公开(公告)号：CN105684142B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480003328.7

申请日：2014-09-29

申请人： 新电元工业株式会社

发明人： 见泽有市 ,  长瀬健男

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/293 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/562 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/8392 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2924/014

摘要： 在半导体封装件中，芯片焊盘，半导体元件，连接构件以及引线的表面通过硅烷耦合剂被进行表面处理，半导体元件的表面中接合有连接构件的半导体元件的一面含有露出有机物的第一区域，和露出无机物的第二区域，第一区域与封装树脂之间的接合强度比第二区域与封装树脂之间的接合强度弱。

公开(公告)号：CN104603934B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201380044807.9

申请日：2013-08-09

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 藤野纯司 ,  米田裕 ,  大西良孝 ,  菅原济文

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K7/20

CPC分类号： H05K1/0203 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/4024 ,  H01L2224/4118 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16172 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/92252 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2076

摘要： 本发明具备：传热板(4)，隔着绝缘层(8)接合散热部件(9)；印制基板(3)，相对传热板(4)隔开规定的间隔地配置，在外侧面形成了的电极图案(32)的附近设置了开口部(3a)；电力用半导体元件(2)，配置于传热板(4)与印制基板(3)之间，背面与传热板(4)接合；以及布线部件(5)，一端与在电力用半导体元件(2)的表面形成了的主电力用电极(21C)的第1接合部接合，另一端与第2接合部(32p)接合，构成为在从主电力用电极(21C)朝向印制基板(3)地在垂直方向上延伸的空间中放入第2接合部(32p)的至少一部分，并且在从开口部(3a)起在垂直方向上延伸的空间中包含第1接合部。

公开(公告)号：CN104112772B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201410116734.6

申请日：2014-03-26

申请人： 富士通株式会社

发明人： 牧山刚三

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/432 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；在衬底之上的氮化物的化合物半导体堆叠结构；覆盖化合物半导体堆叠结构的钝化膜；在化合物半导体堆叠结构上方的水平处的栅电极、源电极和漏电极；以及含Si‑C键并且包含源电极与漏电极之间的部分的含Si‑C键的膜。该部分与化合物半导体堆叠结构的上表面的至少一部分或者钝化膜的上表面的至少一部分接触。本发明还涉及包括所述化合物半导体器件的一种电源设备和一种放大器。

公开(公告)号：CN103035601B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201210299693.X

申请日：2012-08-22

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： N.厄施勒 ,  R.施佩克尔斯 ,  K.特鲁诺夫

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L23/04 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

摘要： 本发明涉及在烧结银层上包括扩散焊接层的半导体器件。半导体器件包括衬底以及衬底上的第一烧结银层。所述半导体器件包括第一半导体芯片以及把第一半导体芯片耦合到第一烧结银层的第一扩散焊接层。

公开(公告)号：CN105118790B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201510436598.3

申请日：2015-07-23

申请人： 淄博美林电子有限公司

发明人： 李安

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一种碳化硅二极管的耐高温封装框架制备方法，属于半导体器件制造设备领域。其特征在于，低温烧结步骤的具体工艺曲线为：将利用纳米银膏黏着有碳化硅晶粒（4）的框架主体（1）放入真空焊接炉中，抽真空到50~55mbar时再充氮气，以10~12℃/min升温至150~155℃后保温2~4min，再连续升温至185~190℃后保温8~12min，再升温至270~275℃，抽真空充氮气至5bar~15bar保持10~15min确保粘接强度，然后进行冷却，即完成碳化硅晶粒（4）和框架主体（1）的焊接。本发明利用了两个焊接区（冷却区和加热区）配合特殊的温度曲线，而且焊接过程中加一定的压力，缩短了焊接时间，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN105047623B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510128312.5

申请日：2015-03-23

申请人： 广东美的制冷设备有限公司 ,  美的集团股份有限公司

发明人： 冯宇翔

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L2224/48137 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明适用于电子器件制造技术，提供了一种智能功率模块以及制造方法，智能功率模块包括：基板，包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面，所述第一表面形成皱褶，所述第二表面覆盖有绝缘层，所述基板为纸质散热器；电路布线层，形成于所述绝缘层的表面；电路元件，配设于所述电路布线层相应位置；金属线，连接所述电路布线层和电路元件。由于智能功率模块的背面具有散热皱褶，散热面积极大增加，绝缘层无需使用高导热材料即可满足功率元件散热要求；散热结构为纸质材料，重量轻，智能功率模块总体重量降低，便于长途运输和工人装配；因为模块本身具备散热器，所以在应用过程，外部无需再接散热器，降低应用难度和应用成本，提供装配品质。

公开(公告)号：CN107393893A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710252472.X

申请日：2017-04-18

申请人： 赛米控电子股份有限公司

发明人： 托马斯·弗兰克 ,  克里斯蒂安·沃尔特 ,  斯特凡·魏斯 ,  托马斯·齐格勒

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  B60R16/03

CPC分类号： H01L23/32 ,  B60K1/02 ,  B60K1/04 ,  B60K7/0007 ,  B60K2007/0061 ,  B66F9/07572 ,  H01L23/3672 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73267 ,  H01R12/7047 ,  H01R12/82 ,  H01R13/73 ,  H01R2201/26 ,  H05K7/1432 ,  H01L23/48 ,  B60R16/03 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07

摘要： 本发明提出了一种功率电子设备及具有该设备的车辆，所述功率电子设备实现为具有功率半导体模块、接触弹簧、负载连接元件和实现为电操作车辆的一部分的安装装置，其中所述功率半导体模块具有优选地从该功率半导体模块的内部向外伸出的负载连接元件，并且在那里优选地具有第一外部接触面，即用于外部连接的接触面，并且其中所述负载连接元件具有第二接触面。利用所述接触弹簧在所述第一接触面和第二接触面之间实现导电压力接触连接，其中为此需要的、在接触弹簧上的压力利用所述功率半导体模块以摩擦锁定方式连接到所述安装装置的事实来实现。

公开(公告)号：CN104795388B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201510129209.2

申请日：2015-03-23

申请人： 广东美的制冷设备有限公司 ,  美的集团股份有限公司

发明人： 冯宇翔

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种智能功率模块及其制造方法，智能功率模块包括电路布线、设置在电路布线预定位置的功率元件和非功率元件，以及作为载体的纸质散热器，所述散热器的一面作为正面覆盖有绝缘层，所述电路布线设置在所述绝缘层上；所述散热器的另一面作为背面，设置有用于散热的皱褶；所述功率元件包括功率器件，功率器件包括IGBT管和与所述IGBT管连接的FRD管，所述FRD管底部设置有承托盘，所述FRD管倒扣在所述IGBT管的预定位置上且所述FRD管的顶部与所述IGBT管接触，所述承托盘通过电路布线与所述IGBT管相连。本发明减小了智能功率模块的体积和重量，降低了成本，并且具有良好的散热效果。

公开(公告)号：CN107305886A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201610262592.3

申请日：2016-04-25

申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

发明人： 唐新灵 ,  莫申杨 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  张朋 ,  李金元 ,  温家良

IPC分类号： H01L25/11 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L2224/0603 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L25/115 ,  H01L23/528

摘要： 本发明提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块，包括功率子单元、金属电极板和外部管壳；金属电极板设置在外部管壳的底部；外部管壳包括两列方形框架；两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架；功率子单元设置在方形框架内且与金属电极板紧密接触，其包括金属端盖、栅极PCB板、辅助栅极PCB板和多个功率半导体芯片；辅助栅极PCB板设置在条状框架内；金属端盖、金属电极板和栅极PCB板分别与功率半导体芯片的集电极、发射极和栅极电气连接。与现有技术相比，本发明提供的一种便于串联使用的大功率IGBT模块，既有利于功率半导体器件的串联，同时不需要太大的钳位压力，降低了功率半导体器件在实际应用过程中对机械结构的要求。

公开(公告)号：CN107301955A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710466498.4

申请日：2011-09-23

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 真下茂明 ,  堀内文夫 ,  工藤清昭 ,  樱井章 ,  稻垣裕纪

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/433 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49 ,  H01L25/07

CPC分类号： H02M7/537 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20753 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/181 ,  Y10T29/4916 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种电路装置及其制造方法。该电路装置是具有良好的散热性的小型的电路装置。在本发明的混合集成电路装置(10)中，在电路基板(12)的上面固定安装有引线(18)及引线(20)。引线(18)具有岛部(28)、倾斜部(30)及引线部(32)，在岛部(28)的上面安装有晶体管(22)及二极管(24)。设置于晶体管(22)及二极管(24)的上面的电极经由金属细线(26)和接合部(34)相连接。引线(18)的接合部(34)被设置在相比岛部(28)位于上方的位置，从而与接合部(34)相连接的金属细线(26)彼此分开。