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公开(公告)号：CN105453353A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480039909.6
申请日：2014-04-28
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/02208 , H01L2924/19107 , H01S5/02216 , H01S5/02236 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02296 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/4018 , H01S5/4025 , H01S5/4031 , H01S5/405
摘要： 激光器件具有壳体（400），在所述壳体中布置有第一载体块（301）。在第一载体块（301）的纵向侧（330）上布置有具有辐射方向（131）的第一激光芯片（101）。第一激光芯片与布置在第一载体块上的第一接触区域（310）和布置在第一载体块（301）上的第二接触区域（320）导电连接。在第一接触区域（310）和壳体（400）的第一接触销（401）之间以及在第二接触区域（320）和壳体的第二接触销（402）之间存在各一个导电连接。激光芯片（101）的线性布置在每个载体块（301、302）上电串联连接。载体块上的预制的模块可以在其在壳体中被固定和接触之前关于其功能进行测试。陶瓷热沉（201、202）可以位于每个激光芯片（101）和载体块（301、302）之间。
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公开(公告)号：CN102934300A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180029449.5
申请日：2011-04-06
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC分类号： H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及一种用于发出相干电磁辐射（10）、具有垂直远场特征（121）的激光光源，具有用于产生相干电磁辐射的半导体层组（1），在基底（2）上具有有源区（3），其中在运行中至少从射束输出耦合面（4）的主发射区（5）以射束方向（11）发出相干电磁辐射，通过半导体层组（1）的侧面形成射束输出耦合面（4），并且具有过滤元件（13），其在垂直的远场射束轮廓（121）中抑制在运行中产生、来自射束输出耦合面（4）的、与主发射区（5）垂直偏移的且在空间上分离的副发射区（6）发出的相干电磁辐射（12）。
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公开(公告)号：CN102934300B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201180029449.5
申请日：2011-04-06
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC分类号： H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及一种用于发出相干电磁辐射（10）、具有垂直远场特征（121）的激光光源，具有用于产生相干电磁辐射的半导体层组（1），在基底（2）上具有有源区（3），其中在运行中至少从射束输出耦合面（4）的主发射区（5）以射束方向（11）发出相干电磁辐射，通过半导体层组（1）的侧面形成射束输出耦合面（4），并且具有过滤元件（13），其在垂直的远场射束轮廓（121）中抑制在运行中产生、来自射束输出耦合面（4）的、与主发射区（5）垂直偏移的且在空间上分离的副发射区（6）发出的相干电磁辐射（12）。
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公开(公告)号：CN104201559B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201410409462.9
申请日：2011-04-06
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC分类号： H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及一种激光光源，尤其是用于发出具有垂直远场射束轮廓的相干电磁辐射的激光光源，包含:用于产生相干电磁辐射的半导体层组，在基底上具有有源区，其中在运行中至少从射束输出耦合面的主发射区以射束方向发出相干电磁辐射，通过所述半导体层组的侧面形成射束输出耦合面；过滤元件，其在垂直的远场射束轮廓中抑制在运行中产生、从射束输出耦合面的与所述主发射区垂直偏移的并且在空间上分离的副发射区发出的相干电磁辐射；其中所述半导体层组和所述过滤元件分别布置在散热器上，以及其中所述过滤元件与所述主发射区并且与所述副发射区垂直偏移地从射束输出耦合面延伸开，所述过滤元件特别可以具有平行于射束方向的主延伸面。
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公开(公告)号：CN104201559A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410409462.9
申请日：2011-04-06
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC分类号： H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及一种激光光源，尤其是用于发出具有垂直远场射束轮廓的相干电磁辐射的激光光源，包含:用于产生相干电磁辐射的半导体层组，在基底上具有有源区，其中在运行中至少从射束输出耦合面的主发射区以射束方向发出相干电磁辐射，通过所述半导体层组的侧面形成射束输出耦合面；过滤元件，其在垂直的远场射束轮廓中抑制在运行中产生、从射束输出耦合面的与所述主发射区垂直偏移的并且在空间上分离的副发射区发出的相干电磁辐射；其中所述半导体层组和所述过滤元件分别布置在散热器上，以及其中所述过滤元件与所述主发射区并且与所述副发射区垂直偏移地从射束输出耦合面延伸开，所述过滤元件特别可以具有平行于射束方向的主延伸面。
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