公开(公告)号：CN1801491B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200510073756.X

申请日：2005-05-24

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 大川成美 ,  片山雅也

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：第一n型源/漏区域48a和第二p型源/漏区域48b，它们分别形成在距离第一和第二栅电极39a、39b第一间隔W4处的硅衬底20上；第二n型源/漏区域48c和第一p型源/漏区域48d，它们分别形成在距离第三和第四栅电极39c、39d第二间隔W3处的硅衬底20上，该第二间隔W3比该第一间隔W4宽；以及第三和第四绝缘侧壁43c、43d，它们分别从第三和第四栅电极39c、39d上表面的边缘延伸到第三和第四栅电极39c、39d两侧的源/漏延伸部分42c、42d。利用本发明，能够防止由于未掺杂部分的出现引起的晶体管的驱动能力的下降和差异。

公开(公告)号：CN100550437C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200580051461.0

申请日：2005-08-31

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 片山雅也

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14623 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/103

Abstract: 本发明提供一种光电二极管，形成在硅衬底上，其特征在于，具有：受光区域，其形成在所述硅衬底表面，并由形成pn结合的第一导电型的扩散区域构成，中间区域，其以位于所述受光区域的方式形成在所述硅衬底表面，并由所述第一导电型的扩散区域构成，接触区域，其以位于所述中间区域的方式形成在所述硅衬底表面，并由所述第一导电型的扩散区域构成，密封层，其形成在所述硅衬底表面的所述中间区域外侧部分，并由第二导电型的扩散区域构成，电极，其形成在所述硅衬底表面，并与所述接触区域接触；所述密封层与构成所述中间区域的扩散区域的侧端部相对向。