公开(公告)号：CN101221980B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200810003433.7

申请日：2008-01-11

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 胁本博树 ,  大月正人 ,  椎木崇

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供了一种电力半导体装置，其包括在边缘终止结构中采用厚金属膜的场板，并且即使在大侧面蚀刻量或蚀刻量变化的情况下，也能允许边缘终止结构的宽度得以减小，展现优良的长期正向阻断电压能力可靠性，并允许使正向阻断电压能力特性的变化最小化。边缘终止结构包括多个环状p型保护环，覆盖多个环状p型保护环的表面的第一绝缘膜，以及经由第一绝缘膜设置在保护环顶上的环状场板。场板包括多晶硅膜和比多晶硅膜厚的金属膜。保护环包括第一保护环和第二保护环，多晶硅膜经由第一绝缘膜设置在第一保护环上，并且由多晶硅膜和经由第二绝缘膜层叠的金属膜构成的双层场板设置在第二保护环上，第一和第二保护环交替地设置。

公开(公告)号：CN101901828A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010213215.3

申请日：2006-06-19

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 风间健一 ,  中岛经宏 ,  佐佐木弘次 ,  清水明夫 ,  林崇 ,  胁本博树

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/43 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在90μm到200μm之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓度及其厚度来实现高合格品比例。在硅衬底的第一主表面区域中形成有表面器件结构。在研磨第二主表面以减少所述衬底厚度之后，在所述第二主表面的区域中形成有缓冲层10和集电层8。在集电层8上，形成有包含有第一层铝硅薄膜的集电电极9，所述铝硅薄膜的厚度为0.3μm到1.0μm，并且硅浓度在0.5wt％到2.0wt％之间，最好不超过1wt％。

公开(公告)号：CN1885507B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200610095626.0

申请日：2006-06-19

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 风间健一 ,  中岛经宏 ,  佐佐木弘次 ,  清水明夫 ,  林崇 ,  胁本博树

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在90μm到200μm之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓度及其厚度来实现高合格品比例。在硅衬底的第一主表面区域中形成有表面器件结构。在研磨第二主表面以减少所述衬底厚度之后，在所述第二主表面的区域中形成有缓冲层10和集电层8。在集电层8上，形成有包含有第一层铝硅薄膜的集电电极9，所述铝硅薄膜的厚度为0.3μm到1.0μm，并且硅浓度在0.5wt％到2.0wt％之间，最好不超过1wt％。