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公开(公告)号：CN105793956A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480066084.7
申请日：2014-12-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 提供了用于在基板1、20、50上制造半导体纳米线12、40、41、45、47的方法。纳米线模板3、6、22、24、31、32形成在基板上。纳米线模板限定细长通道8、26、33，其在模板中的开口7、25与晶种表面10、27、34之间在基板上方横向延伸。晶种表面10、27、34暴露于通道并且具有多达2x410nm2的面积。经由该开口，在模板中自晶种表面选择性生长半导体纳米线。晶种表面10、27、34的面积优选为使得纳米线的生长从晶种表面上的单个成核点开始进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103682073B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310334853.4
申请日：2013-08-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L35/00
CPC classification number: H01L35/28
Abstract: 本发明提供包括由单个热电材料形成的本体2、6、13、17的热电元件1、5、12、15。本体2、6、13、17在第一方向上延伸，在热电操作中沿着该第一方向建立热梯度。本体在所述第一方向上具有至少第一相邻分节和第二相邻分节s1、s2。所述分节s1、s2中的至少一个分节受到在所述第一方向上基本上环绕本体的中心轴CC向该分节施加的应力。该布置使得所述应力在第一分节和第二分节s1、s2中造成不同应力从而在本体中产生能量势垒以增强热电操作。
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公开(公告)号：CN103210492B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201180054975.7
申请日：2011-11-02
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/0262 , H01L21/02667 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/1054 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66469 , H01L29/775 , H01L29/78687 , H01L29/78696
Abstract: 提供纳米线器件(7，14，25，38，40)以及用于形成这类器件的方法。该方法包括形成沿圆周包围半导体纳米线(1，10，20，30)的应力体层(6，13，23，33)。执行方法使得由于应力体层，纳米线受到径向和纵向应变中的至少一种应变以增强纳米线中的载流子迁移率。可以单独或者一起使用径向和纵向应变分量并且可以使径向和纵向应变分量各自变成拉伸或者压缩，从而允许制定所需应变特性以用于给定器件的纳米线中的增强传导率。
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公开(公告)号：CN105793956B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201480066084.7
申请日：2014-12-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 提供了用于在基板1、20、50上制造半导体纳米线12、40、41、45、47的方法。纳米线模板3、6、22、24、31、32形成在基板上。纳米线模板限定细长通道8、26、33，其在模板中的开口7、25与晶种表面10、27、34之间在基板上方横向延伸。晶种表面10、27、34暴露于通道并且具有多达2x410nm2的面积。经由该开口，在模板中自晶种表面选择性生长半导体纳米线。晶种表面10、27、34的面积优选为使得纳米线的生长从晶种表面上的单个成核点开始进行。
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公开(公告)号：CN103682073A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310334853.4
申请日：2013-08-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L35/00
CPC classification number: H01L35/28
Abstract: 本发明提供包括由单个热电材料形成的本体2、6、13、17的热电元件1、5、12、15。本体2、6、13、17在第一方向上延伸，在热电操作中沿着该第一方向建立热梯度。本体在所述第一方向上具有至少第一相邻分节和第二相邻分节s1、s2。所述分节s1、s2中的至少一个分节受到在所述第一方向上基本上环绕本体的中心轴CC向该分节施加的应力。该布置使得所述应力在第一分节和第二分节s1、s2中造成不同应力从而在本体中产生能量势垒以增强热电操作。
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公开(公告)号：CN103210492A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054975.7
申请日：2011-11-02
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/0262 , H01L21/02667 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/1054 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66469 , H01L29/775 , H01L29/78687 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供纳米线器件(7，14，25，38，40)以及用于形成这类器件的方法。该方法包括形成沿圆周包围半导体纳米线(1，10，20，30)的应力体层(6，13，23，33)。执行方法使得由于应力体层，纳米线受到径向和纵向应变中的至少一种应变以增强纳米线中的载流子迁移率。可以单独或者一起使用径向和纵向应变分量并且可以使径向和纵向应变分量各自变成拉伸或者压缩，从而允许制定所需应变特性以用于给定器件的纳米线中的增强传导率。
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