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公开(公告)号：CN110922356A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911219204.3
申请日：2019-12-03
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C07D215/30
摘要： 本发明公开了一种电子级高纯8-羟基喹啉铝的制备方法，包括以下步骤：a.提供纯度不低于99vol％的有机溶剂A和有机溶剂B；b.将8-羟基喹啉铝粗品溶于有机溶剂A中，搅拌，过滤，收集滤液；c.将滤液加入有机溶剂B中，静置，过滤，收集沉淀；d.将步骤c中收集的沉淀在真空条件下加热干燥，即得。该方法操作简单，生产效率高，试剂原料易得，成本低，产率高，符合在有机电致发光材料中的应用需求，且与传统方法相比，更适合大规模生产，适宜在行业内广泛推广。
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公开(公告)号：CN112592303B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011526905.4
申请日：2020-12-22
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C07C321/30 , C07C319/20 , C07C303/32 , C07C309/04 , C07C309/30 , G03F7/004
摘要： 本发明公开了一种含双鎓盐结构的光致产酸剂，其结构通式如下(I)所示：其中，n＝0或1或2，R1‑R6为H、碳原子数为1～20的烷基、芳基或含硫/氧/氮杂原子的取代基中的一种或多种；M‑阴离子和Q‑阴离子为磺酸阴离子。本发明的含双鎓盐结构的光致产酸剂相对单鎓盐结构的光致产酸剂具有更高的产酸效率，并且可以适用于多种波长的光源。
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公开(公告)号：CN112925167A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110102217.3
申请日：2021-01-26
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/18 , C08F220/32 , C08F220/24 , C08F220/20
摘要： 本发明公开了具有光酸活性的光刻胶树脂及光刻胶，光刻胶树脂包括含氟树脂以及酸活性树脂；酸活性树脂至少包含一个极性侧链及一个非极性侧链；含氟树脂至少包括一个极性侧链、一个非极性侧链及一个含氟侧链；酸活性树脂包含的极性侧链与含氟树脂包含的极性侧链相同；酸活性树脂包含的非极性侧链与所述含氟树脂包含的非极性侧链相同，含氟树脂的非极性侧链具有光酸活性，光刻胶中包含上述光刻胶树脂。上述的光刻胶树脂中含氟树脂的酸活性功能基团与酸活性树脂的酸活性功能基团匹配度较高，以保证在曝光区和非曝光区产生足够的显影液溶解性差异，从而提高光刻胶树脂进行光刻曝光的质量。
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公开(公告)号：CN112778313A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011637637.3
申请日：2020-12-31
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C07D487/04 , G03F7/038 , G03F7/004
摘要： 本发明提供了一种电子级四甲氧甲基甘脲的制备方法，该方法包括如下步骤：将AR级四羟甲基甘脲与电子级甲醇溶剂混合成反应液，并向反应液中加入电子级催化剂；反应液在预设温度下反应预设时长后，冷却至室温，并加入有机碱调节pH至中性；将调节后的反应液进行分离纯化，得到电子级四甲氧甲基甘脲。本发明还提供一种电子级四甲氧甲基甘脲。在反应体系中加入的甲醇溶液以及催化剂均为电子级试剂，减少金属杂质的引入，在反应结束后，采用有机碱代替传统无机碱进行pH的调节，同样大大降低了金属杂质引入。因此，采用本发明中的制备方法制备出的四甲氧甲基甘脲金属残留少，纯度高，可用作负性光刻胶中的交联剂。
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公开(公告)号：CN112764314A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110089856.0
申请日：2021-01-22
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 本发明实施例公开了一种含双酯结构的光致酸产生剂的光刻胶及其制备方法，该光刻胶包括以下原料：0.1‑10重量组分的含双酯结构的光致酸产生剂、10‑30重量组分的成膜树脂、0.1‑5重量组分的酸扩散抑制剂以及55‑89.8重量组分的有机溶剂A。本发明实施例提供的所述的含双酯结构的光致酸产生剂的光刻胶通过添加的含双酯结构的光致酸产生剂使得光刻胶在进行光刻工艺时，光刻胶中的光致酸产生剂可产生有效的可控大体积酸，进而提升光刻胶的分辨率，减小了制作的电路的线宽和粗糙度，提高树脂的黏附性，改善光刻胶的整体性能。
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公开(公告)号：CN112764313A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110089814.7
申请日：2021-01-22
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 本发明实施例提供了一种光刻胶组合物及其制备方法，该光刻胶组合物包括以下原料：0.1‑10重量组分的光致酸产生剂、10‑30重量组分的成膜树脂、0.1‑5重量组分的酸扩散抑制剂以及55‑89.8重量组分的有机溶剂A；其中所述光致酸产生剂为含双酯结构的光致酸产生剂，所述酸扩散抑制剂为含有羟基功能单元和碱性功能单元的酸扩散抑制剂。本发明实施例提供的光刻胶组合物在采用含双酯结构的光致酸产生剂的条件下，通过添加含有羟基功能单元和碱性功能单元的酸扩散抑制剂，进一步改善了光刻胶的线宽粗糙度，提高了光刻胶的分辨率，增强了光刻胶的成膜能力。
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公开(公告)号：CN114262404A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010971058.6
申请日：2020-09-16
申请人： 宁波南大光电材料有限公司 , 江苏南大光电材料股份有限公司
IPC分类号： C08F220/18 , C08F220/38 , C08F220/20 , G03F7/004
摘要： 本发明公开了一种光敏树脂及应用该光敏树脂的光刻胶组合物。该光敏树脂包括树脂型光敏阴离子和硫鎓盐阳离子，其中，树脂型光敏阴离子的结构式为硫鎓盐阳离子的结构式为其中，R1、R2为H或甲基；R3为改性结构；R4、R5、R6为氢原子数为1～40之间的整数、且碳原子数为1～20之间的整数的烷基、芳基或含硫/氧/氮杂原子的取代基中的一种或多种；n为2～200之间的整数，R7为烷基、芳基或含硫/氧/氮杂原子的官能结构中的一种或多种。本发明的光敏树脂应用到光刻胶组合物中能提高光刻胶组合物的成膜能力，改善光刻图形，提高光刻胶分辨率，并降低线宽粗糙度，从而使光刻胶组合物能够应用于大规模集成电路的光刻技术中。
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公开(公告)号：CN112925166A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110089845.2
申请日：2021-01-22
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/004 , C07C381/12 , C07C303/32 , C07C309/17 , C07C67/08 , C07C69/60 , C08F220/28 , C08F220/18
摘要： 本发明实施例提供了一种高分辨率光刻胶，该光刻胶包括以下原料：0.1‑10重量组分的光致酸产生剂、10‑30重量组分的成膜树脂、0.1‑5重量组分的酸扩散抑制剂以及55‑89.8重量组分的有机溶剂A；其中所述光致酸产生剂为含双酯结构的光致酸产生剂，所述酸扩散抑制剂为带酯键的酸扩散抑制剂，带酯键的酸扩散抑制剂的分子量为100‑30000g/mol。本发明实施例提供的光刻胶在采用含双酯结构的光致酸产生剂的条件下，通过添加带酯键的酸扩散抑制剂，进一步改善了光刻胶的线宽粗糙度，提高了光刻胶的分辨率，增强了光刻胶的成膜能力。
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公开(公告)号：CN112592303A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011526905.4
申请日：2020-12-22
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C07C321/30 , C07C319/20 , C07C303/32 , C07C309/04 , C07C309/30 , G03F7/004
摘要： 本发明公开了一种含双鎓盐结构的光致产酸剂，其结构通式如下(I)所示：其中，n＝0或1或2，R1‑R6为H、碳原子数为1～20的烷基、芳基或含硫/氧/氮杂原子的取代基中的一种或多种；M‑阴离子和Q‑阴离子为磺酸阴离子。本发明的含双鎓盐结构的光致产酸剂相对单鎓盐结构的光致产酸剂具有更高的产酸效率，并且可以适用于多种波长的光源。
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公开(公告)号：CN111285963A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010128247.7
申请日：2020-02-28
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C08F220/34 , C08F220/20 , C08F220/36 , G03F7/004
摘要： 本发明公开了一种含羟基的酸扩散抑制剂及其制备方法和应用。所述含羟基的酸扩散抑制剂的结构如通式(I)所示，包含na和羟基结构的部分为羟基功能单元；包含R3、R4和nb的部分为碱性功能单元。所述含羟基的酸扩散抑制剂溶解性好能更有效改善本身在光刻胶内的分布，提高光刻胶分辨率和线宽粗糙度，改善光刻胶的成膜能力。其制备方法，反应条件温和，效率高。将所述含羟基的酸扩散抑制剂应用于光刻胶组合物时，其具有分布固定、酸扩散抑制能力高并且与酸活性树脂性质匹配、成膜能力好的特点。
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