公开(公告)号：CN104823269B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201380059256.3

申请日：2013-11-12

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

摘要： 目的在于提供制造具有更高的吸杂能力并且外延层表面的雾度级别降低的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对半导体晶片10照射簇离子16，在半导体晶片的表面10A形成由簇离子16的构成元素构成的改性层18；第二工序，在该第一工序之后，以使半导体晶片表面10A的雾度级别成为0.20ppm以下的方式对半导体晶片10进行结晶性恢复用的热处理；以及第三工序，在该第二工序之后，在半导体晶片的改性层18上形成外延层20。

公开(公告)号：CN104781918A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380059268.6

申请日：2013-11-11

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B23/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C14/48 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36

摘要： 提供了能够通过发挥更高的吸杂能力来抑制金属污染的半导体外延晶片及其制造方法、以及使用该半导体外延晶片来制造固体摄像元件的方法。本发明的半导体外延晶片100的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对包括碳和氮的至少一个的半导体晶片10照射簇离子16，在该半导体晶片10的表面10A形成簇离子16的构成元素固溶而成的改性层18；以及第二工序，在其中，在半导体晶片10的改性层18上形成第一外延层20。

公开(公告)号：CN1954409B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200580015364.6

申请日：2005-05-18

申请人： 库克有限公司

发明人： 索伦·安德雷森 ,  安德鲁·史蒂文·朱瑞克 ,  埃里克·古扎 ,  肖恩·赫恩 ,  托比·费利克斯·霍夫 ,  大卫·诺曼·贾米森 ,  姆拉登·米提克 ,  史蒂文·普瑞弗 ,  常义·杨

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/785

摘要： 本发明涉及普通类型的半导体器件，其包括一定计数数目掺杂质原子(142)，这些掺杂质原子被注入到近本征半导体的基板(158)的区域中。所述基板(158)的一个或多个掺杂表面区域(152)被涂覆金属以形成电极(150)，一定计数数目的掺杂质离子(142)被注入到所述本征半导体的区域中。

公开(公告)号：CN1954409A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015364.6

申请日：2005-05-18

申请人： 库克有限公司

发明人： 索伦·安德雷森 ,  安德鲁·史蒂文·朱瑞克 ,  埃里克·古扎 ,  肖恩·赫恩 ,  托比·费利克斯·霍夫 ,  大卫·诺曼·贾米森 ,  姆拉登·米提克 ,  史蒂文·普瑞弗 ,  常义·杨

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/785

摘要： 本发明涉及普通类型的半导体器件，其包括一定计数数目掺杂质原子(142)，这些掺杂质原子被注入到近本征半导体的基板(158)的区域中。所述基板(158)的一个或多个掺杂表面区域(152)被涂覆金属以形成电极(150)，一定计数数目的掺杂质离子(142)被注入到所述本征半导体的区域中。

公开(公告)号：CN1309035C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410062473.0

申请日：2004-07-08

申请人： 国际商业机器公司

发明人： D·奇丹巴尔拉奥 ,  O·H·多库马奇

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/6656

摘要： 本发明提供一种减少SiGe衬底上应变Si中N+扩散的方法。在SiGe衬底的上表面中形成第一源和漏区。第一源和漏区含有N型杂质。为减少第一源和漏区中含有的N型杂质的扩散，降低第一源和漏区中的空位浓度。通过第一源和漏区中的填隙元素或空位俘获元素降低空位浓度。通过离子注入提供填隙元素或空位俘获元素。

公开(公告)号：CN1679153A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03820085.6

申请日：2003-06-06

申请人： 山米奎普公司

发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  达勒·C·雅各布森 ,  韦德·A·克鲁尔

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/425 ,  H01L21/823842

摘要： 本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N－型及P－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As4Hx+簇与B10Hx或B10Hx+簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。

公开(公告)号：CN1667808A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200410098141.8

申请日：2004-10-18

申请人： IMEC公司 ,  康宁克里克菲利浦电子股份有限公司

发明人： T·斯拉姆 ,  J·C·胡克尔 ,  M·J·H·凡达尔

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/665

摘要： 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有一个在衬底的一个表面之内和/或之上形成有至少一个连接区的硅区域的半导体结构。该方法包括由第一非硅化物化的金属形成金属聚集层，接下来淀积一个由第二硅化物化的金属组成的金属层。随后的热处理用于由第二金属形成金属硅化物，第一金属的原子在与衬底表面基本上垂直的方向上被置换。根据本发明，第一金属的原子由于柯肯特尔效应被取代而位于金属硅化物的下面。例如，如果制造一个MOST，这有利于源漏极区位置和栅极区的位置。

公开(公告)号：CN105489547B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201510645162.5

申请日：2015-10-08

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： E·T·瑞安

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26566

摘要： 提供用于界定半导体结构的隔离区域的方法。举例而言，本方法包括：提供具有凹口于其中的半导体结构；在该半导体结构中的该凹口内保形布置绝缘体层以部分填充该凹口；修改该绝缘体层的至少一种材料特性以在该凹口内获得致密化绝缘体层，其中，与该绝缘体层的厚度相比，该修改缩减该致密化绝缘体层的厚度；以及在该致密化绝缘体层上方于该凹口内沉积至少一个附加绝缘体层，其中，该凹口内的该致密化绝缘体层至少部分界定该半导体结构的隔离区域。

公开(公告)号：CN103534791A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023592.8

申请日：2012-03-19

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14698 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L29/36

摘要： 本发明提供一种更加有效率地制造能通过发挥更高的吸杂能力来抑制金属污染的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片（100）的制造方法，包括：第一工序，对半导体晶片（10）照射离子团（16），在该半导体晶片的表面（10A）形成由离子团（16）的构成元素构成的改性层（18）；以及第二工序，在半导体晶片（10）的改性层（18）上形成外延层（20）。

公开(公告)号：CN100437943C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410098141.8

申请日：2004-10-18

申请人： IMEC公司 ,  康宁克里克菲利浦电子股份有限公司

发明人： T·斯拉姆 ,  J·C·胡克尔 ,  M·J·H·凡达尔

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/665

摘要： 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有一个在衬底的一个表面之内和/或之上形成有至少一个连接区的硅区域的半导体结构。该方法包括由第一非硅化物化的金属形成金属聚集层，接下来淀积一个由第二硅化物化的金属组成的金属层。随后的热处理用于由第二金属形成金属硅化物，第一金属的原子在与衬底表面基本上垂直的方向上被置换。根据本发明，第一金属的原子由于柯肯特尔效应被取代而位于金属硅化物的下面。例如，如果制造一个MOST，这有利于源漏极区位置和栅极区的位置。