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公开(公告)号：CN105133767A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510449675.9
申请日：2015-07-27
申请人： 天津市金万方钢结构有限公司 , 贵州大学 , 河北工业大学 , 天津大学
IPC分类号： E04B5/36
摘要： 本发明涉及一种正六边形蜂窝网格状钢空腹楼盖盒式结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：在工厂车间下料焊接加工构件a、构件b和构件c；将构件a、构件b和构件c运输至施工现场，利用构件a、构件b和构件c组装成为楼盖单元A、楼盖单元B和楼盖单元C，将楼盖单元A、楼盖单元B和楼盖单元C采用高强度螺栓连接构成正六边形蜂窝状平面钢网格并用支撑墙架将其搁置楼层标高位置；在上述步骤中已支撑的正六边形蜂窝状平面钢网格上安装钢筋混凝土三向网格正六边形预制板；在正六边形蜂窝状平面钢网格上打销钉并扎钢筋后以正六边形预制板为模板在其上浇筑混凝土并养护。本发明提出一套正六边形蜂窝网格状钢空腹楼盖盒式结构的装配整体式施工制造方法，钢构件全部在工厂下料制作，方便运输施工。
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公开(公告)号：CN105113688A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510448004.0
申请日：2015-07-27
申请人： 天津市金万方钢结构有限公司 , 贵州大学 , 河北工业大学 , 天津大学
IPC分类号： E04B5/38
摘要： 本发明涉及一种正六边形与菱形纵向交错式蜂窝网格型楼盖结构，包括钢空腹梁，其特征在于：钢空腹梁交接形成由若干正六边形网格和若干菱形网格组成的蜂窝型平面钢网格，每四个所述正六边形网格包裹一个所述菱形网格，所述蜂窝型平面钢网格为矩形平面网格板，蜂窝型平面钢网格长边为Lx宽边为Ly，所述菱形网格的长对角线与所述长边Lx平行；所述平面钢网格上搁置并焊接有与正六边形预制板和菱形预制板，所述正六边形预制板和菱形预制板是具有肋状三角形网格的钢筋混凝土预制板，所述正六边形预制板和菱形预制板上浇制有混凝土层。本发明可以丰富各类多层大跨度公共建筑室内网格造型，形成“安全、合理、先进、经济”的新型结构体系。
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公开(公告)号：CN105040879A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510448003.6
申请日：2015-07-27
申请人： 天津市金万方钢结构有限公司 , 贵州大学 , 河北工业大学 , 天津大学
IPC分类号： E04B5/29
摘要： 本发明涉及一种正六边形蜂窝网格楼盖结构，包括钢空腹梁，其特征在于：所述钢空腹梁交接形成由若干正六边形网格组成的蜂窝型平面钢网格；所述平面钢网格上搁置并焊接有与正六边形网格和菱形网格形状相匹配的正六边形预制板，所述正六边形预制板是具有肋状三角形网格的钢筋混凝土预制板，所述正六边形预制板上浇制有混凝土层。本发明可以丰富各类多层大跨度公共建筑室内网格造型，形成“安全、合理、先进、经济”的新型结构体系。
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公开(公告)号：CN105040877A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510449673.X
申请日：2015-07-27
申请人： 天津市金万方钢结构有限公司 , 贵州大学 , 河北工业大学 , 天津大学
IPC分类号： E04B5/17
摘要： 本发明涉及一种正六边形与菱形横向交错式蜂窝网格型楼盖结构，包括钢空腹梁，其特征在于：钢空腹梁交接形成由若干正六边形网格和若干菱形网格组成的蜂窝型平面钢网格，每四个所述正六边形网格包裹一个所述菱形网格，所述蜂窝型平面钢网格为矩形平面网格板，蜂窝型平面钢网格长边为Lx宽边为Ly，所述菱形网格的长对角线与所述宽边Ly方向平行；所述平面钢网格上搁置并焊接有与正六边形预制板和菱形预制板，所述正六边形预制板和菱形预制板是具有肋状三角形网格的钢筋混凝土预制板，所述正六边形预制板和菱形预制板上浇制有混凝土层。本发明可以丰富各类多层大跨度公共建筑室内网格造型，形成“安全、合理、先进、经济”的新型结构体系。
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公开(公告)号：CN109950131A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910154894.2
申请日：2019-02-28
申请人： 天津大学
摘要： 一种以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法，所述可控生长方法是在非极性晶面SiC衬底的任意角度的非极性晶面上外延生长单层石墨烯，由此利用所述非极性晶面对石墨烯的电输运性质进行调控；通过所述可控生长方法能够在所述非极性晶面SiC衬底的其中一非极性晶面上得到弹道输运性质的单层石墨烯。
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公开(公告)号：CN113380604A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110597788.9
申请日：2021-05-31
申请人： 天津大学
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种具有原子级台阶形貌的4H‑SiC材料及其刻蚀方法，在4H‑SiC材料的(0001)晶面上，利用特殊设计的石墨坩埚，采用两步氢刻蚀方法进行刻蚀，从而对4H‑SiC(0001)晶面形貌进行调控，能够在该晶面上得到大面积覆盖且均匀分布的原子级台阶形貌。本发明能够解决刻蚀有效区域难以提升、刻蚀区域内形貌分布无序的问题，实现刻蚀有效区域的最大化与均匀分布；经处理后的SiC表面无划痕且具有覆盖样品表面70‑80％分布均匀的原子级台阶形貌，能够用以制备性能优异的SiC功率器件及高频射频器件，也可作为制备具有均匀可控形貌的外延生长材料的优良衬底。
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公开(公告)号：CN112522669A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011376622.6
申请日：2020-11-30
申请人： 天津大学
摘要： 本发明提供了一种晶圆级单层硼烯的制备方法及该晶圆级单层硼烯，包括以下步骤：S1、在绝缘衬底层上设置第一金属层；S2、采用电子束蒸发法在第一金属层中引入硼原子，沉积得到硼源层；S3、在硼源层的表面设置可与第一金属层互熔的第二金属层；S4、采用退火工艺将第一金属层与第二金属层熔合形成合金层，并使得硼原子从合金层中被析出至合金层的上表面和合金层与绝缘衬底层的界面，得到形成在合金层上表面的硼薄膜，以及在合金层与绝缘衬底层界面的硼烯层；S5、去除合金层和硼薄膜，得到晶圆级单层硼烯。相比于现有技术，本制备方法可以在绝缘衬底上直接制备出晶圆级均匀单层硼烯，且制备效率高，生产成本低。
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公开(公告)号：CN113380606B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110625943.3
申请日：2021-06-04
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明属于半导体器件的制造或处理技术领域，公开了一种半导体石墨烯及其制备方法和场效应管，在碳化硅衬底的Si面直接生长有半导体石墨烯作为缓冲层，半导体石墨烯为单层且均匀生长，晶畴宽度为50‑200μm，长度在毫米量级；制备方法为将两片6H型和/或4H型碳化硅晶片经机械化学抛光，超声清洗并吹干；其中一片涂敷光刻胶；两片碳化硅晶片放入石墨坩埚中采用“面对面”形式叠合摆放；先在真空环境中加热后在氩气气氛下分两次升温加热；所得半导体石墨烯做为沟道材料可制备场效应管。本发明可直接在绝缘性衬底生长单层半导体性石墨烯，晶畴面积大，利用该半导体性石墨烯制备的场效应管开关比达到104，满足实际应用的需求。
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公开(公告)号：CN109950131B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910154894.2
申请日：2019-02-28
申请人： 天津大学
摘要： 一种以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法，所述可控生长方法是在非极性晶面SiC衬底的任意角度的非极性晶面上外延生长单层石墨烯，由此利用所述非极性晶面对石墨烯的电输运性质进行调控；通过所述可控生长方法能够在所述非极性晶面SiC衬底的其中一非极性晶面上得到弹道输运性质的单层石墨烯。
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公开(公告)号：CN113380606A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110625943.3
申请日：2021-06-04
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明属于半导体器件的制造或处理技术领域，公开了一种半导体石墨烯及其制备方法和场效应管，在碳化硅衬底的Si面直接生长有半导体石墨烯作为缓冲层，半导体石墨烯为单层且均匀生长，晶畴宽度为50‑200μm，长度在毫米量级；制备方法为将两片6H型和/或4H型碳化硅晶片经机械化学抛光，超声清洗并吹干；其中一片涂敷光刻胶；两片碳化硅晶片放入石墨坩埚中采用“面对面”形式叠合摆放；先在真空环境中加热后在氩气气氛下分两次升温加热；所得半导体石墨烯做为沟道材料可制备场效应管。本发明可直接在绝缘性衬底生长单层半导体性石墨烯，晶畴面积大，利用该半导体性石墨烯制备的场效应管开关比达到104，满足实际应用的需求。
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