公开(公告)号：CN101093830B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200710104101.3

申请日：2007-05-16

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 吉田臣希 ,  牛田文雄 ,  直理修久 ,  尾崎康孝

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/544 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L23/585 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有用作识别标记的符号图案的半导体器件及其制造方法，其中构成部分电子电路的多个器件图案形成在衬底的表面上。在与器件图案同一层中形成用作识别标记的符号图案。器件图案的宽度位于设计规则的图案宽度范围内。符号图案由隔离的多个要素图案形成。要素图案是线性图案或者点图案。要素图案的宽度大于等于图案宽度范围的下限值的0.8倍，小于等于图案宽度范围的上限值的1.2倍。

公开(公告)号：CN100468745C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510136919.4

申请日：2005-12-20

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 尾崎康孝

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L23/52 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中该半导体器件包含具有导电氧化物上电极的电容器。铁电电容器形成在衬底上并由一叠层体制成，该叠层体由依次叠置的下电极、电容器铁电膜和上电极构成。上电极由导电氧化物制成，并且上电极的氧浓度分布为该上电极的上层区中的氧浓度低于其下层区中的氧浓度。层间绝缘膜覆盖铁电电容器。贯穿层间绝缘膜形成通孔，并且该通孔到达比上电极上表面深的位置。通孔停止的位置比上电极中氧浓度最大的位置浅。导电元件在通孔底部与上电极接触。