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公开(公告)号:CN106104833B
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201580014491.8
申请日:2015-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C07D493/14 , C07D495/14 , C07D497/14 , C07D513/14 , C07D517/14 , C07D519/00 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 一种有机晶体管,其具有半导体有源层,该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR5;Y和Z为CR6、氧、硫、硒、氮原子或NR7;含有Y和Z的环为芳香族杂环;R1和R2中的任意一个与含有Y和Z的芳香族杂环、或者、R3和R4中的任意一个与苯环可以经由特定的二价连接基团而键合;R1、R2、R5~R8为氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基;R3和R4为烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基;m和n为0~2的整数),该有机晶体管的载流子迁移率高。本发明提供化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、非发光性有机半导体器件用涂布液、有机晶体管的制造方法、有机半导体膜的制造方法、非发光性有机半导体器件用有机半导体膜、有机半导体材料的合成方法。
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公开(公告)号:CN102024907B
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201010278960.6
申请日:2010-09-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/46 , H01L51/44 , G01J1/42 , H04N5/335 , C07D209/86 , C07D219/02 , C07D279/22 , C07D209/80 , C07D221/18 , C07D223/14 , C07D223/32 , C07D279/36 , C07D265/34 , C07D279/14 , C07D401/14 , C07D413/14 , C07D403/14 , C07D417/14 , C07D405/14 , C07D409/14 , C07F7/10 , C07F7/08
CPC classification number: H01L51/0072 , B82Y10/00 , C09B23/04 , C09B57/008 , C09B57/10 , H01L51/0046 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/0069 , H01L51/0071 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置,其制备方法,光传感器,成像装置及它们的驱动方法,所述光电转换装置以下列顺序包括透明导电膜,光电转换膜和导电膜,其中,所述光电转换膜包括光电转换层和电子阻挡层,其中所述电子阻挡层含有由特定化学式表示的化合物。
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公开(公告)号:CN114450631A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202080067976.4
申请日:2020-09-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、使用了上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物中,含有(A)酸分解性树脂、(B)由通式(b1)表示的化合物、及(C)由通式(c1)表示的化合物,化合物(C)的含量相对于化合物(B)的含量的比例为0.01质量%以上且10质量%以下。L表示单键或2价的连接基团。A表示通过酸的作用分解的基团。B表示通过酸的作用分解的基团、羟基或羧基。其中,至少1个B表示羟基或羧基。n表示1~5的整数。X表示n+1价的连接基团。M+表示锍离子或碘鎓离子。
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公开(公告)号:CN104119265B
公开(公告)日:2016-07-13
申请号:CN201410310213.4
申请日:2010-06-03
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C07D209/86 , C07D219/02 , C07D265/38 , C07D279/26 , C07D279/28 , C07D401/14 , C07D405/14 , C07D223/22 , C07D417/14 , C07D413/14 , C07D409/14 , C07F7/10
CPC classification number: H01L27/14632 , B82Y10/00 , H01L27/1462 , H01L27/14647 , H01L51/0047 , H01L51/005 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件,其能够当将具有特定结构的化合物用于光电转换元件时起着光电转换元件的作用,使元件显示出低暗电流并且即使当热处理元件时也减小暗电流增加的范围,并且提供一种配备有该光电转换元件的成像装置。一种光电转换元件,所述光电转换元件具有光电转换膜,所述光电转换膜被夹在透明导电膜与导电膜之间,并且含有光电转换层和电子阻挡层,其中所述电子阻挡层包含具有含三个以上环结构的取代氨基作为取代基的化合物。
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公开(公告)号:CN104119265A
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201410310213.4
申请日:2010-06-03
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C07D209/86 , C07D219/02 , C07D265/38 , C07D279/26 , C07D279/28 , C07D401/14 , C07D405/14 , C07D223/22 , C07D417/14 , C07D413/14 , C07D409/14 , C07F7/10
CPC classification number: H01L27/14632 , B82Y10/00 , H01L27/1462 , H01L27/14647 , H01L51/0047 , H01L51/005 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , C07D209/86 , C07D219/02 , C07D223/22 , C07D265/38 , C07D279/26 , C07D279/28 , C07D401/14 , C07D405/14 , C07D409/14 , C07D413/14 , C07D417/14 , C07F7/0816
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件,其能够当将具有特定结构的化合物用于光电转换元件时起着光电转换元件的作用,使元件显示出低暗电流并且即使当热处理元件时也减小暗电流增加的范围,并且提供一种配备有该光电转换元件的成像装置。一种光电转换元件,所述光电转换元件具有光电转换膜,所述光电转换膜被夹在透明导电膜与导电膜之间,并且含有光电转换层和电子阻挡层,其中所述电子阻挡层包含具有含三个以上环结构的取代氨基作为取代基的化合物。
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公开(公告)号:CN109791983A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201780057197.4
申请日:2017-09-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/40 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明提供一种即使被图案化或暴露在高热中,也能够有效地抑制龟裂的产生或龟裂的扩散的有机半导体膜、使用了该有机半导体膜的有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。一种包含由下述通式(1)表示的分子量3000以下的化合物,且晶畴的尺寸为1nm以上且100nm以下的微晶有机半导体膜、使用了该有机半导体膜的有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。X、Y及Z表示特定的环构成原子。R1及R2表示氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基,R3及R4表示卤素原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基。m及n表示0~2的整数。
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公开(公告)号:CN109478595A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201780038047.9
申请日:2017-06-23
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C07D471/22 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种具备含有由特定式表示的化合物的有机半导体膜的有机薄膜晶体管、能够优选使用于该有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物、以及包括将上述有机薄膜晶体管用组合物涂布于基板上而形成有机半导体膜的工序的有机薄膜晶体管的制造方法。
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公开(公告)号:CN102460760A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201080024598.8
申请日:2010-06-03
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L27/146 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14632 , B82Y10/00 , H01L27/1462 , H01L27/14647 , H01L51/0047 , H01L51/005 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件,其能够当将具有特定结构的化合物用于光电转换元件时起着光电转换元件的作用,使元件显示出低暗电流并且即使当热处理元件时也减小暗电流增加的范围,并且提供一种配备有该光电转换元件的成像装置。一种光电转换元件,所述光电转换元件具有光电转换膜,所述光电转换膜被夹在透明导电膜与导电膜之间,并且含有光电转换层和电子阻挡层,其中所述电子阻挡层包含具有含三个以上环结构的取代氨基作为取代基的化合物。
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公开(公告)号:CN116848460A
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202180093694.6
申请日:2021-12-21
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明的课题在于提供一种对曝光的灵敏度优异的感光化射线性或感放射线性树脂组合物。并且,本发明的课题在于提供一种与上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物相关的抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。感光化射线性或感放射线性树脂组合物包含通过酸的作用分解而极性增大的树脂,满足还包含由式(1)表示的化合物以及通过酸的作用分解而极性增大的树脂具有从由式(1)表示的化合物去除1个氢原子而形成的残基中的至少一个。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN111316451B
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN201880072270.X
申请日:2018-11-13
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/10 , C07D495/04 , C07D495/14 , H01L27/146 , H10K85/60 , H10K85/20 , H10K30/30 , H10K30/80 , H10K30/82 , H10K39/00 , H10K39/32
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐热性的光电转换元件。并且,提供一种包括上述光电转换元件的光传感器及成像元件。提供一种适用于上述光电转换元件的化合物。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中光电转换膜包含式(1)或(2)所表示的化合物。
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