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公开(公告)号：CN115882959B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211508039.5
申请日：2022-11-29
申请人： 天津大学
IPC分类号： H04B10/61 , G06F18/214 , G06N3/06 , G06N3/08 , G06N3/0464
摘要： 本发明涉及一种基于机器学习的非线性补偿方法，包括以下步骤：对接收端获取信号进行线性均衡、根据线性均衡后信号计算三维体、构建神经网络数据集、训练神经网络模型、将发射端信号输入神经网络模型、得到补偿后信号；本发明基于神经网络实现光通信系统中传输非线性及器件非线性补偿，通过传输信号得到包含有信道非线性信息的三维体数据，以三维体为神经网络输入数据，通过神经网络模型回归任务的高度拟合性训练神经网络，建立标准符号Y＝损伤符号X*非线性变换W的回归关系，将训练输出结果与发射机符号相减得到非线性干扰项。本发明在低DSP复杂度的前提下，完成了光通信系统中的非线性补偿，使得系统的误码率会明显降低，系统性能得到明显提升。
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公开(公告)号：CN117448969A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311446570.9
申请日：2023-11-02
申请人： 天津大学
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种超大单晶畴半导体石墨烯及其制备方法，该半导体石墨烯为单层且均匀生长，半导体石墨烯的晶畴宽度可达500微米，长度为亚厘米量级，室温迁移率至少达到4500cm2/(V·s)；其可以采用碳膜辅助法大幅度增加平台面积，能够实现同时在两片SiC衬底上制备超大单晶畴半导体石墨烯；也可以在不利用碳膜辅助的情况下将两片SiC衬底特定排布实现超大单晶畴半导体石墨烯的制备；还可以利用改造坩埚在一片SiC衬底上制备出超大单晶畴半导体石墨烯。可见，本发明能够实现在绝缘衬底上直接生长单层单晶半导体石墨烯，其具有超大晶畴和超高室温高迁移率，可作为电子学器件的关键材料使用。
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公开(公告)号：CN115882959A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211508039.5
申请日：2022-11-29
申请人： 天津大学
IPC分类号： H04B10/61 , G06F18/214 , G06N3/06 , G06N3/08 , G06N3/0464
摘要： 本发明涉及一种基于机器学习的非线性补偿方法，包括以下步骤：对接收端获取信号进行线性均衡、根据线性均衡后信号计算三维体、构建神经网络数据集、训练神经网络模型、将发射端信号输入神经网络模型、得到补偿后信号；本发明基于神经网络实现光通信系统中传输非线性及器件非线性补偿，通过传输信号得到包含有信道非线性信息的三维体数据，以三维体为神经网络输入数据，通过神经网络模型回归任务的高度拟合性训练神经网络，建立标准符号Y＝损伤符号X*非线性变换W的回归关系，将训练输出结果与发射机符号相减得到非线性干扰项。本发明在低DSP复杂度的前提下，完成了光通信系统中的非线性补偿，使得系统的误码率会明显降低，系统性能得到明显提升。
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公开(公告)号：CN113052212A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110272284.X
申请日：2021-03-12
申请人： 天津大学
摘要： 本发明公开了一种基于人工智能的部件感知弱监督物体定位系统及方法，包括依序连接的特征提取模块(100)、目标部件特征感知模块(200)以及自适应目标融合模块(300；其中：所述特征提取模块(100)，用于输入图像的特征提取，输出的特征图F；所述目标部件特征感知模块(200)，用于对所接收的所述特征提取模块输出的特征图F进行分类结果的预测；所述自适应目标融合模块(300)，用于所述分类结果的自适应融合，找到覆盖响应区域的最大邻接矩形即为最终定位结果。与现有技术相比，本发明能够在智能化工业系统、人脸识别、游戏的人机交互以及自动驾驶等应用中实现对输入图像进行自动识别及定位的功能。
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公开(公告)号：CN109950131A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910154894.2
申请日：2019-02-28
申请人： 天津大学
摘要： 一种以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法，所述可控生长方法是在非极性晶面SiC衬底的任意角度的非极性晶面上外延生长单层石墨烯，由此利用所述非极性晶面对石墨烯的电输运性质进行调控；通过所述可控生长方法能够在所述非极性晶面SiC衬底的其中一非极性晶面上得到弹道输运性质的单层石墨烯。
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公开(公告)号：CN106017682A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610309088.4
申请日：2016-05-10
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01J3/42
CPC分类号： G01J3/42 , G01J2003/425
摘要： 本发明属于光谱测量仪器领域，为提供一种结构简单，体积小，又满足高分辨率要求的光谱仪器。本发明采用的技术方案是，四分之一波片消偏振光谱仪,双端口光纤阵列，离轴抛物面镜，平面衍射光栅，消色差四分之一波片组成；待测光信号从光纤阵列的上端口入射，被离轴抛物面镜准直后反射到平面衍射光栅上，平面衍射光栅的衍射光中与消色差四分之一波片垂直的衍射光会被其后表面反射原路返回到平面衍射光栅上，第二次的衍射光经过离轴抛物面镜后聚焦到双端口光纤阵列的下端口，然后进入接收光纤被探测器探测到；通过旋转消色差四分之一波片，不同衍射角的光在不同时刻分别被探测到，形成光谱扫描。本发明主要应用于光谱测量仪器的设计制造。
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公开(公告)号：CN116260133A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310080911.9
申请日：2023-01-28
申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 天津大学 , 国网河南省电力公司 , 国家电网有限公司
发明人： 郭志民 , 郭祥富 , 彭磊 , 刘昊 , 智海燕 , 毛万登 , 田杨阳 , 袁少光 , 刘善峰 , 杨挺 , 赵健 , 李哲 , 马建伟 , 王磊 , 刘亚闯 , 张铮 , 张小斐 , 张建宾
IPC分类号： H02J3/00 , H04L41/0654 , H04L41/14 , H04L67/12 , G06Q10/047 , G06Q50/06 , H02H3/06 , H02J13/00
摘要： 一种配电物联网复合故障恢复方法、系统、终端及存储介质。方法包括：将配电物联网络的通信信息子系统和电力物理子系统进行解耦，实时检测配电物联网的状态，判断是否发生故障，若发生故障，则输入配电物联网的故障状态；当发生故障并已完成故障状态输入后，根据业务流正常传输条件建立源节点、中继节点以及宿节点的业务流模型；当业务流模型建立完成后，利用Dijkstra算法求解恢复关键信息节点的最短路径，从而最快地恢复关键信息节点的正常运行；根据复合故障带来的多目标问题，建立多目标优化模型与约束条件，对故障的信息链路进行修复，加速解决配电物联网复合故障问题。
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公开(公告)号：CN115729878A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211507138.1
申请日：2022-11-29
申请人： 天津大学
摘要： 本发明提供一种基于FPGA的光计算通信与控制模块，属于光计算技术领域。本发明通过采用包括FPGA芯片、AD/DA模块、输出输入接口模块、时钟模块、内存模块的开发板，使得该模块能够进行四通道的AD/DA信号处理，并具有丰富的接口，以支持高速信息处理与传递，进而为光计算模块与神经网络提供理想的通信平台，提供光计算模块实时高速的权重更新的能力。
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公开(公告)号：CN115629591A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211227198.8
申请日：2022-10-09
申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 天津大学 , 国网河南省电力公司 , 国家电网有限公司
发明人： 郭志民 , 王磊 , 郭祥富 , 杨挺 , 毛万登 , 袁少光 , 刘昊 , 田杨阳 , 刘善峰 , 李哲 , 贺翔 , 赵健 , 陈岑 , 刘亚闯 , 马建伟 , 魏小钊 , 黄清江 , 牛荣泽 , 孙芊 , 耿俊成 , 万迪明
IPC分类号： G05B23/02
摘要： 本发明提出基于长短期记忆强化学习的PD‑IoT故障检测定位方法及系统。首先，通过对配电物联网收集的大量数据进行分类处理融合，筛选出对故障检测有关的数据。然后，利用长期短期记忆‑强化学习对相关数据进行训练并得到相关故障检测模型，通过不断收集故障数据并根据反馈更新故障检测模型，提高模型的准确度和运行效率。之后，根据配电物联网的拓扑以及运行模型对检测结果以及供电通信恢复方法进行仿真验证。最后，根据仿真验证结果，在线输出故障预警检测与定位结果以及相关恢复方案和建议。
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公开(公告)号：CN113380606B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110625943.3
申请日：2021-06-04
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明属于半导体器件的制造或处理技术领域，公开了一种半导体石墨烯及其制备方法和场效应管，在碳化硅衬底的Si面直接生长有半导体石墨烯作为缓冲层，半导体石墨烯为单层且均匀生长，晶畴宽度为50‑200μm，长度在毫米量级；制备方法为将两片6H型和/或4H型碳化硅晶片经机械化学抛光，超声清洗并吹干；其中一片涂敷光刻胶；两片碳化硅晶片放入石墨坩埚中采用“面对面”形式叠合摆放；先在真空环境中加热后在氩气气氛下分两次升温加热；所得半导体石墨烯做为沟道材料可制备场效应管。本发明可直接在绝缘性衬底生长单层半导体性石墨烯，晶畴面积大，利用该半导体性石墨烯制备的场效应管开关比达到104，满足实际应用的需求。
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