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公开(公告)号：CN115207207B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211113640.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 深圳市柯雷科技开发有限公司 , 大连理工大学
IPC: H10N35/01 , H10N35/85 , H10N39/00 , H01L29/20 , H01L29/205 , G01L9/16 , G01L9/04 , G01L9/00 , G01L1/22 , G01L1/12
Abstract: 氮化物和磁致伸缩材料复合结构压力传感器制作方法，属于半导体传感器领域。技术方案：S1、衬底准备；S2、外延生长；S3、台面隔离；S4、栅极刻蚀；S5、源、漏极欧姆接触制作；S6、介质层沉积；S7、制备栅电极；S8、钝化层沉积与开启电极窗口。有益效果：本发明所述的基于复合氮化物和磁致伸缩材料结构的高灵敏度压力传感器制作方法能制作出压力灵敏度高，体积小、集成度高、量程大、响应速度快的高灵敏度压力传感器，继而还可以制作传感器阵列，实现二维或者三维压力传感，未来有望应用于医疗血压、石化、工业电子称重、江河水位监测等领域。
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公开(公告)号：CN115207207A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202211113640.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 深圳市柯雷科技开发有限公司 , 大连理工大学
IPC: H01L41/47 , H01L41/20 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L27/20 , G01L9/16 , G01L9/04 , G01L9/00 , G01L1/22 , G01L1/12
Abstract: 氮化物和磁致伸缩材料复合结构压力传感器制作方法，属于半导体传感器领域。技术方案：S1、衬底准备；S2、外延生长；S3、台面隔离；S4、栅极刻蚀；S5、源、漏极欧姆接触制作；S6、介质层沉积；S7、制备栅电极；S8、钝化层沉积与开启电极窗口。有益效果：本发明所述的基于复合氮化物和磁致伸缩材料结构的高灵敏度压力传感器制作方法能制作出压力灵敏度高，体积小、集成度高、量程大、响应速度快的高灵敏度压力传感器，继而还可以制作传感器阵列，实现二维或者三维压力传感，未来有望应用于医疗血压、石化、工业电子称重、江河水位监测等领域。
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公开(公告)号：CN117990239A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311797099.8
申请日：2023-12-26
Applicant: 大连理工大学 , 沈阳仪表科学研究院有限公司
IPC: G01L1/14 , A61B5/02 , A61B5/00 , C08G75/045
Abstract: 一种具备监测各种生理特征功能的离子凝胶压力传感器件及其制备方法，属于压力传感器领域，所述制备方法包括如下步骤：步骤1.将二乙烯苯与四(3‑巯基丙酸)季戊四醇酯(PETMP)在室温下加入到甲醇和四氢呋喃中混合成溶液；步骤2.在溶液中加入一定量的聚离子液体与安息香二甲醚；步骤3.采用紫外光照的方法对凝胶溶液进行处理；步骤4.将模具里凝固好的凝胶脱模；步骤5.将不规整的凝胶边框裁剪整齐；步骤6.将离子凝胶进行封装。该压力传感器件在不同压力下表现出良好的灵敏度与相应时间，并且该元件可以很好地用于脉搏，吞咽等动作的检测。
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公开(公告)号：CN119420166A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411315040.5
申请日：2024-09-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于神经网络的模块化多电平铁路功率调节器主动热控制策略，属于调节器以及控制技术领域，模块化多电平变换器具有有功、无功灵活调节，在高压直流输电领域得到了广泛应用。在三相系统中，利用环流的控制自由度可以实现电容电压波动及损耗最优。而针对铁路牵引的单相系统，环流的特性具有很大不同。本发明针对模块化多电平铁路功率调节器运行具有间歇工作制的特点，频繁启停导致结温波动带来的可靠性问题，提出了一种结合神经网络的二倍频环流注入的主动热控制策略，分析了改善前后器件的可靠性；本发明有效延缓器件老化，从而延长功率器件使用寿命；减少散热器或其他冷却装置的体积和重量，降低总体成本，便于散热系统的设计。
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公开(公告)号：CN115128133B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210600355.9
申请日：2022-05-30
Applicant: 大连理工大学 , 沈阳仪表科学研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种可视化湿敏元件及其制备方法，属于湿度传感器领域。所述制备方法包括如下步骤：步骤一：利用混合溶剂，配置酚酞和不同碱源的混合溶液；步骤二：将含有巯基的笼状单体以及含有烯键的单体作为骨架材料，加入溶剂和步骤一中配置好的均一溶液；步骤三：在光催化剂的作用下，步骤二中得到的均一溶液，通过紫外光的照射进行光聚合反应；步骤四：通过步骤三的聚合反应得到的凝胶状固体至于真空烘箱中进行溶剂的挥发；步骤五：对步骤四中得到的无溶剂固体进行研磨，即得到具有湿度指示功能的聚电解质湿敏材料。该湿敏材料兼具光学和电学双模信号输出，可以适用于不同要求的应用场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117761126A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311804631.4
申请日：2023-12-25
Applicant: 润新微电子(大连)有限公司 , 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓气体传感器及其制备方法、应用，制备方法包括：对衬底进行镀膜形成非晶氮化镓薄膜，得到含有非晶氮化镓薄膜的衬底；对含有非晶氮化镓薄膜的衬底进行热退火，使非晶氮化镓薄膜转变为多晶氮化镓薄膜，得到含有多晶氮化镓薄膜的衬底；对含有多晶氮化镓薄膜的衬底进行湿法腐蚀，在非晶氮化镓薄膜的表面形成多孔结构，得到具有多孔结构的衬底；对具有多孔结构的衬底涂覆光刻胶后进行图案化光刻，得到具有叉指电极图形的衬底；目标图形为叉指电极图形；在具有目标图形的衬底上生长电极后，去除剩余光刻胶得到氮化镓气体传感器。本发明的氮化镓气体传感器符合用于检测或监测氨气的高灵敏度、低检测限和高敏选择性需求。
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公开(公告)号：CN116828973A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211557296.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 基于HEMT结构的镓系半导体忆阻器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。在衬底上依次生长缓冲层、GaN层、AlGaN层，AlGaN层上方设有下电极，AlGaN层上方还设有器件区域或者器件区域阵列，器件区域或者器件区域阵列中，由上至下依次设置上电极、缓冲层和功能层，上电极位于AlGaN层上方，缓冲层和功能层设置于AlGaN层中。有益效果：本发明将忆阻器件与HEMT结构融合，利用二维电子气进行导电；可以对器件的侧壁进行保护，对刻蚀工艺的要求较低，四种实现方法可对中间功能层以及缓冲层进行调整，器件制备灵活性较高，缓冲层提供了氧空位以及和电极的欧姆接触，大大增加了器件的可调控性；本结构为未来忆阻器神经网络与功率器件、开关器件的集成提供了一种前瞻性方案。
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公开(公告)号：CN119602619A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411694785.7
申请日：2024-11-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: H02M7/493 , G06F1/02 , H03B19/14 , H02M7/5387 , H02M7/483
Abstract: 一种大功率多电平数字波形发生器及其多级协同控制方法，属于电力电子波形发生器技术领域，拓扑结构采用低压模块级联实现高压输出；发生器系统由多个功率单元串联组成，每个功率单元包含一个隔离型DC‑DC变换器和一个H桥模块，并将输出级联而形成多电平DC‑AC变换器经滤波器滤除高频谐波后，生成放大的指令信号供负载使用。本发明通过动态协同调节前级DC‑DC变换器的输出电压和后级DC‑AC变换器的调制度来满足宽幅值范围高保真输出的需求，将多电平技术应用于大功率数字波形发生器中，通过模块级联的方式大幅提高系统的等效开关频率，解决了传统两电平数字波形发生器输出保真度受到器件开关性能限制的问题。
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公开(公告)号：CN118961674A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411020100.0
申请日：2024-07-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于银纳米颗粒‑二氧化钛薄膜复合结构的超大尺寸表面增强拉曼芯片制备方法，涉及纳米科学技术领域；包括：加工晶圆级衬底；采用溶胶‑凝胶法制备二氧化钛溶胶溶液；利用提拉技术或旋涂法，通过控制提拉速率或旋涂转速，在晶圆级衬底上获得厚度可控、均一的二氧化钛薄膜，继而进行热退火处理；利用紫外光管阵列垂直照射浸渍于硝酸银溶液中的晶圆级二氧化钛薄膜衬底，通过控制光照时长，在二氧化钛薄膜衬底表面可控沉积银纳米颗粒，从而实现超大尺寸(米级)银纳米颗粒‑二氧化钛薄膜复合结构基SERS芯片制备。本方法解决了现有技术中难以实现超大尺寸、成本低廉、灵敏度高的SERS芯片可控制备的技术挑战。
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公开(公告)号：CN118382345A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410490606.1
申请日：2024-04-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H10N30/098 , H10N30/857 , H10N30/00 , H01L21/02 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于1T’相二维半导体界面的聚合物铁电超薄膜外延生长方法，包括：制备1T’相二维半导体薄膜，或制备1T’相二维半导体块状单晶；将铁电聚合物粉末均匀溶解于有机溶剂中，获得的溶液静置后，利用旋涂法或LB技术，均匀覆盖于1T’相二维半导体薄膜或1T’相二维半导体块状单晶表面，通过控制旋涂机转速或LB拉膜次数得到厚度可控的非晶聚合物铁电超薄膜；将覆盖有非晶聚合物铁电超薄膜的1T’相二维半导体进行热退火处理，从而实现单晶聚合物铁电超薄膜在1T’相二维半导体表面外延生长，同时得到1T’相二维半导体与单晶聚合物铁电薄膜异质结构筑。本方法解决了现有技术中无法实现大面积、高质量聚合物铁电超薄膜可控制备的技术问题。
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