公开(公告)号：CN1552105A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN02817280.9

申请日：2002-07-02

申请人： 国际整流器有限公司

发明人： K·斯普林 ,  J·曹

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66719

摘要： 示出一种MOS栅极的半导体装置，其包括深植入结和厚氧化物间隔物置于共用导电区的实质部分上。

公开(公告)号：CN1333468C

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN02817280.9

申请日：2002-07-02

申请人： 国际整流器有限公司

发明人： K·斯普林 ,  J·曹

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66719

摘要： 示出一种MOS栅极的半导体装置，其包括深植入结和厚氧化物间隔物置于共用导电区的实质部分上。