公开(公告)号：CN100466260C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200480041326.3

申请日：2004-04-14

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 和泉宇俊

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在形成覆盖强电介质电容器的层间绝缘膜(14)后，形成氢扩散防止膜(18)、蚀刻阻止膜(19)以及层间绝缘膜(20)。然后，通过单金银线织法，在层间绝缘膜(20)内，形成具有TaN膜(21)(势垒金属膜)以及Cu膜(22)的配线。其后，进一步通过双金银线织法，形成具有Cu膜(29)的配线以及具有Cu膜(36)的配线等。

公开(公告)号：CN100505265C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200380110628.7

申请日：2003-12-26

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 和泉宇俊

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L28/57

Abstract: 本发明的课题在于通过防止氢或H2O的扩散，防止铁电电容器的老化，来提供一种具有高质量的铁电电容器的半导体装置。因此，本发明提供的半导体装置，其具有在基板上形成的铁电电容器与在该铁电电容器上形成的布线结构，其特征在于，该布线结构含有层间绝缘层及在该层间绝缘层中形成的Cu布线部，以面向上述层间绝缘层的方式，形成含有防止氢扩散层的蚀刻阻止层。

公开(公告)号：CN100468742C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510107113.2

申请日：2005-09-28

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 和泉宇俊

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种具有以氢扩散阻挡膜覆盖的层间绝缘膜的半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成由绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成氢扩散阻挡膜，该氢扩散阻挡膜由氢扩散阻挡能力高于层间绝缘膜材料的材料制成。对形成有层间绝缘膜和氢扩散阻挡膜的半导体衬底进行热处理。在形成层间绝缘膜的过程中，在形成该层间绝缘膜的绝缘材料的水分含量等于或小于5×10-3g/cm3的条件下形成层间绝缘膜。即使在形成氢扩散阻挡膜之后进行退火处理，也难以在下面的层间绝缘膜中形成裂缝。

公开(公告)号：CN100461421C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510072992.X

申请日：2005-05-25

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 彦坂幸信 ,  藤木充司 ,  和泉宇俊 ,  佐次田直也 ,  土手晓

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7687 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；MOS晶体管，形成在所述半导体衬底中，并具有绝缘栅以及所述绝缘栅两侧的源/漏区；铁电电容器，形成在所述半导体衬底上方，并具有下电极、由氧化物铁电材料形成的铁电层及由单层贵金属氧化物形成的上电极；Pt膜，直接形成在所述上电极上，并且其厚度等于或小于所述上电极厚度的一半；层间绝缘膜，埋置所述铁电电容器及所述Pt膜；导电栓，形成为穿过所述层间绝缘膜、到达所述Pt膜，并包括导电胶膜和钨体；以及铝接线，形成在所述层间绝缘膜上，并连接至所述导电栓。本发明解决了在F电容器上采用W栓而可能产生的靠近上电极接触的新问题。