公开(公告)号：CN1288725C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200310114387.5

申请日：2003-11-13

Applicant: 安内华株式会社

Inventor： 长田智明 ,  野崎芳和

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01J37/32623 ,  C23C16/26 ,  C23C16/5096

Abstract: 本发明公开了一种能够限制等离子而不存在等离子密度不均匀和电功率损失的实用的等离子加工装置。此装置包括等离子屏蔽罩，其包围了等离子发生区以防止等离子扩散。该屏蔽罩具有至少一个开口。此装置包括用于防止等离子通过等离子屏蔽罩的开口而扩散出去的防扩散电极。等离子屏蔽罩上的暴露在等离子中的表面由绝缘体制成。防扩散电极处于朝向开口扩散的电子或者已经从等离子中通过开口扩散出去的电子将流入其自身中的位置处。

公开(公告)号：CN1501452A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114387.5

申请日：2003-11-13

Applicant: 安内华株式会社

Inventor： 长田智明 ,  野崎芳和

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01J37/32623 ,  C23C16/26 ,  C23C16/5096

Abstract: 本发明公开了一种能够限制等离子而不存在等离子密度不均匀和电功率损失的实用的等离子加工装置。此装置包括等离子屏蔽罩，其包围了等离子发生区以防止等离子扩散。该屏蔽罩具有至少一个开口。此装置包括用于防止等离子通过等离子屏蔽罩的开口而扩散出去的防扩散电极。等离子屏蔽罩上的暴露在等离子中的表面由绝缘体制成。防扩散电极处于朝向开口扩散的电子或者已经从等离子中通过开口扩散出去的电子将流入其自身中的位置处。