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公开(公告)号：CN102934300B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201180029449.5
申请日：2011-04-06
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC分类号： H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及一种用于发出相干电磁辐射（10）、具有垂直远场特征（121）的激光光源，具有用于产生相干电磁辐射的半导体层组（1），在基底（2）上具有有源区（3），其中在运行中至少从射束输出耦合面（4）的主发射区（5）以射束方向（11）发出相干电磁辐射，通过半导体层组（1）的侧面形成射束输出耦合面（4），并且具有过滤元件（13），其在垂直的远场射束轮廓（121）中抑制在运行中产生、来自射束输出耦合面（4）的、与主发射区（5）垂直偏移的且在空间上分离的副发射区（6）发出的相干电磁辐射（12）。
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公开(公告)号：CN104782005A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380050658.7
申请日：2013-09-03
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/2031 , H01S5/2009 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/3215 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031
摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体激光器的方法和具有层结构的半导体激光器（1），所述层结构具有带有至少如下的层顺序的相叠加布置的层：a. n掺杂的覆盖层（10），b. 第三波导层（11），c. 有源区（6），在所述有源区中布置产生光的结构，d. 第二波导层（13），e. 阻挡层（14），f. 第一波导层（15），g. p掺杂的覆盖层（16），其中第一、第二和第三波导层（15，13，11）至少具有AlxInyGa（1-x-y）N，其中x能够为0和1之间的值，其中y能够为0和1之间的值，其中x和y的和能够为0和1之间的值，其中阻挡层（14）具有比相邻的第一波导层（15）的Al含量大至少2%的Al含量，其中阻挡层（14）具有从第一波导层（15）沿朝第二波导层（13）的方向上的Al含量的增加，其中层结构具有两侧的阶梯部（9），其中两侧的阶梯部（9）布置在阻挡层（14）的高度上，使得阻挡层（14）的至少一部分或者整个阻挡层（14）具有比第一波导层（15）更大的宽度。此外，本发明涉及一种用于制造半导体激光器的方法。
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公开(公告)号：CN102934300A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180029449.5
申请日：2011-04-06
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC分类号： H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及一种用于发出相干电磁辐射（10）、具有垂直远场特征（121）的激光光源，具有用于产生相干电磁辐射的半导体层组（1），在基底（2）上具有有源区（3），其中在运行中至少从射束输出耦合面（4）的主发射区（5）以射束方向（11）发出相干电磁辐射，通过半导体层组（1）的侧面形成射束输出耦合面（4），并且具有过滤元件（13），其在垂直的远场射束轮廓（121）中抑制在运行中产生、来自射束输出耦合面（4）的、与主发射区（5）垂直偏移的且在空间上分离的副发射区（6）发出的相干电磁辐射（12）。
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公开(公告)号：CN104782005B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201380050658.7
申请日：2013-09-03
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/2031 , H01S5/2009 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/3215 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031
摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体激光器的方法和具有层结构的半导体激光器（1），所述层结构具有带有至少如下的层顺序的相叠加布置的层：a.n掺杂的覆盖层（10），b.第三波导层（11），c.有源区（6），在所述有源区中布置产生光的结构，d.第二波导层（13），e.阻挡层（14），f.第一波导层（15），g.p掺杂的覆盖层（16），其中第一、第二和第三波导层（15，13，11）至少具有AlxInyGa（1‑x‑y）N，其中x能够为0和1之间的值，其中y能够为0和1之间的值，其中x和y的和能够为0和1之间的值，其中阻挡层（14）具有比相邻的第一波导层（15）的Al含量大至少2%的Al含量，其中阻挡层（14）具有从第一波导层（15）沿朝第二波导层（13）的方向上的Al含量的增加，其中层结构具有两侧的阶梯部（9），其中两侧的阶梯部（9）布置在阻挡层（14）的高度上，使得阻挡层（14）的至少一部分或者整个阻挡层（14）具有比第一波导层（15）更大的宽度。此外，本发明涉及一种用于制造半导体激光器的方法。
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公开(公告)号：CN103620736A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280029480.3
申请日：2012-05-15
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.S.阿夫拉梅斯库 , D.迪尼 , I.皮聪卡
CPC分类号： H01S5/22 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L29/205
摘要： 一种带有衬底（102，132，202）的光电子半导体本体（100）具有张紧层（104，134，160），该张紧层在第一外延步骤中被施加在衬底（102，132，202）上。张紧层（104，134，160）具有至少一个垂直形成在张紧层中的凹部（106，110）。在第二外延步骤中，在张紧层（104，134，160）上施加了另外的层（108，136，168），该另外的层将所述至少一个凹部（106，110）填充并且至少局部地覆盖该张紧层（104，134，160）。
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公开(公告)号：CN107112387B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201580072462.7
申请日：2015-12-29
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： C.艾克勒 , A.S.阿夫拉梅斯库
摘要： 本发明涉及一种光电元件，其具有用于生成电磁辐射的有源区，其中所述有源区具有至少两个量子膜（3、5），其中第一量子膜（3）被布置在第一与第二阻挡层（2、4）之间，其中第二量子膜（5）被布置在第二与最后阻挡层（4、6）之间，其中第一和第二阻挡层的能隙相对于彼此处于与第二和第三阻挡层的能隙的比例不同的比例。
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公开(公告)号：CN107431333A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680016839.1
申请日：2016-03-18
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.莱尔 , H.克尼希 , A.S.阿夫拉梅斯库
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0207 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/3211 , H01S2304/00
摘要： 边缘发射半导体激光器包括半导体结构，所述半导体结构具有层序列，所述层序列包括沿生长方向重叠的层。半导体结构在横向上由第一刻面（400）和第二刻面（500）划定。所述半导体结构具有中部区段（300）和邻近第一刻面的第一边缘区段（410）。所述层序列在第一边缘区段中关于中间区段在生长方向（201）上偏置。半导体结构包含衬底（100）、下部包覆层（210）、下部波导层（220）、有源层（230）、上部波导层（240）和顶部包覆层（250）。在刻面的地带中，存在电气绝缘的中间层（260），所述中间层（260）防止在刻面（400）的边缘区段（410）中通过半导体结构的电流。
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公开(公告)号：CN105789338A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610233077.2
申请日：2012-05-15
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.S.阿夫拉梅斯库 , D.迪尼 , I.皮聪卡
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： H01S5/22 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/18
摘要： 一种带有衬底的光电子半导体本体具有张紧层，该张紧层在第一外延步骤中被施加在衬底上。张紧层具有至少一个垂直形成在张紧层中的凹部。在第二外延步骤中，在张紧层上施加了另外的层，该另外的层将所述至少一个凹部填充并且至少局部地覆盖该张紧层。至少一个凹部包括第一类型的凹部和/或第二类型的凹部，第一类型的凹部具有5μm至100μm的宽度，以及第二类型的凹部具有0.1μm至5μm的宽度。
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公开(公告)号：CN103620736B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280029480.3
申请日：2012-05-15
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.S.阿夫拉梅斯库 , D.迪尼 , I.皮聪卡
CPC分类号： H01S5/22 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L29/205
摘要： 一种带有衬底（102，132，202）的光电子半导体本体（100）具有张紧层（104，134，160），该张紧层在第一外延步骤中被施加在衬底（102，132，202）上。张紧层（104，134，160）具有至少一个垂直形成在张紧层中的凹部（106，110）。在第二外延步骤中，在张紧层（104，134，160）上施加了另外的层（108，136，168），该另外的层将所述至少一个凹部（106，110）填充并且至少局部地覆盖该张紧层（104，134，160）。
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公开(公告)号：CN104025296A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280050977.3
申请日：2012-10-08
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.S.阿夫拉梅斯库 , P.罗德 , M.施特拉斯堡
CPC分类号： H01L33/06 , H01L27/15 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L2224/48463
摘要： 说明了一种带有层堆叠的半导体芯片，该层堆叠具有第一半导体层序列（21a）以及第二半导体层序列（21b）。第一半导体层序列（21a）具有第一导电类型的第一半导体区域（2a）、第二导电类型的第二半导体区域（2b）和布置其间的有源区（1a）。该第二半导体层序列（21b）具有第二导电类型的第二半导体区域（2b）、第一导电类型的第三半导体区域（2c）和布置其间的第二有源区（1b）。此外，还说明了一种用于制造这种半导体类型的方法。
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