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公开(公告)号:CN108122809A
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201710749543.7
申请日:2017-08-28
申请人: 圆益IPS股份有限公司
IPC分类号: H01L21/67
摘要: 本发明涉及一种基板处理系统,更详细而言,涉及一种利用等离子而进行基板处理的基板处理系统。本发明公开了一种基板处理方法,其特征在于,包括:多个基板处理模块(100),形成密闭的处理空间(S),在多个基板装载于托盘(20)的状态下执行基板处理;运送模块(200),设置有运送机器人(210),与所述多个基板处理模块(100)相结合,分别将托盘(20)运出或导入于所述基板处理模块(100);基板交换模块(300),结合于所述运送模块(200),在所述基板处理模块(100)中完成基板处理的基板(10)从托盘(20)卸载,并将要进行基板处理的基板装载于托盘(20)。所述基板交换模块(300)包括:托盘运出部(310),为了托盘(20)的外部运出而依靠运送机器人(210)传递。
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公开(公告)号:CN102969214A
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN201210310555.7
申请日:2012-08-28
申请人: 圆益IPS股份有限公司
IPC分类号: H01J37/317 , H01L21/67
摘要: 本发明是关于基板处理装置,更详细地说是关于向基板照射离子束来执行基板处理的基板处理装置,与具有其的基本处理系统。本发明公开的基板处理装置,其特征在于包括:工序室,设置有移送路径来移送安置有一个以上基板的托盘;一个以上的离子束照射部,对根据所述移送路径移送过来的基板照射离子束。
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公开(公告)号:CN108122809B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201710749543.7
申请日:2017-08-28
申请人: 圆益IPS股份有限公司
IPC分类号: H01L21/67
摘要: 本发明涉及一种基板处理系统,更详细而言,涉及一种利用等离子而进行基板处理的基板处理系统。本发明公开了一种基板处理方法,其特征在于,包括:多个基板处理模块(100),形成密闭的处理空间(S),在多个基板装载于托盘(20)的状态下执行基板处理;运送模块(200),设置有运送机器人(210),与所述多个基板处理模块(100)相结合,分别将托盘(20)运出或导入于所述基板处理模块(100);基板交换模块(300),结合于所述运送模块(200),在所述基板处理模块(100)中完成基板处理的基板(10)从托盘(20)卸载,并将要进行基板处理的基板装载于托盘(20)。所述基板交换模块(300)包括:托盘运出部(310),为了托盘(20)的外部运出而依靠运送机器人(210)传递。
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公开(公告)号:CN102969214B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201210310555.7
申请日:2012-08-28
申请人: 圆益IPS股份有限公司
IPC分类号: H01J37/317 , H01L21/67
摘要: 本发明是关于基板处理装置,更详细地说是关于向基板照射离子束来执行基板处理的基板处理装置,与具有其的基本处理系统。本发明公开的基板处理装置,其特征在于包括:工序室,设置有移送路径来移送安置有一个以上基板的托盘;一个以上的离子束照射部,对根据所述移送路径移送过来的基板照射离子束。
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公开(公告)号:CN204905225U
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201520728339.3
申请日:2015-09-18
申请人: 圆益IPS股份有限公司
CPC分类号: Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要: 本实用新型涉及基板处理装置,更详细地说,利用等离子在基板表面形成多个凹凸的基板处理装置。本实用新型公开了基板处理装置,其包括:工序腔室,形成密闭的内部空间并且电气性接地所述工序腔室;基板支撑部,以与所述工序腔室电气性绝缘的状态来进行设置并施加一个以上的RF电源,并且支撑安装一个以上的基板的托架;气体喷射部,设置在所述内部空间的上侧来喷射用于执行基板处理的气体;盖部,从所述基板支撑部间隔距离地覆盖所述一个以上的基板来进行配置,并且形成多个开口部以使流入由所述气体喷射部喷射的气体,并且接地所述盖部。
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