公开(公告)号：CN116601708A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180083291.3

申请日：2021-11-09

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 龚南博 ,  安藤崇志

IPC分类号： G11C11/22

摘要： 一种器件包括非易失性模拟电阻式存储器基元。非易失性模拟电阻式存储器器件包括电阻式存储器器件和选择晶体管。电阻式存储器器件包括第一端子和第二端子。电阻式存储器器件具有可调节电导。选择晶体管是包括栅极端子、源极端子和漏极端子的铁电场效应晶体管(FeFET)器件。FeFET器件的栅极端子连接到字线。FeFET器件的源极端子连接到源极线。FeFET器件的漏极端子连接到电阻式存储器器件的第一端子。电阻式存储器器件的第二端子连接到位线。

公开(公告)号：CN116830201A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202180083147.X

申请日：2021-11-10

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  R·L·布鲁斯 ,  A·雷茨尼采克 ,  B·赫克马绍尔塔巴里

IPC分类号： G11C13/00

摘要： 一种结构，包括底部电极(104)、垂直对准的相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(106)。一种结构，包括底部电极(104)、相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(118)、以及第二阻挡层(120，所述第二阻挡层将所述双向阈值切换层(118)与顶部电极(122)物理地分离。一种方法，包括：形成包括衬里的结构，所述衬里在第一阻挡层(108)上方垂直对准，所述第一阻挡层(108)在相变材料层(106)上方垂直对准，所述相变材料层(106)在底部电极(104)上方垂直对准；形成围绕所述结构的电介质(114)；以及在所述第一阻挡层(108)上形成双向阈值切换层(118)，所述双向阈值切换层(118)的垂直侧表面与所述第一阻挡层(108)、所述相变材料层(106)和所述底部电极(104)垂直对准。

公开(公告)号：CN116472614A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202180077996.4

申请日：2021-11-15

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  G·科恩

IPC分类号： H01L29/423

摘要： 提供一种铁电场效晶体管(FeFET)。该FeFET包括掩埋氧化物(BOX)层；纳米线层，其包括在所述FeFET的源极和漏极区处的所述BOX层上形成的衬垫，以及在所述衬垫之间并且在所述BOX层中形成的凹陷之上延伸的纳米线芯；覆盖所述纳米线芯的金属电极；铁电层，其覆盖所述金属电极；界面层，覆盖该铁电层；以及形成在FeFET的沟道区之上的多晶硅层，该多晶硅层覆盖界面层。

公开(公告)号：CN117120970A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280023227.0

申请日：2022-03-15

申请人： 国际商业机器公司

发明人： G·科恩 ,  安藤崇志 ,  龚南博 ,  李宇龙

IPC分类号： G06F7/544

摘要： 在用于形成非易失性可调谐电容器装置的方法中，第一电极层与第二电极层相对地向远侧形成，第一电极层被配置为形成第一电连接，第二电极层被配置为形成第二电连接。介电层设置在第一电极层之间并且与第二电极层相邻。相变材料(PCM)层邻近介电层设置在第一电极层与第二电极层之间。提供激励部件以加热PCM层以改变PCM层的相位。该激励部件可以包括与该PCM层直接接触的加热元件或电探针，当被激励时该加热元件或电探针被配置成用于向该PCM层施加热量。PCM层的相在非晶相与结晶相之间是可改变的。

公开(公告)号：CN116711478A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180080583.1

申请日：2021-10-27

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 龚南博 ,  G·科恩 ,  安藤崇志

IPC分类号： H10N70/20

摘要： 一种装置，包括：相变材料；第一电极，位于所述相变材料的第一端；第二电极，位于所述相变材料的第二端；以及加热元件，耦合到所述相变材料的在所述第一端和所述第二端之间的至少给定部分。该装置还包括耦合到加热元件的第一输入端子、耦合到加热元件的第二输入端子和耦合到第二电极的输出端子。

公开(公告)号：CN116649003A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180083411.X

申请日：2021-11-19

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  G·M·科昂

IPC分类号： H10B51/00

摘要： 一种器件包括非易失性存储器和控制系统。该非易失性存储器包括非易失性存储器单元的阵列，其中至少一个非易失性存储器单元包括铁电场效应晶体管(FeFET)器件。FeFET器件包括第一和第二源极/漏极区，以及包括铁电层和设置在铁电层之上的栅极电极的栅极结构。铁电层包括邻近于第一源极/漏极区的第一区和邻近于第二源极/漏极区的第二区。控制系统可操作地耦合到所述非易失性存储器，以将FeFET器件编程为具有多个不同逻辑状态中的逻辑状态。多个不同逻辑状态中的至少一个逻辑状态对应于FeFET器件的极化状态，其中铁电层的第一区和第二区具有极性相反的相应剩余极化。

公开(公告)号：CN116964676A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280018429.6

申请日：2022-02-23

申请人： 国际商业机器公司

发明人： G·M·科恩 ,  安藤崇志 ,  龚南博

IPC分类号： G11C11/56

摘要： 具有存储器单元的存储器阵列可具有在存储器单元之间集成到存储器阵列中的一个或多个加热器。与加热器通信的处理器可以通知加热器在触发事件发生时激活。

公开(公告)号：CN116711011A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280009500.4

申请日：2022-01-04

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  G·M·科昂

IPC分类号： G11C11/21

摘要： 一种相变存储器(PCM)装置，所述装置包括底部电极、在所述底部电极上方的底部加热器、在所述底部加热器上方的底部缓冲层、在所述底部缓冲层上方的PCM区域、在所述PCM区域上方的顶部缓冲层、在所述顶部缓冲层上方的顶部加热器、以及在所述顶部加热器上方的顶部电极。

公开(公告)号：CN116601642A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180080220.8

申请日：2021-11-09

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  B·海克马特少塔巴瑞 ,  A·雷茨尼采克

IPC分类号： G06N3/063

摘要： 电路结构包括具有第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的第一铁电场效应晶体管(FeFET)和具有第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的第二FeFET。第一栅电极连接到字线，并且第一源电极和第二源电极连接到位线。第一漏电极连接至第二栅电极并且第二漏电极连接至偏压线。通过组合两个电路结构来构造权重突触结构。多个权重突触结构被结合到交叉式阵列中。

公开(公告)号：CN114665010A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111262203.4

申请日：2021-10-28

申请人： 国际商业机器公司

发明人： G·M·科恩 ,  安藤崇志 ,  龚南博

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本公开涉及基于传递长度相变材料(PCM)的桥接单元。一种可调谐非易失性电阻性元件，其中通过改变相变材料与电阻性衬垫之间的接触的长度来调制所述设备电导。通过选择小于传递长度的接触长度，获得电导的线性调制。