一种含多氟萘的液晶化合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN113881442A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202111243638.4

    申请日:2021-10-25

    摘要: 本发明涉及液晶化合物合成技术领域,具体公开一种含多氟萘的液晶化合物及其制备方法。所含多氟萘的液晶化合物的结构如式(I)所示。所述化合物是通过用烷基环己基甲醇与2,3‑二氟苯酚,以及含氟溴萘酚与烷基醇通过光延反应分别得到烷基环己基甲氧基氟苯和含氟溴萘,然后含氟溴萘与1,4‑环己二酮单乙二醇缩酮反应制备萘环己基酮,之后将烷基环己基甲氧基氟苯与萘环己基酮通过亲核加成等反应制备得到。本发明提供了一种新颖、操作简单且安全性较高的含多氟萘的液晶化合物的制备方法,产品纯度可达99.5%以上,且整个制备过程中未使用危险性较高的磺酰氯类化合物和石油醚溶剂,适用于工业化生产,推广价值极高。

    一种烷基硅氧基卤代苯的制备方法

    公开(公告)号:CN114181244A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202111630929.9

    申请日:2021-12-28

    IPC分类号: C07F7/18 C07D233/58

    摘要: 本发明公开了一种烷基硅氧基卤代苯的制备方法,包括如下步骤:向卤代苯酚和N‑烷基咪唑中加入烷基氯硅烷,进行反应,反应结束后,直接分层,即得所述烷基硅氧基卤代苯和N‑烷基咪唑盐酸盐。本发明提供的烷基硅氧基卤代苯通过采用特定的N‑烷基咪唑作为缚酸剂,反应结束后,无需后处理,直接分层即可得到烷基硅氧基卤代苯和N‑烷基咪唑盐酸盐,不仅烷基硅氧基卤代苯的产率和纯度高,而且整个反应及后处理过程不使用有机溶剂,对环境友好,操作简单,成本低,易于工业化生产。

    一种含多氟萘的液晶化合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN113881442B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202111243638.4

    申请日:2021-10-25

    摘要: 本发明涉及液晶化合物合成技术领域,具体公开一种含多氟萘的液晶化合物及其制备方法。所含多氟萘的液晶化合物的结构如式(I)所示。所述化合物是通过用烷基环己基甲醇与2,3‑二氟苯酚,以及含氟溴萘酚与烷基醇通过光延反应分别得到烷基环己基甲氧基氟苯和含氟溴萘,然后含氟溴萘与1,4‑环己二酮单乙二醇缩酮反应制备萘环己基酮,之后将烷基环己基甲氧基氟苯与萘环己基酮通过亲核加成等反应制备得到。本发明提供了一种新颖、操作简单且安全性较高的含多氟萘的液晶化合物的制备方法,产品纯度可达99.5%以上,且整个制备过程中未使用危险性较高的磺酰氯类化合物和石油醚溶剂,适用于工业化生产,推广价值极高。