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公开(公告)号：CN107541715B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710498435.7
申请日：2017-06-27
申请人： 圆益IPS股份有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45521 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/4585 , C23C16/4586
摘要： 本发明涉及基板处理装置以及利用该基板处理装置的薄膜沉积装置。本实施例的基板处理装置包括：腔室，具有密封的工艺区域；基板支撑架，位于所述腔室下部，使晶片安装在上面，并且在内部使防止沉积气体通过气体通道向侧面周围排放；花洒头，位于所述腔室上部，以使源气体以及反应气体供应于所述基板支撑架上；以及清洗环结构体，位于所述基板支撑架的边缘，使从所述基板支撑架内部流入的防止沉积气体供应到所述晶片上面边缘。其中，所述清洗环结构体包括：清洗环，安装在所述基板支撑架周围，以围绕晶片边缘；多个凸起部，从所述清洗环内侧面向所述晶片边缘方向凸出形成；其中，通过所述凸起部在所述清洗环的内侧面与所述晶片边缘之间形成间隙部，通过所述间隙部使所述防止沉积气体供应到所述晶片上面侧。
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公开(公告)号：CN102446791B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201110300209.6
申请日：2011-09-29
申请人： 圆益IPS股份有限公司
发明人： 白春金
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种基板处理装置，尤其涉及对实施基板处理的基板处理装置进行清洗的基板处理装置的清洗方法。本发明的基板处理装置的清洗方法对清洗处理室内部进行清洗，其包括：RPG清洗步骤，在与所述处理室相连接的远程等离子体发生器中对清洗气体进行自由基化，并向所述处理室的内部喷射该清洗气体来清洗所述处理室；直接清洗步骤，通过气体供给部向处理空间喷射清洗气体，同时对喷射到所述处理空间的清洗气体进行等离子化来清洗处理室，在所述基板处理装置的清洗方法中，组合实施所述RPG清洗步骤以及所述直接清洗步骤。
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公开(公告)号：CN102446791A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110300209.6
申请日：2011-09-29
申请人： 圆益IPS股份有限公司
发明人： 白春金
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种基板处理装置，尤其涉及对实施基板处理的基板处理装置进行清洗的基板处理装置的清洗方法。本发明的基板处理装置的清洗方法对清洗处理室内部进行清洗，其包括：RPG清洗步骤，在与所述处理室相连接的远程等离子体发生器中对清洗气体进行自由基化，并向所述处理室的内部喷射该清洗气体来清洗所述处理室；直接清洗步骤，通过气体供给部向处理空间喷射清洗气体，同时对喷射到所述处理空间的清洗气体进行等离子化来清洗处理室，在所述基板处理装置的清洗方法中，组合实施所述RPG清洗步骤以及所述直接清洗步骤。
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公开(公告)号：CN107541715A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710498435.7
申请日：2017-06-27
申请人： 圆益IPS股份有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45521 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/4585 , C23C16/4586
摘要： 本发明涉及基板处理装置以及利用该基板处理装置的薄膜沉积装置。本实施例的基板处理装置包括：腔室，具有密封的工艺区域；基板支撑架，位于所述腔室下部，使晶片安装在上面，并且在内部使防止沉积气体通过气体通道向侧面周围排放；花洒头，位于所述腔室上部，以使源气体以及反应气体供应于所述基板支撑架上；以及清洗环结构体，位于所述基板支撑架的边缘，使从所述基板支撑架内部流入的防止沉积气体供应到所述晶片上面边缘。其中，所述清洗环结构体包括：清洗环，安装在所述基板支撑架周围，以围绕晶片边缘；多个凸起部，从所述清洗环内侧面向所述晶片边缘方向凸出形成；其中，通过所述凸起部在所述清洗环的内侧面与所述晶片边缘之间形成间隙部，通过所述间隙部使所述防止沉积气体供应到所述晶片上面侧。
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公开(公告)号：CN102969214B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201210310555.7
申请日：2012-08-28
申请人： 圆益IPS股份有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/67
摘要： 本发明是关于基板处理装置，更详细地说是关于向基板照射离子束来执行基板处理的基板处理装置，与具有其的基本处理系统。本发明公开的基板处理装置，其特征在于包括：工序室，设置有移送路径来移送安置有一个以上基板的托盘；一个以上的离子束照射部，对根据所述移送路径移送过来的基板照射离子束。
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公开(公告)号：CN102969214A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210310555.7
申请日：2012-08-28
申请人： 圆益IPS股份有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/67
摘要： 本发明是关于基板处理装置，更详细地说是关于向基板照射离子束来执行基板处理的基板处理装置，与具有其的基本处理系统。本发明公开的基板处理装置，其特征在于包括：工序室，设置有移送路径来移送安置有一个以上基板的托盘；一个以上的离子束照射部，对根据所述移送路径移送过来的基板照射离子束。
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公开(公告)号：CN103219261A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210020071.9
申请日：2012-01-21
申请人： 圆益IPS股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明涉及基板处理装置，更详细说是涉及一种在基板的表面执行蒸镀工序等工序处理的基板处理装置及基板处理方法。本发明旨在达到如上所述的本发明的目的而提出，本发明中公开有基板处理装置，其特征在于，包括：真空交换腔室，具备第一传送部和第二传送部，第一传送部接收搭载有要执行工序处理的一个以上的基板的托盘，第二传送部排出搭载有完成工序处理的基板的托盘；工序腔室，具备导入传送部、排出传送部以及托盘支撑部，导入传送部从上述第一传送部接收托盘，排出传送部向上述第二传送部传送托盘，托盘支撑部安置由上述导入传送部导入的托盘，以进行工序处理，并进行垂直移动，以将完成工序处理的托盘传送到上述排出传送部。
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公开(公告)号：CN101866981B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201010153042.0
申请日：2010-04-20
申请人： 圆益IPS股份有限公司
发明人： 白春金
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 公开了一种用于制造太阳能电池的薄膜沉积处理系统，尤其是一种用于制造太阳能电池的、能够在太阳能电池的晶硅片的表面上形成诸如防反射膜的薄膜的薄膜沉积处理系统，以及一种清洗用于制造太阳能电池的薄膜沉积处理组件的方法。该用于制造太阳能电池的薄膜沉积处理组件包括：真空室，形成密封处理空间；托盘支承单元，安装于所述真空室内，用于支承其上装载有多个用于太阳能电池的晶体硅基片的托盘；喷头单元，安装于所述真空室的上方，用于将气体喷射到所述处理空间中；以及等离子产生器，用于从所提供的用于清洗所述真空室的清洗气体产生等离子。
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