公开(公告)号：CN114837908B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202210479341.6

申请日：2022-05-05

申请人： 大连理工大学

发明人： 杨楠楠 ,  张家良 ,  王尚民 ,  温小琼 ,  牟宗信

IPC分类号： F03H1/00 ,  H03K17/567

摘要： 本发明属于微小卫星电推进技术领域，具体为一种微型电推进器半导体火花塞的点火电路。本发明的点火电路采用电容直接输出设计，无输出变压器，能有效提高点火能量效率。实施例的实验结果显示，相同工况下，本发明的点火电路比变压器点火电路的点火能量效率增加数倍。输出网络的简化使得点火电路体积减小，重量减轻。采用双闭环控制系统和PID控制器，提高了电源的稳态电压精度和电压响应速率，使输出电压更加精密，提升了负载调整能力；采用输出电压上升速率控制设计，可优化火花塞点火电路能量效率。

公开(公告)号：CN116754789A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310686912.8

申请日：2023-06-12

申请人： 大连理工大学

发明人： 桑宇航 ,  张家良 ,  杨楠楠 ,  袁凤宝 ,  王尚民

IPC分类号： G01P5/20

摘要： 本发明属于电推力器等离子体羽流诊断技术领域，涉及一种用于电推力器脉冲羽流速度测量的多模式TOF探针系统，是针对脉冲等离子体推力器产生的脉冲羽流的一种诊断技术。该TOF探针系统可以实现几种不同工作模式，能够对脉冲等离子体羽流的不同成分进行速度测量。探针回路电流信号采用间接测量技术实现，可以避免直接测量电流技术中的静电悬浮、隔离问题。

公开(公告)号：CN104853513B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510253935.5

申请日：2015-05-19

申请人： 大连理工大学

发明人： 牟宗信 ,  杨富翔 ,  张家良 ,  刘升光 ,  丁洪斌 ,  孙继忠

IPC分类号： H05H1/24

摘要： 一种实现大面积均匀介质阻挡放电的装置和方法，属于新材料合成、表面工程和高电压放电领域。其特征涉及实现大面积均匀介质阻挡放电的装置和相应方法，涉及电极的放电间隙气流流速、专用于产生介质阻挡放电的放电间距，和产生介质阻挡放电的谐振电源谐振频率或脉冲电源的脉冲频率的参数。实现大面积均匀介质阻挡放电的过程中气流的流速、放电间隙的距离以及谐振电源的频率之间的关系符合优化关系，相应的放电装置上安装与上述技术条件相匹配的部件。本发明的效果经济性好，通用性强，操作简单，容易实现大面积均匀介质阻挡放电。克服了现有介质阻挡放电实现大规模均匀性的效率低，设备昂贵，操作复杂等缺点。

公开(公告)号：CN101476110A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910010112.4

申请日：2009-01-13

申请人： 大连理工大学

发明人： 任春生 ,  张家良 ,  王德真 ,  王友年

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明属等离子体薄膜沉积技术领域，涉及会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置。其特征在于，装置主体为一非平衡磁控；在非平衡磁控溅射靶与样品台之间加入ICP增强电离放电，使磁控溅射产物电离度得到有效提高；在非平衡磁控溅射靶下方分别加入三圈环状永久磁铁，与非平衡磁控溅射磁场闭合，沿放电室壁产生一闭合磁场分布，有效约束放电等离子体，进一步提高磁控溅射产物电离度，改善放电等离子体空间分布的均匀性；本发明的效果在于，在大大提高了非平衡磁控溅射放电等离子体密度与空间分布均匀性的基础上，利用该装置可以制备出高质量薄膜。

公开(公告)号：CN1170000C

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN01116734.3

申请日：2001-04-20

申请人： 大连理工大学

发明人： 徐军 ,  马腾才 ,  邓新绿 ,  张家良 ,  陆文祺 ,  董闯

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明属于材料表面改性技术领域，特别涉及到磁控溅射沉积技术。该技术通过两个相对放置的ECR放电腔磁场线圈产生的磁场和平衡磁控靶磁场在沉积室叠加形成会切场磁场位型，该磁场位型有效地约束ECR放电和平衡磁控靶放电产生的等离子体，在薄膜生长表面形成高密度的离子、激活基团，通过控制基片位置、溅射偏压、沉积偏压等工艺参数，可调节各种反应基团的到达比及能量，从而得到符合化学配比的高纯度化合物薄膜。

公开(公告)号：CN104863811B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201510183831.1

申请日：2015-04-15

申请人： 大连理工大学

发明人： 夏广庆 ,  张家良 ,  吴志刚 ,  郝剑昆

IPC分类号： F03H1/00

摘要： 本发明实施例提供一种负粒子推力器。本发明推力器，包括：圆形基板、正电极、负电极、电磁线圈、引出栅和加速栅；所述正电极一端固定于所述基板上的凹槽内，另一端与所述引出栅连接，所述加速栅位于所述引出栅的另一侧，所述引出栅用于引出正离子和负粒子，所述加速栅极用于加速所述正离子和所述负粒子，所述负电极固定于所述基板圆心处的凹槽内，所述正电极、负电极用于电离工质气体，在所述正电极与所述负电极之间的圆环上设置有气孔，所述气孔用于引入工质气体；所述正电极、负电极外部环绕有电磁线圈，所述电磁线圈用于产生磁场约束电子。本发明实施例满足了空间飞行器对大推力动力系统的需求。

公开(公告)号：CN106756861A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611115661.4

申请日：2016-12-07

申请人： 大连理工大学

发明人： 牟宗信 ,  张家良

IPC分类号： C23C14/50

CPC分类号： C23C14/223 ,  C23C14/50

摘要： 本发明公开一种摇摆回旋分散器装置和方法，该装置至少包括有样品容器、激振器和柔性平台，激振器摇摆偏心锤，激振器通过弹性支架连接样品容器，控制激振器的摇摆频率在1Hz～10kHz之间和功率在5W以上，使得激振器能够把偏心锤的摆动能量施加到样品容器上，从而使样品容器内的粉体翻滚和回旋流动。通过调整偏心锤的频率和幅值，控制柔性平台连接样品容器中的粉体流动状态，能够避免粉体的剧烈振动，特别适合于需要颗粒粉体均匀分布翻滚的领域，比如在滚珠和颗粒粉体上真空离子镀均匀涂层，或者进行颗粒粉体表面喷涂处理，和在筛选和分离粒径差异的粉体等应用和领域。

公开(公告)号：CN1338530A

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN01116734.3

申请日：2001-04-20

申请人： 大连理工大学

发明人： 徐军 ,  马腾才 ,  邓新绿 ,  张家良 ,  陆文祺 ,  董闯

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明属于材料表面改性技术领域,特别涉及到磁控溅射沉积技术。该技术通过两个相对放置的ECR放电腔磁场线圈产生的磁场和平衡磁控靶磁场在沉积室叠加形成会切场磁场位型,该磁场位型有效地约束ECR放电和平衡磁控靶放电产生的等离子体,在薄膜生长表面形成高密度的离子、激活基团,通过控制基片位置、溅射偏压、沉积偏压等工艺参数,可调节各种反应基团的到达比及能量,从而得到符合化学配比的高纯度化合物薄膜。

公开(公告)号：CN1184346C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN99101568.1

申请日：1999-01-23

申请人： 大连理工大学

发明人： 邓新绿 ,  马腾才 ,  王德真 ,  王延平 ,  杨福宝 ,  陆文琪 ,  张家良 ,  阎海洋

IPC分类号： C23C8/36

摘要： 材料表面改性领域中用计算机控制的等离子体源离子渗氮工艺及设备，工艺包括：工件准备、装炉抽真空、充氮气、注渗和停机出炉工艺步骤；特征：通过计算机[14]自动调控正负脉冲对的频率，占空比和幅值实现温度控制，使之按设定的渗氮温度典线变化；渗氮剂量由计算机监测和计算。设备包括：主真空室、供电、供气和抽气系统，还包括与主真空室相连的微波源系统[29]和与计算机相连的自动监控系统；主真空室[21]外侧由小块永久磁铁[20]构成会切磁场，两侧设有带石英窗[17]的电子回旋共振反应室[18]，它的外侧设有电磁线圈[19]，微波束通过石英窗进入反应室，与磁场共同作用使氮气产生高密度等离子体。优点：简化设备，降低能耗40%，过程完全自动化，工艺稳定安全，不打火不起弧，重复性好。

公开(公告)号：CN1262341A

公开(公告)日：2000-08-09

申请号：CN99101568.1

申请日：1999-01-23

申请人： 大连理工大学

发明人： 邓新绿 ,  马腾才 ,  王德真 ,  王延平 ,  杨福宝 ,  陆文琪 ,  张家良 ,  阎海洋

IPC分类号： C23C8/36

摘要： 材料表面改性领域中,用计算机控制的等离子体源离子渗氮工艺及设备,包括升温、保温、降温及离子注渗工艺过程和供电系统、供气系统、抽真空系统与主真空室所构成的设备,特征是采用自加热式加热工件,通过计算机自动控制正负脉冲对的重复频率、各自的占空比与幅值来实现对工件温度的控制,使之按设定的渗氮温度曲线变化,优点:简化设备,降低能耗40%,过程完全自动化,工艺稳定,不打火,不起弧,不引起工件退火,安全可靠,重复性好。