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公开(公告)号：CN108470115A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810481335.8
申请日：2015-03-24
CPC分类号： H01L31/02245 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0475 , H01L31/0512 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了太阳能电池的箔基金属化的方法以及所得太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括基板。多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域设置在基板中或基板上方。在所述多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方设置有导电触点结构。该导电触点结构包括多个金属晶种材料区域，使得所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域中的每个区域上均设置有金属晶种材料区域。在所述多个金属晶种材料区域上设置有金属箔，该金属箔具有阳极化部分，所述阳极化部分隔离所述金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的金属区域。
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公开(公告)号：CN106471627A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580007964.1
申请日：2015-03-24
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/05 , H01L31/0745
CPC分类号： H01L31/02245 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0475 , H01L31/0512 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了太阳能电池的箔基金属化的方法以及所得太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括基板。多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域设置在基板中或基板上方。在所述多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方设置有导电触点结构。该导电触点结构包括多个金属晶种材料区域，使得所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域中的每个区域上均设置有金属晶种材料区域。在所述多个金属晶种材料区域上设置有金属箔，该金属箔具有阳极化部分，所述阳极化部分隔离所述金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的金属区域。
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公开(公告)号：CN106471627B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201580007964.1
申请日：2015-03-24
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/05 , H01L31/0745 , H01L31/0475 , H01L31/028
CPC分类号： H01L31/02245 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0475 , H01L31/0512 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了太阳能电池的箔基金属化的方法以及所得太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括基板。多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域设置在基板中或基板上方。在所述多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方设置有导电触点结构。该导电触点结构包括多个金属晶种材料区域，使得所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域中的每个区域上均设置有金属晶种材料区域。在所述多个金属晶种材料区域上设置有金属箔，该金属箔具有阳极化部分，所述阳极化部分隔离所述金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的金属区域。
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公开(公告)号：CN108470115B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201810481335.8
申请日：2015-03-24
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/05 , H01L31/068 , H01L31/18 , G06Q10/101 , G06Q10/10
摘要： 本发明描述了太阳能电池的箔基金属化的方法以及所得太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括基板。多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域设置在基板中或基板上方。在所述多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方设置有导电触点结构。该导电触点结构包括多个金属晶种材料区域，使得所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域中的每个区域上均设置有金属晶种材料区域。在所述多个金属晶种材料区域上设置有金属箔，该金属箔具有阳极化部分，所述阳极化部分隔离所述金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的金属区域。
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公开(公告)号：CN106887474A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610809576.1
申请日：2012-02-15
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了形成背接触太阳能电池的发射极的方法。在一个实施例中，一个方法包括在基板上方形成第一固态掺杂剂源。所述第一固态掺杂剂源包括通过间隙分开的多个区域。通过印刷而在所述基板上方形成第二固态掺杂剂源的区域。
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公开(公告)号：CN106463550A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580028858.1
申请日：2015-05-21
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0256 , H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/065 , H01L31/0288 , H01L31/03682 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1868 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可包括基板，所述基板具有面向太阳以在正常操作期间接收太阳辐射的正面和与所述正面相背对的背面。所述太阳能电池还可包括形成在所述基板的所述背面上方的多晶硅层。P型扩散区和N型扩散区可形成在所述多晶硅层中以提供对接的PN结。所述P型扩散区可具有第一掺杂物浓度水平并且所述N型扩散区可具有第二掺杂物浓度水平，以使得所述第一掺杂物浓度水平小于所述第二掺杂物浓度水平。
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公开(公告)号：CN104011881B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280063686.8
申请日：2012-12-19
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种用于制造高效率太阳能电池的方法。所述方法包括在硅基板的背面上设置薄介质层和掺杂多晶硅层。随后，可在所述硅基板的所述背面和正面上形成高质量氧化物层和宽带隙掺杂半导体层两者。然后可执行金属化工艺以穿过接触开口将金属指状物镀覆在所述掺杂多晶硅层上。所述镀覆的金属指状物可形成第一金属格栅线。可通过将金属直接镀覆在所述硅基板的所述背面上的发射体区来形成第二金属格栅线，从而消除了用于所述第二金属格栅线的接触开口的需要。在这些优点中，所述用于制造太阳能电池的方法为制造高效率太阳能电池提供了减少的热工艺、减少的蚀刻步骤、提高的效率和简化的工序。
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公开(公告)号：CN105308755A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480033177.X
申请日：2014-09-22
申请人： 太阳能公司
发明人： 大卫·D·史密斯
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一种薄外延硅太阳能电池包括在背面上的一个或多个掺杂氧化物层。用作防潮层的氮化硅层形成在所述一个或多个掺杂氧化物层上(207)。所述掺杂氧化物提供用于在外延硅层中形成掺杂区的掺杂剂。金属触点通过所述氮化硅层以及所述一个或多个掺杂氧化物层电耦接至所述掺杂区(208,209)。
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公开(公告)号：CN108987499B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201811093497.0
申请日：2015-05-21
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0288 , H01L31/0368 , H01L31/065 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可包括基板，所述基板具有面向太阳以在正常操作期间接收太阳辐射的正面和与所述正面相背对的背面。所述太阳能电池还可包括形成在所述基板的所述背面上方的多晶硅层。P型扩散区和N型扩散区可形成在所述多晶硅层中以提供对接的PN结。所述P型扩散区可具有第一掺杂物浓度水平并且所述N型扩散区可具有第二掺杂物浓度水平，以使得所述第一掺杂物浓度水平小于所述第二掺杂物浓度水平。
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公开(公告)号：CN105830229B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201480069896.7
申请日：2014-12-12
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/044
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L27/1421 , H01L31/022441 , H01L31/0443 , H01L31/0745 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供了种旁路二极管,所述旁路二极管可包括设置在太阳能电池的基板上方的第导电类型的第导电区域以及设置在所述第导电区域上方的第二导电类型的第二导电区域。所述旁路二极管可包括直接设置在所述第导电区域和所述第二导电区域之间的薄介电区域。
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