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公开(公告)号：CN114324061A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111659569.5
申请日：2021-12-30
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
摘要： 本发明适用于组分含量测定技术领域，提供了一种高纯稀释剂组分含量在线快速测定的方法，包括以下步骤：1)配置系列标准样品：按照含量百分质量数占比顺序排列，分别制定两种能够完全互溶的高纯物质PGMEA和PGME不同含量百分质量数占比的系列混合物，按照制定顺序，利用分析天平分别称取PGMEA和PGME，配置系列混合物作为标准样品；2)测定系列标准样品密度；3)制作密度组分对照表；4)利用密度仪对未知的稀释剂样品在线进行密度测定，根据密度测定结果使用已制作的密度组分对照表查表即得出稀释剂中PGMEA和PGME分别的成分含量。本发明通过前期确定密度‑含量表，只需测试密度即可得到对应的含量，能够在线快速测试稀释剂产品的组分，测试成本低，效率高。
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公开(公告)号：CN113198549A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110452965.4
申请日：2021-04-26
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法，该方法包括：S1、对预置的离子交换树脂进行活化处理；S2、将活化后的离子交换树脂与光刻胶树脂反应液在反应瓶中进行混合搅拌，搅拌结束后对混合液中的离子交换树脂进行滤除；S3、对滤除离子交换树脂后的树脂溶液进行沉淀处理、固液分离以及烘干处理；S4、再次重复步骤S3，得到去除金属杂质后的光刻胶树脂。该方法通过采用活化后的离子交换树脂去除光刻胶树脂反应液中的金属杂质，然后将树脂溶液进行沉淀处理、固液分离以及烘干，烘干完成后再次进行沉淀处理、固液分离以及烘干，便可得到符合光刻胶工艺的光刻胶树脂，极大的降低了光刻工艺的成本，同时拓宽了光刻工艺中所需原料的来源。
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公开(公告)号：CN113214285A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110460097.4
申请日：2021-04-27
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C07D493/18
摘要： 本发明适用于光刻胶材料制备技术领域，提供了一种ArF光刻胶中的酸敏单体的制备方法，所述酸敏单体具体为5,5‑二甲基‑4,8‑二氧杂三环[4.2.1.03,7]壬基‑2‑甲基丙烯酸酯。本发明采用5,5‑二甲基‑4,8‑二氧杂三环[4.2.1.03,7]壬基‑2‑醇、甲基丙烯类反应物和碱性催化剂进行反应，使得本申请反应的产率大大得到提高，产率可高达90％以上。同时，本申请以沉淀和重结晶对反应液进行后处理，后处理方法简单快捷、易操作，而且污染较小，得到产物的纯度较高，其纯度可达99.99％。
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公开(公告)号：CN113185441A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110452589.9
申请日：2021-04-26
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C07D207/267
摘要： 本发明实施例公开了一种用于降低N‑甲基吡咯烷酮的色度的提纯方法，该方法包括：将N‑甲基吡咯烷酮粗制品导入到一级反应釜中并加入活性炭进行吸附处理，得到吸附处理后的粗制品；将所述吸附处理后的粗制品中的活性炭去除后，放入精馏塔中进行精馏，得到精馏后的N‑甲基吡咯烷酮；将所述精馏后的N‑甲基吡咯烷酮进行过滤，得到提纯后的N‑甲基吡咯烷酮。通过该方法对N‑甲基吡咯烷酮粗制品进行提纯过程中，采用活性炭对N‑甲基吡咯烷酮粗制品进行吸附处理并将吸附处理后的N‑甲基吡咯烷酮进行精馏、过滤，提纯后的N‑甲基吡不仅N‑甲基吡咯烷酮的色度低于2，而且保证了N‑甲基吡咯烷酮的纯度，极大的满足光刻工艺的需求。
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公开(公告)号：CN112778313A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011637637.3
申请日：2020-12-31
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C07D487/04 , G03F7/038 , G03F7/004
摘要： 本发明提供了一种电子级四甲氧甲基甘脲的制备方法，该方法包括如下步骤：将AR级四羟甲基甘脲与电子级甲醇溶剂混合成反应液，并向反应液中加入电子级催化剂；反应液在预设温度下反应预设时长后，冷却至室温，并加入有机碱调节pH至中性；将调节后的反应液进行分离纯化，得到电子级四甲氧甲基甘脲。本发明还提供一种电子级四甲氧甲基甘脲。在反应体系中加入的甲醇溶液以及催化剂均为电子级试剂，减少金属杂质的引入，在反应结束后，采用有机碱代替传统无机碱进行pH的调节，同样大大降低了金属杂质引入。因此，采用本发明中的制备方法制备出的四甲氧甲基甘脲金属残留少，纯度高，可用作负性光刻胶中的交联剂。
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公开(公告)号：CN110794082A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911069341.3
申请日：2019-11-05
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G01N31/16
摘要： 本发明提供了一种降低卡尔费休水分仪试剂消耗的方法，所述方法中使用的干燥保护装置包括第二进气管、操作室、排气管、气体吸收装置，所述第二进气管的一端连通操作室的一侧，所述排气管的一端连通操作室的另一侧，排气管的另一端伸入气体吸收装置内，其中操作室内通气体保护，且放置有特定的分子筛，可有效隔绝卡尔费休水分仪与空气，减少空气中水分对卡尔试剂的消耗，节约资源和成本，提高样品中水分的检准度和可靠性，且降低了卡氏试剂中易挥发成分对人体的伤害。
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公开(公告)号：CN112898313A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110084005.7
申请日：2021-01-21
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C07D493/18 , G03F7/027 , G03F7/004
摘要： 本发明公开了一种甲基丙烯酸酯类单体及其制备方法，该单体的制备方法为：将5‑二甲基‑4,8‑二氧杂三环[4.2.1.03,7]壬‑2‑醇与有机溶剂A进行均匀混合并在得到预混液中滴加高效催化剂，然后加入阻聚剂，混合均匀后滴加丙烯酸类化合物，滴加完成后升温进行酯化反应并采用强碱性水溶液对反应完成后得到的反应液中进行分液洗涤至中性，分液洗涤后加入沉淀剂并将得到的沉淀物进行过滤、烘干，得到甲基丙烯酸酯类单体的粗品；在粗品中加入有机溶剂B并进行升温搅拌溶解并将得到粗品溶液进行重结晶，然后进行烘干，得到5‑二甲基‑4,8‑二氧杂三环[4.2.1.03,7]壬‑2‑基甲基丙烯酸酯单体。通过该方法制备得到的甲基丙烯酸酯类单体不仅产量高，而且制备过程中步骤简单、污染小。
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公开(公告)号：CN112859549A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110066176.7
申请日：2021-01-19
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 本发明公开了一种减缓AlN基底腐蚀的显影液及其制备方法，该显影液包括以下原料：氢氧化季铵、表面活性剂、消泡剂、抗腐蚀剂和水。本发明所述的减缓AlN基底腐蚀的显影液在制备光刻胶的过程中，对光刻胶的底涂层内或者与光刻胶接触的区域的存在AlN膜的腐蚀较小、减少了显影液的泡沫、增强了显影效果，提高了产品的良品率。
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公开(公告)号：CN114324213A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111660760.1
申请日：2021-12-30
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G01N21/31 , G01N27/626 , G01N1/44
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种高硅基体溶剂中超痕量金属杂质的测定方法，该方法对高硅基体溶剂进行加热，使高硅基体溶剂蒸发完全，加热温度低于所述金属杂质沸点并与所述高硅基体溶剂沸点相同或更高。本发明的方法能准确测定高硅基体溶剂中的金属杂质，且未使用氢氟酸，操作简便，避免了氢氟酸带来的安全问题、降低了检测成本。
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公开(公告)号：CN113861332A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111157883.3
申请日：2021-09-30
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C08F220/14 , C08F220/18 , C08F2/38 , C08F2/46 , G03F7/004
摘要： 本发明适用于光刻胶技术领域，提供了一种光刻胶树脂及其聚合方法，该方法包括：S1、将甲基丙烯酸类的单体、链转移剂溶于有机溶剂中，得到混合溶液；S2、将所述混合溶液在保护气环境下置于60Co辐射室中进行聚合反应，反应完成后将反应液置于正己烷中进行沉淀处理；S3、将沉淀处理后的固体进行真空干燥处理，得到光刻胶树脂。本发明通过将甲基丙烯酸类的单体与链转移剂混合后，采用辐射法使得甲基丙烯酸类的单体进行聚合反应，解决了现有技术中制备光刻胶树脂成本较高、效率较低的技术问题，提高了光刻胶树脂的产率，同时制备过程中聚合条件可控。
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