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公开(公告)号：CN101101915A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710136480.4
申请日：2003-07-15
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L23/00
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02664 , Y10S438/933
摘要： 提供一种形成驰豫的绝缘体上SiGe衬底的方法，该衬底具有增强的驰豫、显著降低的缺陷密度和改进的表面质量。该方法包括在第一单晶Si层的表面上形成SiGe合金层。该第一单晶Si层与下面的阻挡层具有界面，该阻挡层抗Ge扩散。然后，在所述界面处或其附近将能够形成缺陷的离子注入到结构中，该缺陷允许机械退耦，此后对包括注入离子的结构进行加热步骤，允许Ge互扩散到整个第一单晶Si层和SiGe层，以便在阻挡层的顶上形成显著驰豫的、单晶和均匀的SiGe层。还提供了具有改进性能的绝缘体上SiGe衬底以及包含该衬底的异质结构。
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公开(公告)号：CN1492476A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03147500.0
申请日：2003-07-15
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02664 , Y10S438/933
摘要： 提供一种形成驰豫的绝缘体上SiGe衬底的方法，该衬底具有增强的驰豫、显著降低的缺陷密度和改进的表面质量。该方法包括在第一单晶Si层的表面上形成SiGe合金层。该第一单晶Si层与下面的阻挡层具有界面，该阻挡层抗Ge扩散。然后，在所述界面处或其附近将能够形成缺陷的离子注入到结构中，该缺陷允许机械退耦，此后对包括注入离子的结构进行加热步骤，允许Ge互扩散到整个第一单晶Si层和SiGe层，以便在阻挡层的顶上形成显著驰豫的、单晶和均匀的SiGe层。还提供了具有改进性能的绝缘体上SiGe衬底以及包含该衬底的异质结构。
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公开(公告)号：CN100583445C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710136480.4
申请日：2003-07-15
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L23/00
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02664 , Y10S438/933
摘要： 提供一种形成驰豫的绝缘体上SiGe衬底的方法，该衬底具有增强的驰豫、显著降低的缺陷密度和改进的表面质量。该方法包括在第一单晶Si层的表面上形成SiGe合金层。该第一单晶Si层与下面的阻挡层具有界面，该阻挡层抗Ge扩散。然后，在所述界面处或其附近将能够形成缺陷的离子注入到结构中，该缺陷允许机械退耦，此后对包括注入离子的结构进行加热步骤，允许Ge互扩散到整个第一单晶Si层和SiGe层，以便在阻挡层的顶上形成显著驰豫的、单晶和均匀的SiGe层。还提供了具有改进性能的绝缘体上SiGe衬底以及包含该衬底的异质结构。
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公开(公告)号：CN100345246C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN03147500.0
申请日：2003-07-15
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02664 , Y10S438/933
摘要： 提供一种形成驰豫的绝缘体上SiGe衬底的方法，该衬底具有增强的驰豫、显著降低的缺陷密度和改进的表面质量。该方法包括在第一单晶Si层的表面上形成SiGe合金层。该第一单晶Si层与下面的阻挡层具有界面，该阻挡层抗Ge扩散。然后，在所述界面处或其附近将能够形成缺陷的离子注入到结构中，该缺陷允许机械退耦，此后对包括注入离子的结构进行加热步骤，允许Ge互扩散到整个第一单晶Si层和SiGe层，以便在阻挡层的顶上形成显著驰豫的、单晶和均匀的SiGe层。还提供了具有改进性能的绝缘体上SiGe衬底以及包含该衬底的异质结构。
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