公开(公告)号：CN101221980B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200810003433.7

申请日：2008-01-11

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 胁本博树 ,  大月正人 ,  椎木崇

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供了一种电力半导体装置，其包括在边缘终止结构中采用厚金属膜的场板，并且即使在大侧面蚀刻量或蚀刻量变化的情况下，也能允许边缘终止结构的宽度得以减小，展现优良的长期正向阻断电压能力可靠性，并允许使正向阻断电压能力特性的变化最小化。边缘终止结构包括多个环状p型保护环，覆盖多个环状p型保护环的表面的第一绝缘膜，以及经由第一绝缘膜设置在保护环顶上的环状场板。场板包括多晶硅膜和比多晶硅膜厚的金属膜。保护环包括第一保护环和第二保护环，多晶硅膜经由第一绝缘膜设置在第一保护环上，并且由多晶硅膜和经由第二绝缘膜层叠的金属膜构成的双层场板设置在第二保护环上，第一和第二保护环交替地设置。

公开(公告)号：CN1812121B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200510103685.3

申请日：2005-09-09

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 大月正人

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/7397

Abstract: 根据本发明的槽MOSFET包括：槽之间的台面区，该台面区与发射电极相连以固定台面区电位使得台面区不会引起任何浮动结构；分布在台面区内的p型基极区；和设有发射极结构的分布的p型基极区(台面区内的限定区域)。根据本发明的槽MOSFET有利于在将槽IGBT的导通状态压降抑制得和IEGT的导通状态压降一样低的同时降低开关损耗，减少总损耗，并提高其导通属性。根据本发明的槽MOSFET还有利于减少栅极与其发射极之间的电容，因为减少了栅电极面向发射极结构的区域。以有点窄的间隔设置槽栅极结构的根据本发明的槽MOSFET有利于缓解在槽的底部的电场局部化并获得高击穿电压。根据本发明的槽MOSFET使槽之间的台面区宽度变窄使得可以通过施加约几伏的电压容易地耗尽延伸到槽之间的台面区中的n型层的延伸部分。