公开(公告)号：CN103930977B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201280054033.3

申请日：2012-10-16

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·邦萨伦提普 ,  G·M·科昂 ,  J·W·斯雷特

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/938

摘要： 一种形成场效应晶体管器件的方法包括在衬底之上形成悬置的纳米线，在所述衬底的一部分上并围绕所述纳米线的一部分形成虚设栅极叠层；去除所述纳米线的暴露部分，从所述纳米线的暴露部分外延生长纳米线扩展部分，在所述衬底的暴露部分、所述虚设栅极叠层以及所述纳米线扩展部分之上沉积半导体材料层，以及去除所述半导体材料的部分以形成邻近所述虚设栅极叠层设置并接触所述纳米线扩展部分的侧壁接触区域。

公开(公告)号：CN103199115A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310002191.0

申请日：2013-01-04

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·邦萨伦提普 ,  G·M·科昂 ,  A·马宗达 ,  J·W·斯雷特

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： G11C11/5671 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： 本发明涉及浮栅晶体管、存储单元以及制造器件的方法。所述浮栅晶体管包括基本上为圆柱形形式的一条或多条栅控线。所述浮栅晶体管包括至少部分地覆盖所述栅控线的第一栅极介电层。所述浮栅晶体管还包括间断地设置在所述第一栅极介电层上的多个栅极晶体。所述浮栅晶体管还包括覆盖所述多个栅极晶体和所述第一栅极介电层的第二栅极介电层。

公开(公告)号：CN101438355B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200780008800.6

申请日：2007-03-08

申请人： 国际商业机器公司

发明人： G·M·科昂 ,  H·F·哈曼

IPC分类号： G01N23/00 ,  G12B21/00

CPC分类号： G01Q70/12 ,  G01Q60/22

摘要： 公开了一种扫描探针，其中通过从尖端的顶部部分生长外延纳米线来延伸微加工的锥体尖端。金属的颗粒例如金，可以终止所述纳米线以实现无孔径近场光学显微探针。

公开(公告)号：CN116711011A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280009500.4

申请日：2022-01-04

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  G·M·科昂

IPC分类号： G11C11/21

摘要： 一种相变存储器(PCM)装置，所述装置包括底部电极、在所述底部电极上方的底部加热器、在所述底部加热器上方的底部缓冲层、在所述底部缓冲层上方的PCM区域、在所述PCM区域上方的顶部缓冲层、在所述顶部缓冲层上方的顶部加热器、以及在所述顶部加热器上方的顶部电极。

公开(公告)号：CN102253245B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201110073723.0

申请日：2007-03-08

申请人： 国际商业机器公司

发明人： G·M·科昂 ,  H·F·哈曼

IPC分类号： G01Q70/16 ,  B82Y15/00 ,  G01Q60/22 ,  G01Q60/38

CPC分类号： G01Q70/12 ,  G01Q60/22

摘要： 公开了一种扫描探针，其中通过从尖端的顶部部分生长外延纳米线来延伸微加工的锥体尖端。金属的颗粒例如金，可以终止所述纳米线以实现无孔径近场光学显微探针。

公开(公告)号：CN103930977A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280054033.3

申请日：2012-10-16

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·邦萨伦提普 ,  G·M·科昂 ,  J·W·斯雷特

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/938

摘要： 一种形成场效应晶体管器件的方法包括在衬底之上形成悬置的纳米线，在所述衬底的一部分上并围绕所述纳米线的一部分形成虚设栅极叠层；去除所述纳米线的暴露部分，从所述纳米线的暴露部分外延生长纳米线扩展部分，在所述衬底的暴露部分、所述虚设栅极叠层以及所述纳米线扩展部分之上沉积半导体材料层，以及去除所述半导体材料的部分以形成邻近所述虚设栅极叠层设置并接触所述纳米线扩展部分的侧壁接触区域。

公开(公告)号：CN101438355A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780008800.6

申请日：2007-03-08

申请人： 国际商业机器公司

发明人： G·M·科昂 ,  H·F·哈曼

IPC分类号： G12B21/00

CPC分类号： G01Q70/12 ,  G01Q60/22

摘要： 公开了一种扫描探针，其中通过从尖端的顶部部分生长外延纳米线来延伸微加工的锥体尖端。金属的颗粒例如金，可以终止所述纳米线以实现无孔径近场光学显微探针。

公开(公告)号：CN100337334C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200310121549.8

申请日：2003-12-18

申请人： 国际商业机器公司

发明人： K·K·钱 ,  G·M·科昂 ,  M·莱昂 ,  R·A·罗伊 ,  P·M·所罗门 ,  杨敏

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

摘要： 一种双栅极场效应晶体管(DGFET)结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。本发明引入了两个新措施，以减小源/漏区下的寄生电容。首先，将栅极外的硅区转变成氧化物，用具有第一横向厚度的第一间隔层保护了与栅极相邻的硅凸缘。使用自对准的氧注入或其它粒种注入促进氧化。其次，除去第一间隔层，用横向厚度小于第一间隔层的横向厚度的第二间隔层代替，通过使用横向选择性外延过生长并使用现在露出的硅凸缘作为籽晶在自对准的隔离区上生长新的硅源/漏区。这样可以获得到背平面的低电容，同时可以保持控制阈值电压。

公开(公告)号：CN116649003A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180083411.X

申请日：2021-11-19

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  G·M·科昂

IPC分类号： H10B51/00

摘要： 一种器件包括非易失性存储器和控制系统。该非易失性存储器包括非易失性存储器单元的阵列，其中至少一个非易失性存储器单元包括铁电场效应晶体管(FeFET)器件。FeFET器件包括第一和第二源极/漏极区，以及包括铁电层和设置在铁电层之上的栅极电极的栅极结构。铁电层包括邻近于第一源极/漏极区的第一区和邻近于第二源极/漏极区的第二区。控制系统可操作地耦合到所述非易失性存储器，以将FeFET器件编程为具有多个不同逻辑状态中的逻辑状态。多个不同逻辑状态中的至少一个逻辑状态对应于FeFET器件的极化状态，其中铁电层的第一区和第二区具有极性相反的相应剩余极化。

公开(公告)号：CN103199115B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310002191.0

申请日：2013-01-04

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·邦萨伦提普 ,  G·M·科昂 ,  A·马宗达 ,  J·W·斯雷特

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： G11C11/5671 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： 本发明涉及浮栅晶体管、存储单元以及制造器件的方法。所述浮栅晶体管包括基本上为圆柱形形式的一条或多条栅控线。所述浮栅晶体管包括至少部分地覆盖所述栅控线的第一栅极介电层。所述浮栅晶体管还包括间断地设置在所述第一栅极介电层上的多个栅极晶体。所述浮栅晶体管还包括覆盖所述多个栅极晶体和所述第一栅极介电层的第二栅极介电层。