、在所述牺牲层的表面和所述衬底的所述表面上形成支撑层；沿所述衬底向支撑层的延伸方向，在所述支撑层的表面上依次形成第一底电极层、温飘层、第二底电极层、压电层和顶电极层；释放所述牺牲层处理，形成封闭的空腔。所述滤波器制备方法包括按照所述薄膜体声波谐振器的制备方法进行制备薄膜体声波谐振器的步骤。所述薄膜体声波谐振器的制备方法赋予制备的所述薄膜体声波谐振器损耗和温飘低、温度系数小、功率承受力和工作频率以及机电耦合系数高、兼容性好，具有很好的Q值。
-
公开(公告)号：CN109951171A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910231620.9
申请日：2019-03-26
申请人： 深圳华远微电科技有限公司 , 北京中讯四方科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器制备方法。所述薄膜体声波谐振器制备方法包括步骤有：在衬底的一表面上进行刻蚀处理，形成凹槽；向所述凹槽内形成牺牲层、在所述牺牲层的表面和所述衬底的所述表面上形成支撑层；沿所述衬底向支撑层的延伸方向，在所述支撑层的表面上依次形成第一底电极层、温飘层、第二底电极层、压电层和顶电极层；释放所述牺牲层处理，形成封闭的空腔。所述滤波器制备方法包括按照所述薄膜体声波谐振器的制备方法进行制备薄膜体声波谐振器的步骤。所述薄膜体声波谐振器的制备方法赋予制备的所述薄膜体声波谐振器损耗和温飘低、温度系数小、功率承受力和工作频率以及机电耦合系数高、兼容性好，具有很好的Q值。
-
公开(公告)号：CN110649908B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201910716392.4
申请日：2019-08-05
申请人： 北京中讯四方科技股份有限公司 , 浙江华远微电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种温度补偿声表波滤波器及其制备方法和应用。所述声表波滤波包括叉指换能器电极，所述叉指换能器电极包括第一汇流电极和第二汇流电极，所述第一汇流电极包括间隔设置的若干第一叉指指条电极，所述第二汇流电极包括间隔设置的若干第二叉指指条电极；沿平行于所述第一汇流电极或第二汇流电极方向，由所述第一叉指指条电极的端部末端起向所述第一汇流电极端的一段区域构成为第一边界区域；由所述第二叉指指条电极的端部末端起向所述第二汇流电极端的一段区域构成为第二边界区域；且在所述第一边界区域和第二边界区域内的所述第一叉指指条电极和第二叉指指条电极上沉积绝缘介质层。
-
公开(公告)号：CN116865704A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310864870.2
申请日：2023-07-13
申请人： 北京中讯四方科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种声表面波滤波器结构及制备方法，涉及声表面波滤波器技术领域，包括衬底层、第一高阻层、第二高阻层、低阻层、压电层以及叉指换能器，衬底层、第一高阻层、第二高阻层、低阻层、压电层以及叉指换能器从下到上依次设置，衬底层采用高纯度单晶硅，第一高阻层采用氮化铝，第二高阻层采用碳化硅，低阻层采用二氧化硅，压电层采用钽酸锂，叉指换能器采用铜或铝铜合金。本申请提供的声表面波滤波器结构具有传输损耗低、高机电耦合系数、高温度稳定性以及耐高功率的优点，能够满足5G和6G通信技术的发展。
-
公开(公告)号：CN109756201A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910231636.X
申请日：2019-03-26
申请人： 深圳华远微电科技有限公司 , 北京中讯四方科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和薄膜体声波滤波器。本发明薄膜体声波谐振器包括硅衬底、支撑层、第一底电极层、温飘层和三明治压电堆结构，所述支撑层层叠结合在所述衬底的开设有所述凹槽的所述表面上，并由所述支撑层和凹槽围合成封闭的空腔，所述第一底电极层层叠结合在所述支撑层的背离所述衬底的表面上，所述温飘层叠结合在所述第一底电极的背离所述支撑层的表面上，所述三明治压电堆结构层叠在所述温飘层的背离所述第一底电极层的表面上。所述薄膜体声波滤波器包括所述薄膜体声波谐振器。本发明薄膜体声波滤波器和谐振器耗低、温度系数小、温飘低、功率承受力高、工作频率高、机电耦合系数高、兼容性好，而且具有很好的Q值。
-
公开(公告)号：CN110649908A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910716392.4
申请日：2019-08-05
申请人： 北京中讯四方科技股份有限公司 , 深圳华远微电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种温度补偿声表波滤波器及其制备方法和应用。所述声表波滤波包括叉指换能器电极，所述叉指换能器电极包括第一汇流电极和第二汇流电极，所述第一汇流电极包括间隔设置的若干第一叉指指条电极，所述第二汇流电极包括间隔设置的若干第二叉指指条电极；沿平行于所述第一汇流电极或第二汇流电极方向，由所述第一叉指指条电极的端部末端起向所述第一汇流电极端的一段区域构成为第一边界区域；由所述第二叉指指条电极的端部末端起向所述第二汇流电极端的一段区域构成为第二边界区域；且在所述第一边界区域和第二边界区域内的所述第一叉指指条电极和第二叉指指条电极上沉积绝缘介质层。
-
公开(公告)号：CN220342293U
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202321848646.6
申请日：2023-07-13
申请人： 北京中讯四方科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种声表面波滤波器结构，涉及声表面波滤波器技术领域，包括衬底层、第一高阻层、第二高阻层、低阻层、压电层以及叉指换能器，衬底层、第一高阻层、第二高阻层、低阻层、压电层以及叉指换能器从下到上依次设置，衬底层采用高纯度单晶硅，第一高阻层采用氮化铝，第二高阻层采用碳化硅，低阻层采用二氧化硅，压电层采用钽酸锂，叉指换能器采用铜或铝铜合金。本申请提供的声表面波滤波器结构具有传输损耗低、高机电耦合系数、高温度稳定性以及耐高功率的优点，能够满足5G和6G通信技术的发展。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
17 条记录 (耗时 0.081 秒)