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公开(公告)号：CN101316026B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810099971.0
申请日：2008-05-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1-100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。
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公开(公告)号：CN100477423C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610153153.5
申请日：2006-12-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S2301/176
Abstract: 在衬底上形成的氮化物半导体分层部分上，以此顺序形成绝缘膜和p侧电极。此外，在p侧电极之上、将发生解理的位置周围形成端部电极保护层。
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公开(公告)号：CN1979984A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610153153.5
申请日：2006-12-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S2301/176
Abstract: 在衬底上形成的氮化物半导体分层部分上，以此顺序形成绝缘膜和p侧电极。此外，在p侧电极之上、将发生解理的位置周围形成端部电极保护层。
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公开(公告)号：CN101316026A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810099971.0
申请日：2008-05-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1－100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。
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