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公开(公告)号：CN106887489A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611167309.5
申请日：2016-12-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明提供一种提高了光取出效率的包含AlxGayN(0＜x≤1，0≤y＜1)的半导体发光元件。半导体发光元件具备：在第一主面上具备第一电极的第一导电型半导体；第二导电型半导体；和第一导电型半导体的第二主面与第二导电型半导体的第一主面之间的活性层。在第二导电型半导体的第二主面的与第一电极相对的区域的至少一部分配置有多个凸部，在区域以外的区域的至少一部分配置有第二电极。包含电介质的多个凸部从第二导电型半导体的第二主面向与活性层相反的一侧突出，相邻的凸部之间的间隔比从活性层发出的光在凸部的介质中的波长宽。
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公开(公告)号：CN106887489B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201611167309.5
申请日：2016-12-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明提供一种提高了光取出效率的包含AlxGayN(0＜x≤1，0≤y＜1)的半导体发光元件。半导体发光元件具备：在第一主面上具备第一电极的第一导电型半导体；第二导电型半导体；和第一导电型半导体的第二主面与第二导电型半导体的第一主面之间的活性层。在第二导电型半导体的第二主面的与第一电极相对的区域的至少一部分配置有多个凸部，在区域以外的区域的至少一部分配置有第二电极。包含电介质的多个凸部从第二导电型半导体的第二主面向与活性层相反的一侧突出，相邻的凸部之间的间隔比从活性层发出的光在凸部的介质中的波长宽。
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公开(公告)号：CN101316026A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810099971.0
申请日：2008-05-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1－100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。
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公开(公告)号：CN107863426A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710851492.9
申请日：2017-09-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化铝系半导体深紫外发光元件，包括导电性支承基板、空孔率为10％以上50％以下且具有导电性的大孔结构的多孔质金属膜、及包括发光层的氮化铝系半导体层结构体，导电性支承基板与氮化铝系半导体层结构体夹着多孔质金属膜以电连接的方式接合，发光峰值波长为220nm以上300nm以下。由此，能够提供发光效率较高且成品率得到改善的纵型结构的氮化铝系半导体深紫外发光元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1983751A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610163101.6
申请日：2006-11-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/227
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体激光元件及其制造方法。所述半导体激光元件包括：基板；设置在该基板表面的氮化物半导体层，该氮化物半导体层包括产生激光的有源层和防止有源层的恶化的防蒸镀层；形成在该氮化物半导体中以作为光限定区域的条形波导；由解理该氮化物半导体层而形成的镜面；和形成在该镜面的至少在该条形波导的一侧的沟槽，该沟槽形成为在该氮化物半导体层的表面具有开口的雕刻区域，该沟槽具有位于该防蒸镀层的附近的底表面。形成在镜面上的表面变形通过设置在该表面变形起始位置附近的该沟槽重置，从而防止了表面变形在发射激光的条形波导中形成。这使得高产率制造氮化物半导体激光元件成为可能。
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公开(公告)号：CN107863426B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201710851492.9
申请日：2017-09-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化铝系半导体深紫外发光元件，包括导电性支承基板、空孔率为10％以上50％以下且具有导电性的大孔结构的多孔质金属膜、及包括发光层的氮化铝系半导体层结构体，导电性支承基板与氮化铝系半导体层结构体夹着多孔质金属膜以电连接的方式接合，发光峰值波长为220nm以上300nm以下。由此，能够提供发光效率较高且成品率得到改善的纵型结构的氮化铝系半导体深紫外发光元件。
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公开(公告)号：CN101316026B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810099971.0
申请日：2008-05-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1-100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。
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公开(公告)号：CN1983751B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610163101.6
申请日：2006-11-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/227
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体激光元件及其制造方法。所述半导体激光元件包括：基板；设置在该基板表面的氮化物半导体层，该氮化物半导体层包括产生激光的有源层和防止有源层的恶化的防蒸镀层；形成在该氮化物半导体中以作为光限定区域的条形波导；由解理该氮化物半导体层而形成的镜面；和形成在该镜面的至少在该条形波导的一侧的沟槽，该沟槽形成为在该氮化物半导体层的表面具有开口的雕刻区域，该沟槽具有位于该防蒸镀层的附近的底表面。形成在镜面上的表面变形通过设置在该表面变形起始位置附近的该沟槽重置，从而防止了表面变形在发射激光的条形波导中形成。这使得高产率制造氮化物半导体激光元件成为可能。
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公开(公告)号：CN1816952A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018816.1
申请日：2004-06-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L24/45 , H01L33/62 , H01L2224/05114 , H01L2224/05117 , H01L2224/05124 , H01L2224/05138 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/0517 , H01L2224/05171 , H01L2224/05172 , H01L2224/05178 , H01L2224/05179 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05605 , H01L2224/05609 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05617 , H01L2224/05618 , H01L2224/0562 , H01L2224/05624 , H01L2224/05638 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/12041 , H01S5/02212 , H01S5/02476 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01L2224/48091 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01021 , H01L2924/01057 , H01L2924/01039 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01062 , H01L2924/01063 , H01L2924/01065 , H01L2924/01052 , H01L2224/43 , H01L2924/01006
Abstract: 公开了一种具有出色可靠性和长寿命的氮化物半导体发光器件及制造这样的氮化物半导体发光器件的方法。氮化物半导体发光芯片安装在次底座(103)上，该芯片中，氮化物半导体层和第一电极(211)形成在导电衬底的前面上，第二电极(212)形成在导电衬底的背面上。安装有氮化物半导体发光芯片的次底座(103)安装在管座(105)上，由此形成氮化物半导体发光器件。
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