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公开(公告)号:CN107850717A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680041449.X
申请日:2016-08-03
申请人: 宇部兴产株式会社
IPC分类号: G02B5/30 , C08J5/18 , C08K3/26 , C08L101/00
CPC分类号: C08J5/18 , C08K3/26 , C08L101/00 , G02B5/30
摘要: 本发明的光学膜是在树脂中分散有碱土金属碳酸盐微粉末的光学膜,该光学膜的特征在于,上述碱土金属碳酸盐微粉末的平均长径为10nm~100nm的范围内、相对于上述光学膜整体的上述碱土金属碳酸盐微粉末的含量为0.1质量%~50质量%的范围内、在上述碱土金属碳酸盐微粉末的表面附着有表面活性剂。另外,本发明的图像显示装置为具备上述光学膜的图像显示装置。
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公开(公告)号:CN105247011B
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201480030239.1
申请日:2014-05-26
申请人: 宇部兴产株式会社
CPC分类号: C09K11/7792 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/48095 , H01L2224/48472 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供氮氧化物荧光体粉末,其为具有565~577nm的主波长的α型塞隆系荧光体,且具有在实用时高的荧光强度及外部量子效率。本发明的氮氧化物荧光体粉末为以组成式:Cax1Eux2Ybx3Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(其中,式中,0.0<x1≤2.0、0.0000<x2≤0.0100、0.0000<x3≤0.0100、0.4≤x2/x3≤1.4、1.0≤y≤4.0、0.5≤z≤2.0)表示的α型塞隆。
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公开(公告)号:CN108602687B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201780007887.9
申请日:2017-01-24
申请人: 宇部兴产株式会社
摘要: 本发明为了提供抵消高分子的双折射、并且确保透明性的光学膜,而提供在高温下的成膜时的分散性高的被覆碱土金属化合物微粒。被覆碱土金属化合物微粒是利用表面处理剂对碱土金属化合物微粒的表面进行被覆而得到的,在大气气氛中进行TG‑DTA时,将TG‑DTA开始时的表面处理剂的质量设为100质量%时,在100℃~300℃的温度范围内的表面处理剂的质量减少率为30质量%以下。
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公开(公告)号:CN104145003B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201380011911.8
申请日:2013-03-28
申请人: 宇部兴产株式会社
CPC分类号: C09K11/7734 , H01L33/502 , Y10T428/2982
摘要: 本发明提供一种氧氮化物荧光体,其具有580~605nm的荧光峰值波长,外量子效率比以往高。本发明的氧氮化物荧光体粉末是由下述组成式表示的、含有α型塞隆和氮化铝的氧氮化物荧光体。本发明还提供上述氧氮化物荧光体的制造方法。Cax1Eux2Si12?(y+z)Al(y+z)OzN16?z(式中,x1、x2、y、z为0<x1≤2.50、0.01≤x2≤0.20、0<y≤2.3和1.5≤z≤3.5,或者,x1、x2、y、z为0<x1≤2.70、0.05≤x2≤0.20、2.3≤y≤5.5和1≤z≤2.5)。
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公开(公告)号:CN101821356A
公开(公告)日:2010-09-01
申请号:CN200880111063.7
申请日:2008-10-06
申请人: 宇部兴产株式会社
CPC分类号: C09K11/0883 , C01B21/0826 , C01P2002/30 , C01P2002/54 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/60 , C04B35/597 , C04B35/6268 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/46 , C04B2235/465 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/767 , C09K11/7734 , H01L33/502
摘要: 本发明提供一种可用于荧光显示管(VFD)、场致发射显示器(FED)、等离子体显示屏(PDP)、阴极射线管(CRT)、发光二极管(LED)等的更高亮度的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体。通过把粒径2μm以上、纵横比的平均值为1.3以下的α型氮化硅粒子、含AlN的成为铝源的物质、与金属Ln的氧化物或通过热解能形成氧化物的前体物质以成为通式Si6-zAlzOzN8-z:Lnx(式中,0<z<4.2,Ln为Eu)的方式进行混合,在0.05MPa以上100MPa以下的氮气氛中、于1700~2100℃进行焙烧,可得到纵横比的平均值为小于1.5的新型高亮度β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末。
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公开(公告)号:CN108602687A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201780007887.9
申请日:2017-01-24
申请人: 宇部兴产株式会社
摘要: 本发明为了提供抵消高分子的双折射、并且确保透明性的光学膜,而提供在高温下的成膜时的分散性高的被覆碱土金属化合物微粒。被覆碱土金属化合物微粒是利用表面处理剂对碱土金属化合物微粒的表面进行被覆而得到的,在大气气氛中进行TG-DTA时,将TG-DTA开始时的表面处理剂的质量设为100质量%时,在100℃~300℃的温度范围内的表面处理剂的质量减少率为30质量%以下。
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公开(公告)号:CN105073948B
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201480017784.7
申请日:2014-03-28
申请人: 宇部兴产株式会社
CPC分类号: C09K11/7734 , C01B21/06
摘要: 本发明提供具有610~625nm的荧光峰波长,并且其外量子效率比以往同类产品高的氧氮化物荧光体粉末。本发明的氧氮化物荧光体粉末的特征在于,含有α型塞隆和氮化铝,由组成式:Cax1Eux2Si12‑(y+z)Al(y+z)OzN16‑z(式中,x1、x2、y、z满足:1.60≤x1+x2≤2.90、0.18≤x2/x1≤0.70、4.0≤y≤6.5、0.0≤z≤1.0)表示。进而,优选还含有50~10000ppm的Li。氮化铝的含量优选处于大于0质量%至小于33质量%的范围。
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公开(公告)号:CN103201213B
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201180038289.0
申请日:2011-07-29
申请人: 宇部兴产株式会社
IPC分类号: C01B21/068 , A01N25/00 , A01N35/02 , A01N43/80 , A01N59/08 , A01P3/00 , A01P13/00 , C01B21/082 , C02F1/50 , C02F1/76
CPC分类号: C01B21/068 , C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , C09K11/7792 , Y10T428/2982
摘要: 本发明提供了一种硅氮化物磷光体用氮化硅粉末,所述硅氮化物磷光体具有高亮度,并可用于荧光显示管(VFD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示板(PDP)、阴极射线管(CRT)和发光二极管(LED)等;还提供了各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr,Ca)AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体,以及这些磷光体的制造方法。本发明涉及硅氮化物磷光体用氮化硅粉末,其特征在于,其是用作制造硅氮化物磷光体的初始材料的结晶性氮化硅粉末,所述硅氮化物磷光体含有硅元素和氮元素作为构成元素,但不含有氧元素作为构成元素,并且其特征在于氧含量为0.2重量%~0.9重量%;本发明还涉及各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr,Ca)AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体,以及这些磷光体的制造方法。
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公开(公告)号:CN104736664A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201380053996.6
申请日:2013-10-17
申请人: 宇部兴产株式会社
CPC分类号: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6265 , C04B35/645 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5409 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C09K11/0883 , F21K9/64 , F21V9/30 , H01L33/502
摘要: 波长转换部件的制造方法,该波长转换部件包含多晶陶瓷,其特征在于,包括如下工序:A)将成为硅源的物质、成为铝源的物质、成为钙源的物质以及成为铕源的物质混合,B)烧成得到的混合物,得到氧氮化物荧光体粉末,然后C)在惰性气氛下烧结该氧氮化物荧光体粉末得到所述多晶陶瓷,所述烧结的所述氧氮化物荧光体粉末除氧以外具有由组成式:Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(其中,式中,x1、x2、y、z为:0<x1≤3.40,0.05≤x2≤0.20,3.5<y≤7.0,0≤z≤1)表示的组成,与由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论氧含量相比,所述氧氮化物荧光体粉末的氧含量过剩,将由该组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论质量设为100质量%,该氧的过剩量为1.1~11.5质量%。提供波长转换部件,其通过被300nm~500nm的波长的光激发,在峰波长590nm至610nm的宽波长区域发出荧光,此时的转换效率大。提供了相比以往耐久性优异并且效率高的波长转换部件,另外,提供了组合了波长转换部件与半导体发光元件的发光装置。
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公开(公告)号:CN104145003A
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201380011911.8
申请日:2013-03-28
申请人: 宇部兴产株式会社
CPC分类号: C09K11/7734 , H01L33/502 , Y10T428/2982
摘要: 本发明提供一种氧氮化物荧光体,其具有580~605nm的荧光峰值波长,外量子效率比以往高。本发明的氧氮化物荧光体粉末是由下述组成式表示的、含有α型塞隆和氮化铝的氧氮化物荧光体。本发明还提供上述氧氮化物荧光体的制造方法。Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(式中,x1、x2、y、z为0<x1≤2.50、0.01≤x2≤0.20、0<y≤2.3和1.5≤z≤3.5,或者,x1、x2、y、z为0<x1≤2.70、0.05≤x2≤0.20、2.3≤y≤5.5和1≤z≤2.5)
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