公开(公告)号：CN1534777B

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200410007091.8

申请日：2004-02-24

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 若山繁俊 ,  甲斐睦章 ,  加藤宽之 ,  须贺真人

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有保护环的半导体器件的多层互连结构包括第一保护环，其沿着衬底的外围连续地延伸，以及第二保护环，其沿着外围在多层互连结构中连续地延伸，以便被第一保护环包围，以便包围多层互连结构内部的互连图形，其中第一和第二保护环由桥接导电图形机械地且连续地彼此连接，该桥接导电图形沿着包括第一和第二保护环的区域以带状连续地延伸，当在垂直于衬底的方向上观察时。

公开(公告)号：CN101641778A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200780052411.3

申请日：2007-03-30

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 中井聪 ,  须贺真人 ,  小仓寿典

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体集成电路装置，包括半导体基板和形成在所述半导体基板上的多个半导体元件，其中，所述多个半导体元件包括n沟道MOS晶体管和p沟道MOS晶体管，所述n沟道MOS晶体管被拉伸应力膜覆盖，所述p沟道MOS晶体管被压缩应力膜覆盖，在所述半导体基板表面形成有虚设区域，所述虚设区域的整个面由所述拉伸应力膜和所述压缩应力膜中的某个膜构成。

公开(公告)号：CN100546024C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200710129183.7

申请日：2004-04-15

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 须贺真人

IPC: H01L23/528 ,  G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5077 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有对角方向线路的半导体集成电路器件及其布置方法。具有多个电路元件和多个连接这些电路元件的线路的半导体集成电路器件包括：正交线路，形成在具有间距P并且沿着水平或垂直方向延伸的标准网格上并且以至少所述间距P的间隔设置；以及，对角线路，它们相对于正交线路倾斜45°或135°，其中所述对角线路包括形成在所述标准网格的网格点上的第一对角线路和形成在所述标准网格与偏离标准网格P/2的1/2网格相交的1/2网格点上的第二对角线路，并且所述第一和第二对角线路相对于间距P以至少为(1.5/√2)×P的间隔设置。

公开(公告)号：CN100495697C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200610008517.0

申请日：2006-02-16

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 大冢敏志 ,  泽田丰治 ,  须贺真人 ,  长山准 ,  佐藤元伸 ,  铃木贵志

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

Abstract: 一种保险丝及断开保险丝的方法，该保险丝包括：包含硅层的互连部分(14)；连接至该互连部分(14)的一端的接触塞(20b)；以及连接至该互连部分(14)的另一端并包含金属材料的接触塞(20a)。电流从接触部分(20b)流向接触部分(20a)，以使接触部分(20a)的金属材料迁移至该硅层，从而改变互连部分(14)与接触部分(20a)之间的接触电阻。本发明在保险丝断开时保护外围元件不受损害。无需增大保险丝电路就可防止层间绝缘膜中产生裂纹。通过第二接触塞的金属材料的迁移，第一接触塞与第二接触塞可以彼此完全断开，从而能够使得断开前后的电阻变化很大。