公开(公告)号：CN100468679C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200610084766.8

申请日：2006-05-17

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 桥见一生 ,  佐藤豪一

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/32135 ,  H01L22/12 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7836 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种在不损伤硅衬底的情况下稳定且准确地评估半导体器件栅极下方的杂质分布的方法。依照该评估方法，通过使由热解作用产生的热解氢与半导体器件接触，而在不去除栅极绝缘膜的情况下，去除由含硅材料制成的栅极，该半导体器件包括半导体衬底、栅极绝缘膜、栅极、源极以及漏极，其中，该栅极绝缘膜设置在该半导体衬底上，该栅极由含硅材料制成且设置在该栅极绝缘膜上，该源极和该漏极形成在该栅极两侧的半导体衬底上。此外，通过观测留在半导体衬底上的栅极绝缘膜的形状来评估栅极的加工形状，通过湿式工艺去除留在半导体衬底上的栅极绝缘膜，以及测量和评估栅极下方的杂质分布。