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公开(公告)号：CN108028201B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201580083197.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供通过调整多晶硅的结晶性从而适当地对特性进行了调整的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。TFT的沟道层中所含的硅层14包含非晶部141、第1多晶部142和结晶性更低的第2多晶部143。通过经过掩模2将激光照射于硅层14，该掩模2包含将激光(能量束)遮蔽的遮蔽部21、使激光透过的第1透过部22和激光的透过率更低的第2遮蔽部22，从而形成第1多晶部142和第2多晶部143。通过存在第2多晶部143，与多晶的部分的结晶性为一种的TFT相比，更为适当地调整迁移率等TFT的特性。另外，通过调整掩模2的构成，从而能够简便地调整TFT的特性。
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公开(公告)号：CN108028283B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201580083210.4
申请日：2015-09-18
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供能够使特性的波动减小的薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管。形成由非晶硅构成的第1硅层14，从成为TFT(薄膜晶体管)的构成物的规定区域内的一部分或全部到规定区域的外部照射能量束，使照射了能量束的部分变化为多晶硅。另外，以使规定区域残留的方式蚀刻第1硅层14，以覆盖蚀刻后的第1硅层14的方式形成由非晶硅构成的第2硅层15。第1硅层14和第2硅层15成为TFT的沟道层。多晶硅的位置不会由于照射位置的波动而波动，减小沟道层内的多晶硅的位置的波动，减小TFT的特性的波动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108028283A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201580083210.4
申请日：2015-09-18
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02675 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L27/1229 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H01L29/786 , H01L29/7866
Abstract: 本发明提供能够使特性的波动减小的薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管。形成由非晶硅构成的第1硅层14，从成为TFT(薄膜晶体管)的构成物的规定区域内的一部分或全部到规定区域的外部照射能量束，使照射了能量束的部分变化为多晶硅。另外，以使规定区域残留的方式蚀刻第1硅层14，以覆盖蚀刻后的第1硅层14的方式形成由非晶硅构成的第2硅层15。第1硅层14和第2硅层15成为TFT的沟道层。多晶硅的位置不会由于照射位置的波动而波动，减小沟道层内的多晶硅的位置的波动，减小TFT的特性的波动。
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公开(公告)号：CN105900001A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480072505.7
申请日：2014-01-08
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/1262 , G02F1/1333 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F1/1337 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133354 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0274 , H01L21/311 , H01L21/31127 , H01L22/20 , H01L27/124 , H01L27/1248
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板的制造方法、有源矩阵基板和包括该有源矩阵基板的显示装置，该有源矩阵基板及其方法能够在层间绝缘膜设置调整孔，而没有基板表面被削到或发生异常放电的危险，能够对照最下层的膜的位置来容易地修正形成的膜的位置，具有良好的叠合精度。有源矩阵基板的层间绝缘膜(14)是以使用具有感光性的SOG材料，并具有用于对基板(10)和层间绝缘膜(14)的上侧形成的栅极绝缘膜(15)、第一半导体膜(16)、第二半导体膜(17)和源极金属的图案进行调整的调整孔(14b)的方式形成的。从调整孔(14b)观察栅极布线(11)的边缘部来调整各膜的位置。
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公开(公告)号：CN109417099A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201680087069.X
申请日：2016-04-25
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供特性差异小的薄膜晶体管、显示装置以及薄膜晶体管制造方法。薄膜晶体管具备栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、蚀刻阻挡层以及源电极和漏电极。栅电极形成在基板上。栅极绝缘膜形成为覆盖栅电极。半导体层形成在栅极绝缘膜的上侧，半导体层含有多晶硅层，多晶硅层在俯视图中位于由栅电极界定的区域的内侧。蚀刻阻挡层位于多晶硅层的上侧。源电极和漏电极彼此隔着间隔地设置在半导体层上。多晶硅层具有不被蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域，源电极的一部分存在于第一区域的上方，漏电极的一部分存在于第二区域的上方。
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公开(公告)号：CN108028201A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201580083197.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , G02F2202/104 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02678 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/786 , H01L29/78609 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供通过调整多晶硅的结晶性从而适当地对特性进行了调整的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。TFT的沟道层中所含的硅层14包含非晶部141、第1多晶部142和结晶性更低的第2多晶部143。通过经过掩模2将激光照射于硅层14，该掩模2包含将激光(能量束)遮蔽的遮蔽部21、使激光透过的第1透过部22和激光的透过率更低的第2遮蔽部22，从而形成第1多晶部142和第2多晶部143。通过存在第2多晶部143，与多晶的部分的结晶性为一种的TFT相比，更为适当地调整迁移率等TFT的特性。另外，通过调整掩模2的构成，从而能够简便地调整TFT的特性。
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公开(公告)号：CN105900001B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201480072505.7
申请日：2014-01-08
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/1262 , G02F1/1333 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F1/1337 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133354 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0274 , H01L21/311 , H01L21/31127 , H01L22/20 , H01L27/124 , H01L27/1248
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板的制造方法、有源矩阵基板和包括该有源矩阵基板的显示装置，该有源矩阵基板及其方法能够在层间绝缘膜设置调整孔，而没有基板表面被削到或发生异常放电的危险，能够对照最下层的膜的位置来容易地修正形成的膜的位置，具有良好的叠合精度。有源矩阵基板的层间绝缘膜(14)是以使用具有感光性的SOG材料，并具有用于对基板(10)和层间绝缘膜(14)的上侧形成的栅极绝缘膜(15)、第一半导体膜(16)、第二半导体膜(17)和源极金属的图案进行调整的调整孔(14b)的方式形成的。从调整孔(14b)观察栅极布线(11)的边缘部来调整各膜的位置。
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