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公开(公告)号：CN117318652A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311284671.0
申请日：2023-10-07
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本申请提供了一种宽带巴伦阻抗变换器及电子产品，宽带巴伦阻抗变换器包括：宽带差分阻抗变换器，包括多个耦合线圈对；宽带巴伦，与所述宽带差分阻抗变换器级联，所述宽带巴伦包括至少一个耦合线圈对；其中，每一所述耦合线圈对均包括至少两个耦合线圈。本申请方案具良好的宽带特性以覆盖2G/3G/4G移动通信所需的700‑2700MHz频段，并且具有结构简单、易于实现、成本低廉的特性。
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公开(公告)号：CN117374055B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311551122.5
申请日：2023-11-21
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供了一种三维半导体结构、三维电容器及其制备方法，所述的三维半导体结构，包括以下结构：第一导电层；位于所述第一导电层表面且与所述第一导电层至少部分保形接触的介质层；位于所述介质层表面且与所述介质层至少部分保形接触的第二导电层；所述第一导电层包括相互电接触的金属图案化层和网格状导电层，所述第一导电层具有多个凸起结构。本发明的三维电容由于具有很好的导电和散热性能，在高功率和高温应用场景中具有优势，可获得更大的功率耐受能力和更宽的工作温度范围。
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公开(公告)号：CN117577449B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410058397.3
申请日：2024-01-16
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供了一种三维结构电容器及其制备方法，三维结构电容器包括以下结构：折线型的立体凸起结构，所述立体凸起结构包括介质层；第一导电层，保形接触在所述介质层的第一侧表面；第二导电层，保形接触在所述介质层的第二侧表面，所述第一侧表面与所述第二侧表面相对；以及第一电极和第二电极；所述第一电极与所述第一导电层电连接；所述第二电极与所述第二导电层电连接。本发明的三维结构电容器具有较高的电容密度，并且本发明的制备三维结构电容器的方法简便，节省工艺流程，具有很高的应用性。
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公开(公告)号：CN117545342A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410027260.1
申请日：2024-01-09
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
IPC分类号： H10N97/00
摘要： 本发明提供了三维电容结构、三维电容器及其制备方法，其中三维电容结构，包括第一导电层，所述第一导电层包含多个平行的突起结构；第二导电层，所述第二导电层包含多个平行的突起结构，所述第一导电层和第二导电层交错叉指排列分布；介质层，所述介质层与所述第一导电层和所述第二导电层保形接触。本发明的三维电容器没有使用微刻蚀工艺，并且具有较高的电容密度和高可靠性，并且本发明的制备三维结构电容器的方法简便，节省工艺流程，具有很高的应用性。
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公开(公告)号：CN117374055A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311551122.5
申请日：2023-11-21
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供了一种三维半导体结构、三维电容器及其制备方法，所述的三维半导体结构，包括以下结构：第一导电层；位于所述第一导电层表面且与所述第一导电层至少部分保形接触的介质层；位于所述介质层表面且与所述介质层至少部分保形接触的第二导电层；所述第一导电层包括相互电接触的金属图案化层和网格状导电层，所述第一导电层具有多个凸起结构。本发明的三维电容由于具有很好的导电和散热性能，在高功率和高温应用场景中具有优势，可获得更大的功率耐受能力和更宽的工作温度范围。
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公开(公告)号：CN221633708U
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202323596883.0
申请日：2023-12-28
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开了一种差分功率放大器及电子产品，该技术涉及射频技术领域。差分功率放大器的负反馈电路包括控制模块和调节模块。控制模块根据差分功率放大器的输出功率决定负反馈电路的导通状态。当输出功率较高时，增益会急剧下降，控制模块将削弱负反馈电路的反馈程度，调节模块则会调整差分功率放大器的增益和频率响应，这样可以避免传统差分功率放大器在输出功率增加时增益下降的问题，从而实现在不同的输出功率点上保持不变的增益。
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公开(公告)号：CN221449030U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202323133031.8
申请日：2023-11-21
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种三维半导体结构、三维电容器及电子装置，尤其涉及一种三维电容结构及具有三维电容的电子装置，所述的三维半导体结构，包括以下结构：第一导电层；位于所述第一导电层表面且与所述第一导电层至少部分保形接触的介质层；位于所述介质层表面且与所述介质层至少部分保形接触的第二导电层；所述第一导电层包括网格状导电层，所述第一导电层具有多个凸起结构。本实用新型的三维电容由于具有很好的导电和散热性能，在高功率和高温应用场景中具有优势，可获得更大的功率耐受能力和更宽的工作温度范围。
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公开(公告)号：CN220440677U
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202321384948.2
申请日：2023-06-02
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本申请提供了一种射频功率放大器，包括射频输入端、射频输出端、输入匹配电路、差分放大电路以及输出匹配电路；输入匹配电路至少包括第一宽带巴伦阻抗变换器、第一隔直电容以及第二隔直电容，用于将单端输入射频信号转换为差分射频信号并实现宽带阻抗匹配；差分放大电路至少包括偏置电路和差分对，用于对差分射频信号进行功率放大；输出匹配电路至少包括第二宽带巴伦阻抗变换器、第三隔直电容以及第四隔直电容，用于将功率放大后的差分射频信号转换为单端输出射频信号并实现宽带阻抗匹配。本申请方案，通过在输入、输出匹配电路中引入宽带巴伦阻抗变换器，在保证其他指标的前提下能有效提高射频功率放大器的工作带宽。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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