公开(公告)号：CN101694847A

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200910207679.0

申请日：2003-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  糸贺隆志

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅基板、SOI基板、半导体装置、显示装置、以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置在绝缘基板上具有，包含由SiO2膜、多晶硅构成的非单晶硅薄膜的MOS型的非单晶硅薄膜晶体管，具有单晶硅薄膜的MOS型的单晶硅薄膜晶体管，金属配线。由此，形成非单晶硅薄膜和单晶硅薄膜设备，提供集成高性能系统的半导体装置以及其制造方法，以及形成该半导体装置的单晶硅薄膜设备的单晶硅基板。

公开(公告)号：CN100573824C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN03159798.X

申请日：2003-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  糸贺隆志

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅基板、SOI基板、半导体装置、显示装置、以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置在绝缘基板上具有，包含由SiO2膜、多晶硅构成的非单晶硅薄膜的MOS型的非单晶硅薄膜晶体管，具有单晶硅薄膜的MOS型的单晶硅薄膜晶体管，金属配线。由此，形成非单晶硅薄膜和单晶硅薄膜设备，提供集成高性能系统的半导体装置以及其制造方法，以及形成该半导体装置的单晶硅薄膜设备的单晶硅基板。

公开(公告)号：CN1492481A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03159798.X

申请日：2003-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  糸贺隆志

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅基板、SOI基板、半导体装置、显示装置、以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置在绝缘基板上具有，包含由SiO2膜、多晶硅构成的非单晶硅薄膜的MOS型的非单晶硅薄膜晶体管，具有单晶硅薄膜的MOS型的单晶硅薄膜晶体管，金属配线。由此，形成非单晶硅薄膜和单晶硅薄膜设备，提供集成高性能系统的半导体装置以及其制造方法，以及形成该半导体装置的单晶硅薄膜设备的单晶硅基板。