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公开(公告)号:CN101035739A
公开(公告)日:2007-09-12
申请号:CN200580034207.X
申请日:2005-09-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0018 , F03G7/06 , F03G7/065 , H01H2037/008
Abstract: 一种微系统,包括第一静态元件(1),第二可移动并且独立的元件(2),用于在所述第一和第二元件(1、2)之间产生力的致动器(3),所述致动器(3)被设计为控制所述第一元件(1)和所述第二元件(2)之一的温度(T1、T2)。介绍了在微系统中用于相对于第一元件(1)来定位第二元件(2)的相应方法。
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公开(公告)号:CN102422223A
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN201080020875.8
申请日:2010-06-11
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C08G2/06 , C08G2/14 , G01Q80/00 , G03F7/0002 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/2049
Abstract: 本发明涉及在材料表面形成图像的方法。提供了其上具有聚合物膜的基材。聚合物是选择性反应活性聚合物(例如,热力学不稳定的):其能够通过适当的激发而解聚。使用探针在膜上形成图像。在图案形成中,膜被局部激发来解聚聚合物链。因此,基本的主意是提供给聚合物材料以激发,其反过来同时分解,例如形成挥发性组分。例如,膜被热激发,以便断裂聚合物链中的一个分子键,其足以触发整个聚合物链的降解反应。
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公开(公告)号:CN101035739B
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN200580034207.X
申请日:2005-09-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0018 , F03G7/06 , F03G7/065 , H01H2037/008
Abstract: 一种微系统,包括第一静态元件(1),第二可移动并且独立的元件(2),用于在所述第一和第二元件(1、2)之间产生力的致动器(3),所述致动器(3)被设计为控制所述第一元件(1)和所述第二元件(2)之一的温度(T1、T2)。介绍了在微系统中用于相对于第一元件(1)来定位第二元件(2)的相应方法。
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公开(公告)号:CN108351369A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680065659.2
申请日:2016-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: B·W·格茨曼 , F·门杰斯 , P·P·N·尼尔马拉杰
IPC: G01Q70/14
Abstract: 用于扫描探针显微镜(110)的扫描探针传感器(100)包括具有铁磁流体(125)的探针尖端(120)和适于产生作用在铁磁流体(125)上的磁场的磁场发生器(130)。此外,传感器控制器(150)被提供并被配置为控制磁场发生器(130)的一个或多个参数,从而控制流体(125)的形状。
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公开(公告)号:CN103210492A
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN201180054975.7
申请日:2011-11-02
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/0262 , H01L21/02667 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/1054 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66469 , H01L29/775 , H01L29/78687 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供纳米线器件(7,14,25,38,40)以及用于形成这类器件的方法。该方法包括形成沿圆周包围半导体纳米线(1,10,20,30)的应力体层(6,13,23,33)。执行方法使得由于应力体层,纳米线受到径向和纵向应变中的至少一种应变以增强纳米线中的载流子迁移率。可以单独或者一起使用径向和纵向应变分量并且可以使径向和纵向应变分量各自变成拉伸或者压缩,从而允许制定所需应变特性以用于给定器件的纳米线中的增强传导率。
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公开(公告)号:CN103210492B
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201180054975.7
申请日:2011-11-02
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/0262 , H01L21/02667 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/1054 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66469 , H01L29/775 , H01L29/78687 , H01L29/78696
Abstract: 提供纳米线器件(7,14,25,38,40)以及用于形成这类器件的方法。该方法包括形成沿圆周包围半导体纳米线(1,10,20,30)的应力体层(6,13,23,33)。执行方法使得由于应力体层,纳米线受到径向和纵向应变中的至少一种应变以增强纳米线中的载流子迁移率。可以单独或者一起使用径向和纵向应变分量并且可以使径向和纵向应变分量各自变成拉伸或者压缩,从而允许制定所需应变特性以用于给定器件的纳米线中的增强传导率。
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公开(公告)号:CN102197429B
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN200980142065.7
申请日:2009-10-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11B9/00
CPC classification number: C08G8/28 , B82Y10/00 , C08G73/10 , G11B9/14 , G11B9/1472 , G11B9/149 , G11B11/007 , Y10T428/21 , Y10T428/24355 , Y10T428/24612 , Y10T428/265 , Y10T428/31623 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明涉及一种在基材表面上制备用于以地形特征形式存储数据的数据存储介质的方法。该方法包括其中将包含至少三个炔基的交联剂沉积在基材表面上的第一步骤。在第二步骤中,将沉积的交联剂固化以在基材表面上获得交联聚合物层形式的数据存储介质。本发明进一步涉及通过该方法获得的数据存储介质,和包括该数据存储介质的数据存储设备。
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公开(公告)号:CN108351369B
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN201680065659.2
申请日:2016-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: B·W·格茨曼 , F·门杰斯 , P·P·N·尼尔马拉杰
IPC: G01Q70/14
Abstract: 用于扫描探针显微镜(110)的扫描探针传感器(100)包括具有铁磁流体(125)的探针尖端(120)和适于产生作用在铁磁流体(125)上的磁场的磁场发生器(130)。此外,传感器控制器(150)被提供并被配置为控制磁场发生器(130)的一个或多个参数,从而控制流体(125)的形状。
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公开(公告)号:CN102265218A
公开(公告)日:2011-11-30
申请号:CN201080003812.1
申请日:2010-01-22
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/0002 , G01Q80/00 , G11B9/14 , G11B11/007 , Y10T428/24355
Abstract: 描述了用于构图材料表面的基于探针的方法。具体地,描述了材料表面上的分子的高分辨率构图,诸如具有小于30纳米的特征尺寸的纳米级图案。在一个方面,一种用于构图材料表面的方法包括提供具有聚合物膜的材料。继而使用经加热的、纳米级尺度的探针来在与膜相互作用时解吸分子。膜包括经由诸如氢键之类的分子间(非共价)键交联的分子的网络(诸如分子玻璃)。
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公开(公告)号:CN102197429A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN200980142065.7
申请日:2009-10-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11B9/00
CPC classification number: C08G8/28 , B82Y10/00 , C08G73/10 , G11B9/14 , G11B9/1472 , G11B9/149 , G11B11/007 , Y10T428/21 , Y10T428/24355 , Y10T428/24612 , Y10T428/265 , Y10T428/31623 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明涉及一种在基材表面上制备用于以地形特征形式存储数据的数据存储介质的方法。该方法包括其中将包含至少三个炔基的交联剂沉积在基材表面上的第一步骤。在第二步骤中,将沉积的交联剂固化以在基材表面上获得交联聚合物层形式的数据存储介质。本发明进一步涉及通过该方法获得的数据存储介质,和包括该数据存储介质的数据存储设备。
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