公开(公告)号：CN1885507B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200610095626.0

申请日：2006-06-19

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 风间健一 ,  中岛经宏 ,  佐佐木弘次 ,  清水明夫 ,  林崇 ,  胁本博树

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在90μm到200μm之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓度及其厚度来实现高合格品比例。在硅衬底的第一主表面区域中形成有表面器件结构。在研磨第二主表面以减少所述衬底厚度之后，在所述第二主表面的区域中形成有缓冲层10和集电层8。在集电层8上，形成有包含有第一层铝硅薄膜的集电电极9，所述铝硅薄膜的厚度为0.3μm到1.0μm，并且硅浓度在0.5wt％到2.0wt％之间，最好不超过1wt％。

公开(公告)号：CN101901828A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010213215.3

申请日：2006-06-19

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 风间健一 ,  中岛经宏 ,  佐佐木弘次 ,  清水明夫 ,  林崇 ,  胁本博树

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/43 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在90μm到200μm之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓度及其厚度来实现高合格品比例。在硅衬底的第一主表面区域中形成有表面器件结构。在研磨第二主表面以减少所述衬底厚度之后，在所述第二主表面的区域中形成有缓冲层10和集电层8。在集电层8上，形成有包含有第一层铝硅薄膜的集电电极9，所述铝硅薄膜的厚度为0.3μm到1.0μm，并且硅浓度在0.5wt％到2.0wt％之间，最好不超过1wt％。