-
公开(公告)号：CN108474994A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680070705.8
申请日：2016-12-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 威尔南·卡尔·彼得 , 爱德华·安德鲁·伯尔德曼 , 斯米顿·蒂姆·米迦勒 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
CPC classification number: H01S3/109 , H01S3/0405 , H01S3/08009 , H01S3/0941 , H01S3/137 , H01S5/0071 , H01S5/0092 , H01S5/022 , H01S5/02438 , H01S5/02453 , H01S5/141
Abstract: 一种激光装置包括发射具有第一峰值波长的源光束的光源。非线性光学部件用于执行将所述源光束转换成具有第二峰值波长的输出光束的频率转换过程。稳定部件用于最小化构成所述第一峰值波长与所述非线性光学部件中的频率转换过程具有最大值的波长之间的差值的失配误差。所述稳定部件可以包括在所述光源和所述非线性光学部件之间的导热的壳体，以最小化所述光源和所述非线性光学部件之间的温差。所述激光装置可以包括聚焦光学部件，所述聚焦光学部件将所述源光束聚焦为具有大于输出最大输出功率的会聚半角的会聚半角，由此增加了失配误差的可接受范围。
-
公开(公告)号：CN102403427A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110273975.8
申请日：2011-09-15
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 , 马修·泽维尔·先尼 , 陈伟新 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0095 , H01S5/0425 , H01S5/2086 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体发光器件包括设置在衬底上的半导体层结构。层结构包括置于第一层和第二层之间的有源区。一个或更多个空腔存在于层结构中，每个空腔与穿透位错相对应，并从层结构的上表面至少延伸穿过第二层和有源区。去除穿透位错所在处的材料提供了对穿透位错用作非辐射中心的趋势的有效抑制，由此改善了器件的光输出效率。该器件可以通过在一个或更多个穿透位错的部位处选择性蚀刻层结构以在所述部位或每个部位处形成引导空腔的第一步骤来制造。应用第二蚀刻步骤，以增加每个引导空腔的深度。
-
公开(公告)号：CN111435782A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN202010023097.3
申请日：2020-01-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 亚力克斯 , 约丁 , 谷本佳美 , 谷善彦 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
Abstract: 本发明提供发光元件(半导体激光元件1)，其具有依次层叠基板(21)、半导体层(22～27)、绝缘层(28)以及金属层(29)的层叠结构，具备多个放射激光的发光部(11)，多个发光部(11)具有脊(脊形波导路12)，至少一个发光部(11)中的从活性区域(24)的特定的位置至金属层(29)的内表面为止的距离与其他发光部(11)不同。
-
公开(公告)号：CN103219441A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310022552.8
申请日：2013-01-22
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 陈伟新 , 迈克尔·约翰·布洛克林 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
CPC classification number: H01L33/54 , H01L2933/005
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管(LED)，所述发光二极管包括：由第一材料形成的主衬底(1)；在所述主衬底上形成的n型层(2a)；在所述n型层上形成的有源区(3)；以及在所述有源区上形成的p型层(2b)。与所述主衬底相邻地形成层(6)，并且所述层(6)包括第二材料，所述第二材料不同于所述第一材料，或者具有与所述第一材料的折射率不同的折射率。另外，将所述第二材料形成为具有向外渐窄的侧壁轮廓。
-
公开(公告)号：CN108139537A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680059082.4
申请日：2016-10-13
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 香川利雄 , 安藤正尊 , 彼得·约翰·罗伯茨 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
CPC classification number: G02B6/29388 , G02B6/12007 , G02B6/125 , G02B6/29332 , G02B6/4215 , G02B26/101 , H04N1/00267 , H04N9/3135 , H04N9/3164 , H04N9/3182
Abstract: 一种将波长不同的多个光进行合波的光合波器(10)，其具有包括入射第一波长的光的第一波导(101)、入射与第一波长的光相比短波长的第二波长的光的第二波导(102)、入射与第二波长的光相比短波长的第三波长的光的第三波导(103)、在第一波导(101)与第二波导(102)之间传输光的第一合波部(110)、以及在第一波导(101)与第三波导(103)之间传输光的第二合波部(120)，第二波长的光由第一合波部(110)被传输至第一波导(101)，第三波长的光由第二合波部(120)被传输至第一波导(101)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102610719A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210012118.7
申请日：2012-01-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L33/0066
Abstract: 本发明提供了一种层压基板体系，所述层压基板体系含有变质过渡区(2)，所述变质过渡区(2)由多个交替的AlxGa1-xN(5)和支撑基板材料(4)(或者与支撑基板具有相同的一般化学组成的材料)层制成。在层压基板体系之上形成具有低位错密度的III-氮化物半导体器件(2)。变质过渡区的多个层(4，5)形成超晶格结构，该超晶格结构的晶格常数和结构沿其生长方向从支撑基板(1)的(在支撑基板附近的)晶格常数和结构变化为器件(3)的(器件附近的)晶格常数和结构。
-
公开(公告)号：CN111435782B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010023097.3
申请日：2020-01-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 亚力克斯约丁 , 谷本佳美 , 谷善彦 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
Abstract: 本发明提供发光元件(半导体激光元件1)，其具有依次层叠基板(21)、半导体层(22～27)、绝缘层(28)以及金属层(29)的层叠结构，具备多个放射激光的发光部(11)，多个发光部(11)具有脊(脊形波导路12)，至少一个发光部(11)中的从活性区域(24)的特定的位置至金属层(29)的内表面为止的距离与其他发光部(11)不同。
-
公开(公告)号：CN109428264A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810962554.8
申请日：2018-08-22
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 亚力克斯 , 约丁 , 谷善彦 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特 , 伊藤茂稔
Abstract: 一种III族氮化物基激光发光装置包括：n侧III族氮化物基半导体区域；p侧III族氮化物基半导体区域；以及位于所述p侧III族氮化物基半导体区域和所述n侧III族氮化物基半导体区域之间的III族氮化物基有源区。所述III族氮化物基有源区包括第一量子阱层和第二量子阱层，以及位于第一量子阱层和第二量子阱层之间的势垒层，第一量子阱层和第二量子阱层各自的组分包括各自不同的铟含量。所述第一量子阱比所述第二量子阱更靠近n侧III族氮化物基半导体区域，所述第二量子阱比所述第一量子阱更靠近p侧III族氮化物基半导体区域，并且第一量子阱具有比第二量子阱更大的带隙。
-
公开(公告)号：CN115720455A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210951436.3
申请日：2022-08-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 彼得·尼尔·泰勒 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特 , H·霍普金
IPC: H10K50/805 , H10K50/11 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及图案化的发光装置，本发明的发光结构包括：基板；子像素叠层，其在所述基板之上被图案化；绝缘材料，其被图案化以围绕所述发射叠层；以及堤，其被图案化以围绕所述子像素叠层和所述绝缘材料。所述子像素叠层包括在第一电极层与第二电极层之间的发射叠层。
-
公开(公告)号：CN108474994B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201680070705.8
申请日：2016-12-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 威尔南·卡尔·彼得 , 爱德华·安德鲁·伯尔德曼 , 斯米顿·蒂姆·米迦勒 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
Abstract: 一种激光装置包括发射具有第一峰值波长的源光束的光源。非线性光学部件用于执行将所述源光束转换成具有第二峰值波长的输出光束的频率转换过程。稳定部件用于最小化构成所述第一峰值波长与所述非线性光学部件中的频率转换过程具有最大值的波长之间的差值的失配误差。所述稳定部件可以包括在所述光源和所述非线性光学部件之间的导热的壳体，以最小化所述光源和所述非线性光学部件之间的温差。所述激光装置可以包括聚焦光学部件，所述聚焦光学部件将所述源光束聚焦为具有大于输出最大输出功率的会聚半角的会聚半角，由此增加了失配误差的可接受范围。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.017 seconds)
