公开(公告)号：CN110660866A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910538953.6

申请日：2019-06-20

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 菅原祐太 ,  道中悟志 ,  野寺伸武 ,  松本隆夫

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/428

Abstract: 本发明的一个实施方式的薄膜晶体管包括：基板；被基板支撑的栅极；覆盖栅极的栅极绝缘层；以及氧化物半导体层，是设置在栅极绝缘层且具有结晶硅区域的氧化物半导体层，结晶硅区域包括第一区域、第二区域和位于第一区域及第二区域之间的沟道区域，沟道区域、第一区域及第二区域经由栅极绝缘层与栅极重叠；保护绝缘层，以覆盖沟道区域，且露出第一区域及第二区域的方式配置在氧化物半导体层上；源极，与第一区域电连接；漏极，与第二区域电连接，沟道区域的结晶性与所述第一区域及所述第二区域的结晶性不同。

公开(公告)号：CN109417099A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201680087069.X

申请日：2016-04-25

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 松岛吉明 ,  石田茂 ,  高仓良平 ,  宇津木觉 ,  野寺伸武 ,  松本隆夫 ,  道中悟志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供特性差异小的薄膜晶体管、显示装置以及薄膜晶体管制造方法。薄膜晶体管具备栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、蚀刻阻挡层以及源电极和漏电极。栅电极形成在基板上。栅极绝缘膜形成为覆盖栅电极。半导体层形成在栅极绝缘膜的上侧，半导体层含有多晶硅层，多晶硅层在俯视图中位于由栅电极界定的区域的内侧。蚀刻阻挡层位于多晶硅层的上侧。源电极和漏电极彼此隔着间隔地设置在半导体层上。多晶硅层具有不被蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域，源电极的一部分存在于第一区域的上方，漏电极的一部分存在于第二区域的上方。

公开(公告)号：CN111788658A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201880090243.5

申请日：2018-03-07

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  井上智博 ,  小岩真司 ,  道中悟志

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 一种激光退火装置(100)具有向载物台(20)的照射区域R1射出多个激光束LB的激光照射装置(10)，激光照射装置具有：激光装置，其射出激光束LA；以及聚光单元30，其具有微透镜阵列(34)和掩膜(32)，接受来自激光装置的激光束，并在照射区域R1内形成多个激光束各自的聚光点，其中，所述微透镜阵列(34)具有排列成m行n列的多个微透镜(34A)，所述掩膜32具有多个开口部(32A)，多个激光束是由m行n列的微透镜中的p行q列的微透镜(p＜m或q＜n)来形成的p行q列的激光束，激光照射装置还具有摆动机构，其改变聚光单元(30)和照射区域R1之间的配置关系，使得从m行n列的微透镜中能够选择至少2个不同的p行q列的微透镜组。