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公开(公告)号：CN119798331A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411982494.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 安徽中医药大学
IPC: C07F15/00 , C02F1/70 , B01J35/30 , B01J31/24 , B01J31/38 , C07C213/02 , C07C215/76 , C02F101/38
Abstract: 本发明属于纳米材料与配位化学交叉领域，具体涉及一种具有不饱和活性位点的Ag19Pd纳米簇及其制备方法与应用。该纳米簇化学式为C141H126Ag19Cl3N18P6Pd，简写为Ag19Pd(dpa)6(dppp)3Cl3，属于三斜晶系；空间群为P‑1，#imgabs0#α＝80.073(3)°，β＝75.948(3)°，γ＝88.025(3)°，#imgabs1#此外，该纳米簇具有高度单分散性和稳定性，并且含有一个不饱和μ3‑Ag活性位点。本发明申请的Ag19Pd纳米簇具有原子级精确结构、不饱和活性位点，与市售TiO2形成负载型催化剂后，在对硝基苯酚还原反应中表现出高催化活性，反应速率常数高达1.26min‑1，具有广阔的发展前景。
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公开(公告)号：CN112331748A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011363610.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 安徽中医药大学
Inventor： 刘园旭
Abstract: 本发明提供一种发光二极管的外延结构的制备方法，包括，提供一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、N型AlGaN导电层，在所述N型AlGaN导电层上生长SiNx掩膜层并进行原位刻蚀在生长不致密的SiNx处会被刻蚀暴露出N型AlGaN层，继续外延生长N型AlGaN修复层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层，其中x为0.37～0.38，y为0.55～0.6；AlGaN电子阻挡层、P型AlGaN空穴扩展层及P型氮化镓导电层。采用本发明的制备方法制备的LED外延结构的发光效率得到提高。
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公开(公告)号：CN119125385A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411511996.2
申请日：2024-10-28
Applicant: 安徽中医药大学
Abstract: 本发明公开了一种安神定志丸多指标成分含量测定的方法，属于中药成分分析技术领域。本发明通过优化高效液相色谱梯度洗脱程序，并严格控制梯度洗脱程序的初始流动相比例、再配合色谱柱以及流动相的选择，最终实现了在单波长条件下可以同时、快速、全面的测定安神定志丸中指标性成分远志#imgabs0#酮Ⅲ、3，6＇‑二芥子酰基蔗糖、人参皂苷Rb1、β‑细辛醚、去氢土莫酸和茯苓酸共6种指标性成分的含量。整个检测过程为单波长检测，检测效率高，分析时间短，且6种成分的检测限均低于0.008μg/mL，本方法灵敏度高、专属性好、结果准确、重现性好。
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公开(公告)号：CN115090326A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210604657.3
申请日：2022-05-30
Applicant: 安徽中医药大学
IPC: B01J31/22 , B01J37/10 , B01J35/10 , C08G83/00 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明涉及一种高活性立方体Ti‑MOF光催化剂、制备方法及应用，该方法包括以下步骤：将钛盐、有机配体、有机溶剂和无水甲醇混合，得到混合溶液，所述钛盐和有机配体的摩尔比、有机溶剂和无水甲醇的体积比分别为1:1‑6、10‑1:1；所述有机配体为对苯二甲酸或2‑氨基对苯二甲酸；将上述混合溶液超声分散得到反应液；将上述反应液进行水热合成反应得到Ti‑MOF前驱体；将上述Ti‑MOF前驱体烘干，得到立方体Ti‑MOF光催化剂。本发明通过水热合成法获得高比表面积立方体形貌Ti‑MOF催化剂，立方体Ti‑MOF催化剂具有较好的盐酸四环素降解性能，获得了较高的反应速率常数k＝0.00106‑0.00660min‑1，且具有较好的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111525003A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010386250.9
申请日：2020-05-09
Applicant: 安徽中医药大学
Inventor： 刘园旭
Abstract: 本发明公开了一种在m面氮化镓基板上生长蓝色发光二极管的外延方法，涉及半导体外延层生长技术领域，包括在m面GaN基板顶部利用金属有机化学气相沉积方法生长一层非掺杂氮化镓同质外延薄膜浸润层，然后利用金属有机化学气相沉积法自下而上的依次生成N型导电GaN外延层、GaN应力调控层、GaN/InGaN超晶格电子储存层、InGaN/GaN多量子阱发光外延层和复合P型GaN层；本发明实现了m面同质外延获得平整的表面，而且实现了InGaN层In的有效并入实现蓝光量子阱激发。
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公开(公告)号：CN111525003B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010386250.9
申请日：2020-05-09
Applicant: 安徽中医药大学
Inventor： 刘园旭
Abstract: 本发明公开了一种在m面氮化镓基板上生长蓝色发光二极管的外延方法，涉及半导体外延层生长技术领域，包括在m面GaN基板顶部利用金属有机化学气相沉积方法生长一层非掺杂氮化镓同质外延薄膜浸润层，然后利用金属有机化学气相沉积法自下而上的依次生成N型导电GaN外延层、GaN应力调控层、GaN/InGaN超晶格电子储存层、InGaN/GaN多量子阱发光外延层和复合P型GaN层；本发明实现了m面同质外延获得平整的表面，而且实现了InGaN层In的有效并入实现蓝光量子阱激发。
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公开(公告)号：CN112397618A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011357979.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 安徽中医药大学
Inventor： 刘园旭
Abstract: 本发明提供一种发光二极管的外延结构的制备方法，包括，提供一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、N型AlGaN导电层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层，其中x为0.37～0.38，y为0.55～0.6；将生长完所述AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层的外延片进行化学腐蚀，接着在化学腐蚀后的外延片上继续二次外延生长AlGaN电子阻挡层、P型AlGaN空穴扩展层及P型氮化镓导电层。采用本发明的制备方法制备的LED外延结构的发光效率得到了提高。
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公开(公告)号：CN119236976A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411493278.7
申请日：2024-10-24
Applicant: 安徽中医药大学
IPC: B01J27/06 , B01J23/31 , B01J35/39 , B01J35/40 , B01J37/00 , B01J37/08 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/34
Abstract: 本发明提供一种TiO2/Bi/X三元异质结构光催化剂的制备方法及应用，属于光催化材料技术领域，制备方法包括：制备含有Ti3+和氧空位的TiO2纳米棒；将TiO2纳米棒和X加入到去离子水中搅拌、离心保留沉淀后真空干燥、研磨、煅烧，得到TiO2/Bi/X三元异质结构光催化剂；所述X为BiOI、Bi2WO6或BiOBr。本发明这种不需要额外加入还原剂原位构建的Bi金属介导的三元异质结的方法，具有合成简单、条件温和且不易引入杂质的优点；本发明制得的TiO2/Bi/X对四环素降解效果相比于单一TiO2、BiOI催化剂明显提高，在光催化领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118162177A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410154477.9
申请日：2024-02-02
Applicant: 安徽中医药大学
IPC: B01J27/18 , C02F1/30 , B01J35/39 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明涉及一种二氧化钛负载羟基磷灰石复合光催化材料及制备方法，属于光催化技术领域。所述光催化材料包括二氧化钛和二氧化钛负载的羟基磷灰石，其中，所述负载的羟基磷灰石占复合光催化材料的质量为10～16％，所述二氧化钛为锐钛矿TiO2‑{001}或锐钛矿TiO2‑{101}。采用两种晶面({001}和{101})二氧化钛负载羟基磷灰石复合光催化材料，并给出了两种晶面二氧化钛负载羟基磷灰石复合光催化材料的制备方法，其中，所述二氧化钛负载羟基磷灰石的复合光催化材料，具有高效率降解盐酸四环素的性能和较好的稳定性。
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