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公开(公告)号：CN100477423C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610153153.5
申请日：2006-12-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S2301/176
Abstract: 在衬底上形成的氮化物半导体分层部分上，以此顺序形成绝缘膜和p侧电极。此外，在p侧电极之上、将发生解理的位置周围形成端部电极保护层。
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公开(公告)号：CN101222117B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710162148.5
申请日：2007-12-21
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L31/0203 , H01L31/143 , H01L31/18 , H01S5/0021 , H01S5/02212 , H01S5/02224 , H01S5/0425 , H01S5/0683 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提出了一种半导体发光器件及其制造方法。根据本发明，一种氮化物半导体器件包括引线柱。将热沉设置在引线柱上。至少一个氮化物半导体发光元件与热沉相连。将用于检测来自半导体发光元件的光的光检测元件设置在引线柱上。用于按照密封方式在其中封装热沉、半导体发光元件和光检测元件的帽状物与引线柱相连。帽状物中的间隔具有封装气体氛围。封装气体氛围包含用于抑制在半导体发光元件中包含的氢原子扩散的成分。本发明抑制了由于操作电压增加导致的缺陷以增加良品率，从而提高了半导体发光器件的制造生产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100454694C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610108428.3
申请日：2006-08-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，在所述半导体发光器件中，盖在放电下被压焊在底座的顶表面上，以形成封装。该封装包封热沉、氮化物半导体激光元件、电极插脚和导线，并在其内部密封有包含氧的气体作为密封气氛。至少盖的内表面镀有可以吸藏氢的金属Ni和Pd。
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公开(公告)号：CN101794814A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010109010.0
申请日：2010-02-01
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 高谷邦启
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786
Abstract: 本发明提供第III-V族化合物半导体器件，所述第III-V族化合物半导体器件包括：基板；沟道层，所述沟道层被安置在所述基板的上方；阻挡层，所述阻挡层被安置在所述沟道层上以形成异质界面；多个电极，所述多个电极被安置在所述阻挡层上；绝缘体层，所述绝缘体层被安置成覆盖所述阻挡层的除所述电极的至少部分区域以外的整个上表面；和层叠在所述绝缘体层上的氢吸收层或其中氢吸收层与所述绝缘体层构成整体的整体层。
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公开(公告)号：CN101222117A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710162148.5
申请日：2007-12-21
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L31/0203 , H01L31/143 , H01L31/18 , H01S5/0021 , H01S5/02212 , H01S5/02224 , H01S5/0425 , H01S5/0683 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提出了一种半导体发光器件及其制造方法。根据本发明，一种氮化物半导体器件包括引线柱。将热沉设置在引线柱上。至少一个氮化物半导体发光元件与热沉相连。将用于检测来自半导体发光元件的光的光检测元件设置在引线柱上。用于按照密封方式在其中封装热沉、半导体发光元件和光检测元件的帽状物与引线柱相连。帽状物中的间隔具有封装气体氛围。封装气体氛围包含用于抑制在半导体发光元件中包含的氢原子扩散的成分。本发明抑制了由于操作电压增加导致的缺陷以增加良品率，从而提高了半导体发光器件的制造生产率。
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公开(公告)号：CN1979984A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610153153.5
申请日：2006-12-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S2301/176
Abstract: 在衬底上形成的氮化物半导体分层部分上，以此顺序形成绝缘膜和p侧电极。此外，在p侧电极之上、将发生解理的位置周围形成端部电极保护层。
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公开(公告)号：CN1909311A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610108428.3
申请日：2006-08-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，在所述半导体发光器件中，盖在放电下被压焊在底座的顶表面上，以形成封装。该封装包封热沉、氮化物半导体激光元件、电极插脚和导线，并在其内部密封有包含氧的气体作为密封气氛。至少盖的内表面镀有可以吸藏氢的金属Ni和Pd。
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