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公开(公告)号：CN102446856B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110264514.4
申请日：2011-08-31
申请人： 富士通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/265 , H01L27/092 , H01L29/06
CPC分类号： H01L21/823418 , H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L21/761 , H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L27/0928 , H01L29/1083 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要： 半导体器件，包括：第一晶体管，包括：第一杂质层，包含硼或者磷；第一外延层，形成在所述第一杂质层上方；第一栅电极，形成在所述第一外延层上方，具有形成在所述第一栅电极与所述第一外延层之间的第一栅极绝缘膜；以及第一源极区/漏极区；以及第二晶体管，包括：第二杂质层，包含硼和碳，或者砷或者锑；第二外延层，形成在所述第二杂质层上方；第二栅电极，形成在所述第二外延层上方，具有形成在所述第二栅电极与所述第二外延层之间且比所述第一栅极绝缘膜薄的第二栅极绝缘膜；以及第二源极区/漏极区。
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公开(公告)号：CN102446856A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110264514.4
申请日：2011-08-31
申请人： 富士通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/265 , H01L27/092 , H01L29/06
CPC分类号： H01L21/823418 , H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L21/761 , H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L27/0928 , H01L29/1083 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要： 半导体器件，包括：第一晶体管，包括：第一杂质层，包含硼或者磷；第一外延层，形成在所述第一杂质层上方；第一栅电极，形成在所述第一外延层上方，具有形成在所述第一栅电极与所述第一外延层之间的第一栅极绝缘膜；以及第一源极区/漏极区；以及第二晶体管，包括：第二杂质层，包含硼和碳，或者砷或者锑；第二外延层，形成在所述第二杂质层上方；第二栅电极，形成在所述第二外延层上方，具有形成在所述第二栅电极与所述第二外延层之间且比所述第一栅极绝缘膜薄的第二栅极绝缘膜；以及第二源极区/漏极区。
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公开(公告)号：CN104078463B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410326526.9
申请日：2011-08-31
申请人： 富士通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/10 , H01L21/8238 , H01L21/761
CPC分类号： H01L21/823418 , H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L21/761 , H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L27/0928 , H01L29/1083 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要： 一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括第一区域和第二区域；第一杂质层，形成在第一区域的半导体衬底中并且包含第一导电类型的第一杂质；第二杂质层，形成在第二区域的半导体衬底中并且包含第一导电类型的第二杂质或包含第一杂质和第三杂质，第二杂质的扩散常数小于第一杂质的扩散常数，第三杂质抑制第一杂质的扩散；第一外延半导体层，形成在第一杂质层上；第二外延半导体层，形成在第二杂质层上；第一栅极绝缘膜，形成在第一外延半导体层上；第二栅极绝缘膜，比第一栅极绝缘膜薄，形成在第二外延半导体层上；第一栅电极；第二栅电极；第一源极区/漏极区以及第二源极区/漏极区。其能够满足低电压晶体管和高电压晶体管两者的需要，实现高性能及高可靠性。
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公开(公告)号：CN103632925B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310366037.1
申请日：2013-08-21
申请人： 富士通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02658 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/2652 , H01L21/76224 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L29/78
摘要： 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底上形成保护膜；在保护膜上形成第一抗蚀剂图案：使用第一抗蚀剂图案作为掩模，将第一杂质离子注入到半导体衬底中；移除第一抗蚀剂图案；在移除第一抗蚀剂图案之后，在半导体衬底的表面上形成通过化学反应从半导体衬底吸取表面原子的化学反应层；在形成化学反应层之后，移除形成在半导体衬底上的化学反应层并移除半导体衬底的表面；以及在移除半导体衬底的表面之后，在半导体衬底的表面上外延生长半导体层。采用本申请提供的方法，能够防止在外延生长的半导体层中形成缺陷。
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公开(公告)号：CN104078463A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410326526.9
申请日：2011-08-31
申请人： 富士通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/10 , H01L21/8238 , H01L21/761
CPC分类号： H01L21/823418 , H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L21/761 , H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L27/0928 , H01L29/1083 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要： 一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括第一区域和第二区域；第一杂质层，形成在第一区域的半导体衬底中并且包含第一导电类型的第一杂质；第二杂质层，形成在第二区域的半导体衬底中并且包含第一导电类型的第二杂质或包含第一杂质和第三杂质，第二杂质的扩散常数小于第一杂质的扩散常数，第三杂质抑制第一杂质的扩散；第一半导体层，形成在第一杂质层上；第二半导体层，形成在第二杂质层上；第一栅极绝缘膜，形成在第一半导体层上；第二栅极绝缘膜，比第一栅极绝缘膜薄，形成在第二半导体层上；第一栅电极；第二栅电极；第一源极区/漏极区以及第二源极区/漏极区。其能够满足低电压晶体管和高电压晶体管两者的需要，实现高性能及高可靠性。
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公开(公告)号：CN103632925A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310366037.1
申请日：2013-08-21
申请人： 富士通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02658 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/2652 , H01L21/76224 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L29/78
摘要： 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底上形成保护膜；在保护膜上形成第一抗蚀剂图案：使用第一抗蚀剂图案作为掩模，将第一杂质离子注入到半导体衬底中；移除第一抗蚀剂图案；在移除第一抗蚀剂图案之后，在半导体衬底的表面上形成通过化学反应从半导体衬底吸取表面原子的化学反应层；在形成化学反应层之后，移除形成在半导体衬底上的化学反应层并移除半导体衬底的表面；以及在移除半导体衬底的表面之后，在半导体衬底的表面上外延生长半导体层。采用本申请提供的方法，能够防止在外延生长的半导体层中形成缺陷。
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