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公开(公告)号：CN112920314A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110102205.0
申请日：2021-01-26
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C08F220/18 , C08F220/28 , G03F7/004
摘要： 本发明适用于光刻胶技术领域，提供了一种酸活性树脂以及光刻胶，所述酸活性树脂包括：极性侧链基团以及非极性侧链基团，所述极性侧链基团与所述非极性侧链基团互为衍生基团，且所述极性侧链基团与所述非极性侧链基团的原子个数之差为0～5个。本发明通过设计酸活性树脂的结构，从根本上调节酸活性树脂的极性，促使酸活性树脂的极性侧链基团与非极性侧链基团在空间结构上相近，进而使酸活性树脂具有良好的、稳定的极性‑非极性平衡，以促使制备的光刻胶膜具有良好的显影液浸润性，使光刻胶膜与衬底粘附性适中，得到尺度合适的光刻胶膜，以保持良好的线宽粗糙度、灵敏度以及分辨率的有益效果。
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公开(公告)号：CN112876602A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110102266.7
申请日：2021-01-26
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C08F220/20 , C08F220/32 , C08F220/18 , G03F7/004
摘要： 本发明实施例提供了一种低缺陷的193nm光刻胶、光刻胶树脂及其制备方法，其中所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂包括以下重量百分比的原料：23～65％极性单体、23～65％非极性单体、25～55％多羟基抗刻蚀单体。本发明实施例所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂在不损失原有193nm光刻胶树脂性能的基础上，通过在光刻胶树脂中引入含有多羟基抗刻蚀基团，不仅促进光刻胶树脂在显影后的溶解性，而且显著减小了显影后的光刻胶的残留，改善了线条边缘粗糙度，减少光刻胶缺陷率。
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公开(公告)号：CN112859550A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110066196.4
申请日：2021-01-19
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 本发明公开了一种减缓铝腐蚀的水相显影液及其制备方法，该显影液包括以下原料：氢氧化季铵、表面活性剂、消泡剂、抗腐蚀剂和水。本发明所述的减缓铝腐蚀的水相显影液在制备光刻胶的过程中，对光刻胶的底涂层内或者与光刻胶接触的区域的铝材基底腐蚀小、减少了泡沫、增强了显影效果，提高了产品的良品率。
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公开(公告)号：CN112859549A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110066176.7
申请日：2021-01-19
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 本发明公开了一种减缓AlN基底腐蚀的显影液及其制备方法，该显影液包括以下原料：氢氧化季铵、表面活性剂、消泡剂、抗腐蚀剂和水。本发明所述的减缓AlN基底腐蚀的显影液在制备光刻胶的过程中，对光刻胶的底涂层内或者与光刻胶接触的区域的存在AlN膜的腐蚀较小、减少了显影液的泡沫、增强了显影效果，提高了产品的良品率。
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公开(公告)号：CN112925167A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110102217.3
申请日：2021-01-26
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/18 , C08F220/32 , C08F220/24 , C08F220/20
摘要： 本发明公开了具有光酸活性的光刻胶树脂及光刻胶，光刻胶树脂包括含氟树脂以及酸活性树脂；酸活性树脂至少包含一个极性侧链及一个非极性侧链；含氟树脂至少包括一个极性侧链、一个非极性侧链及一个含氟侧链；酸活性树脂包含的极性侧链与含氟树脂包含的极性侧链相同；酸活性树脂包含的非极性侧链与所述含氟树脂包含的非极性侧链相同，含氟树脂的非极性侧链具有光酸活性，光刻胶中包含上述光刻胶树脂。上述的光刻胶树脂中含氟树脂的酸活性功能基团与酸活性树脂的酸活性功能基团匹配度较高，以保证在曝光区和非曝光区产生足够的显影液溶解性差异，从而提高光刻胶树脂进行光刻曝光的质量。
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公开(公告)号：CN112778313A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011637637.3
申请日：2020-12-31
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C07D487/04 , G03F7/038 , G03F7/004
摘要： 本发明提供了一种电子级四甲氧甲基甘脲的制备方法，该方法包括如下步骤：将AR级四羟甲基甘脲与电子级甲醇溶剂混合成反应液，并向反应液中加入电子级催化剂；反应液在预设温度下反应预设时长后，冷却至室温，并加入有机碱调节pH至中性；将调节后的反应液进行分离纯化，得到电子级四甲氧甲基甘脲。本发明还提供一种电子级四甲氧甲基甘脲。在反应体系中加入的甲醇溶液以及催化剂均为电子级试剂，减少金属杂质的引入，在反应结束后，采用有机碱代替传统无机碱进行pH的调节，同样大大降低了金属杂质引入。因此，采用本发明中的制备方法制备出的四甲氧甲基甘脲金属残留少，纯度高，可用作负性光刻胶中的交联剂。
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公开(公告)号：CN112764314A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110089856.0
申请日：2021-01-22
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 本发明实施例公开了一种含双酯结构的光致酸产生剂的光刻胶及其制备方法，该光刻胶包括以下原料：0.1‑10重量组分的含双酯结构的光致酸产生剂、10‑30重量组分的成膜树脂、0.1‑5重量组分的酸扩散抑制剂以及55‑89.8重量组分的有机溶剂A。本发明实施例提供的所述的含双酯结构的光致酸产生剂的光刻胶通过添加的含双酯结构的光致酸产生剂使得光刻胶在进行光刻工艺时，光刻胶中的光致酸产生剂可产生有效的可控大体积酸，进而提升光刻胶的分辨率，减小了制作的电路的线宽和粗糙度，提高树脂的黏附性，改善光刻胶的整体性能。
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公开(公告)号：CN112764313A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110089814.7
申请日：2021-01-22
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 本发明实施例提供了一种光刻胶组合物及其制备方法，该光刻胶组合物包括以下原料：0.1‑10重量组分的光致酸产生剂、10‑30重量组分的成膜树脂、0.1‑5重量组分的酸扩散抑制剂以及55‑89.8重量组分的有机溶剂A；其中所述光致酸产生剂为含双酯结构的光致酸产生剂，所述酸扩散抑制剂为含有羟基功能单元和碱性功能单元的酸扩散抑制剂。本发明实施例提供的光刻胶组合物在采用含双酯结构的光致酸产生剂的条件下，通过添加含有羟基功能单元和碱性功能单元的酸扩散抑制剂，进一步改善了光刻胶的线宽粗糙度，提高了光刻胶的分辨率，增强了光刻胶的成膜能力。
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公开(公告)号：CN110794082A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911069341.3
申请日：2019-11-05
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G01N31/16
摘要： 本发明提供了一种降低卡尔费休水分仪试剂消耗的方法，所述方法中使用的干燥保护装置包括第二进气管、操作室、排气管、气体吸收装置，所述第二进气管的一端连通操作室的一侧，所述排气管的一端连通操作室的另一侧，排气管的另一端伸入气体吸收装置内，其中操作室内通气体保护，且放置有特定的分子筛，可有效隔绝卡尔费休水分仪与空气，减少空气中水分对卡尔试剂的消耗，节约资源和成本，提高样品中水分的检准度和可靠性，且降低了卡氏试剂中易挥发成分对人体的伤害。
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公开(公告)号：CN114324213A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111660760.1
申请日：2021-12-30
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G01N21/31 , G01N27/626 , G01N1/44
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种高硅基体溶剂中超痕量金属杂质的测定方法，该方法对高硅基体溶剂进行加热，使高硅基体溶剂蒸发完全，加热温度低于所述金属杂质沸点并与所述高硅基体溶剂沸点相同或更高。本发明的方法能准确测定高硅基体溶剂中的金属杂质，且未使用氢氟酸，操作简便，避免了氢氟酸带来的安全问题、降低了检测成本。
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