公开(公告)号：CN102163621A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110037386.X

申请日：2011-01-31

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 大西泰彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611

Abstract: 半导体器件以及制造半导体器件的方法。本发明要解决的问题是提供设置有外围区的半导体器件，该外围区宽度窄且呈现良好的电场驰豫和抗感应电荷的高鲁棒性。本发明的半导体器件具有第一导电型的半导体衬底的主面上的用于主电流流动的有源区101和该有源区101周围的外围区102。该外围区102包括由直部102a和连接直部102a的曲部102b组成的在包围有源区101的主面的表面区域中形成的第二导电型的保护环21。且经由绝缘膜8在保护环21的表面上，在保护环21的内圆周侧和外圆周侧上分别地以沉积方式形成环形的多晶硅场电极22的对。用曲部102b中的金属膜24来连接保护环21的表面与内圆周侧和外圆周侧的多晶硅场电极的对。