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公开(公告)号：CN1669160B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN03806292.5
申请日：2003-02-19
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/0516 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0545 , Y10S977/842 , Y10S977/938 , Y10S977/94
Abstract: 一种自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件，包括沉积在衬底(102)上的碳纳米管(104)、分别形成在该碳纳米管(104)的第一端和第二端的源极和漏极(106-107)、以及基本形成在该碳纳米管(104)的一部分上并通过介电膜(111)与该碳纳米管隔开的栅极(112)。
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公开(公告)号：CN100444413C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200480029021.0
申请日：2004-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/119
CPC classification number: H01L21/2807 , H01L21/28052 , H01L21/28061 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/4916 , H01L29/4925 , H01L29/665
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管器件的多层栅极电极堆叠结构，其形成在栅极电介质(43)上硅纳米晶体籽晶层(41)上。硅纳米晶体层的小晶粒尺寸允许利用原位快速热化学气相沉积(RTCVD)的均匀且连续的多晶SiGe层(45)的沉积，具有达到至少70%的[Ge]。在氧环境中在快速降低的温度沉积腔的原位净化导致3至4A厚的薄SiO2或SixGeyOz界面层(47)。薄SiO2或SixGeyOz界面层足够薄且不连续从而提供对栅极电流的很小的电阻，但具有足够的[O]从而在热处理期间有效阻挡向上的Ge扩散，因此允许随后沉积的钴层的硅化。该栅极电极堆叠结构用于nFET和pFET两者。
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公开(公告)号：CN1280906C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN03154035.X
申请日：2003-08-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 布鲁斯·B·多里斯 , 阿什马·B·查克拉瓦蒂 , 凯文·K·钱 , 丹尼尔·A·尤里阿特
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/4925 , H01L21/28044 , H01L21/823842
Abstract: 一种半导体器件结构，包括衬底、淀积在衬底上的介质层、淀积在介质层上的第一和第二叠层。第一叠层包括淀积在介质层上的第一硅层、淀积在第一硅层上的锗化硅层、淀积在锗化硅层上的第二硅层以及淀积在第二硅层上的第三硅层。第二叠层包括淀积在介质层上的第一硅层以及淀积在第一硅层上的第三硅层。可供选择地，锗化硅层包括硼。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1669160A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03806292.5
申请日：2003-02-19
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/0516 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0545 , Y10S977/842 , Y10S977/938 , Y10S977/94
Abstract: 一种自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件，包括沉积在衬底(102)上的碳纳米管(104)、分别形成在该碳纳米管(104)的第一端和第二端的源极和漏极(106－107)、以及基本形成在该碳纳米管(104)的一部分上并通过介电膜(111)与该碳纳米管隔开的栅极(112)。
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公开(公告)号：CN101807668B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010126255.4
申请日：2003-02-19
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/0516 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0545 , Y10S977/842 , Y10S977/938 , Y10S977/94
Abstract: 本发明公开碳纳米管场效应晶体管半导体器件及其制造方法。本发明提供一种自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件，包括沉积在衬底(102)上的碳纳米管(104)、分别形成在该碳纳米管(104)的第一端和第二端的源极和漏极(106-107)、以及基本形成在该碳纳米管(104)的一部分上并通过介电膜(111)与该碳纳米管隔开的栅极(112)。本发明还提供该碳纳米管场效应晶体管半导体器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN1864275A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480029021.0
申请日：2004-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/119
CPC classification number: H01L21/2807 , H01L21/28052 , H01L21/28061 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/4916 , H01L29/4925 , H01L29/665
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管器件的多层栅极电极堆叠结构，其形成在栅极电介质(43)上硅纳米晶体籽晶层(41)上。硅纳米晶体层的小晶粒尺寸允许利用原位快速热化学气相沉积(RTCVD)的均匀且连续的多晶SiGe层(45)的沉积，具有达到至少70％的[Ge]。在氧环境中在快速降低的温度沉积腔的原位净化导致3至4A厚的薄SiO2或SixGeyOz界面层(47)。薄SiO2或SixGeyOz界面层足够薄且不连续从而提供对栅极电流的很小的电阻，但具有足够的[O]从而在热处理期间有效阻挡向上的Ge扩散，因此允许随后沉积的钴层的硅化。该栅极电极堆叠结构用于nFET和pFET两者。
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公开(公告)号：CN101807668A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010126255.4
申请日：2003-02-19
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/0516 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0545 , Y10S977/842 , Y10S977/938 , Y10S977/94
Abstract: 本发明公开碳纳米管场效应晶体管半导体器件及其制造方法。本发明提供一种自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件，包括沉积在衬底(102)上的碳纳米管(104)、分别形成在该碳纳米管(104)的第一端和第二端的源极和漏极(106-107)、以及基本形成在该碳纳米管(104)的一部分上并通过介电膜(111)与该碳纳米管隔开的栅极(112)。本发明还提供该碳纳米管场效应晶体管半导体器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN1507056A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN03154035.X
申请日：2003-08-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 布鲁斯·B·多里斯 , 阿什马·B·查克拉瓦蒂 , 凯文·K·钱 , 丹尼尔·A·尤里阿特
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/4925 , H01L21/28044 , H01L21/823842
Abstract: 一种半导体器件结构，包括衬底、淀积在衬底上的介质层、淀积在介质层上的第一和第二叠层。第一叠层包括淀积在介质层上的第一硅层、淀积在第一硅层上的锗化硅层、淀积在锗化硅层上的第二硅层以及淀积在第二硅层上的第三硅层。第二叠层包括淀积在介质层上的第一硅层以及淀积在第一硅层上的第二硅层。可供选择地，锗化硅层包括硼。
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