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公开(公告)号：CN118867833A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310456393.6
申请日：2023-04-26
申请人： 山东华光光电子股份有限公司 , 山东芯光光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/042
摘要： 本发明涉及一种大功率半导体激光器的制备方法，属于半导体金属电极技术领域，和传统工艺相比，本发明无需使用刻蚀液刻蚀种子层和金导电层，只需一次湿法剥离薄层种子层，无需二次剥离金导电层，避免了剥离产生的金导电层粗糙度大，形貌不规则等问题，有利于提高金导电层的良率及半导体激光器的性能。另外，此方法只需湿法去除负性光刻胶，减少了金导电层上胶的残留，无需二次剥离金导电层的过程。因此，在电镀金导电层时，只需电镀种子层上镀金，无需电镀解理区上部的金，从而减少了金的使用量，能够有效减少生产成本。
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公开(公告)号：CN118957579A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410887584.2
申请日：2024-07-03
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/30 , C23C14/16 , H01S5/042 , C23C16/40 , C23C16/50 , C25D3/48 , C25D7/12 , C25D5/02
摘要： 本发明涉及一种大功率半导体激光器晶圆P面电镀金的方法，属于大功率半导体激光器电镀金电极技术领域。本发明的大功率半导体激光器的待镀金区域为薄金种子层，非镀金区域保留部分光刻胶绝缘层，去除光刻胶部分设计有TiPtAu导电桥，有利于晶圆电镀时垂直方向和水平方向的电流为通路，避免了稳流电镀时，电镀电压增大，烧蚀光刻胶现象，从而提高了镀层良率；同时，此方法非镀金区去除光刻胶部分设计有边缘到中间逐渐增多的TiPtAu导电桥，有利于缩小整个晶圆不同区域的电镀电流密度差，从而将镀层均匀性稳定在8％内，有利于大功率半导体激光器的焊线封装。
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公开(公告)号：CN117791292A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211160001.3
申请日：2022-09-22
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/02
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器芯片及其解理方法，在激光器芯片中，外延层的上部周期性设置有脊条结构和P‑窗口区，并且P‑窗口区的长度方向与脊条结构的长度方向相互垂直；所述衬底的下表面设置有周期性排列的N面解理槽，并且N面解理槽的长度方向与P‑窗口区的长度方向是相同的。本发明通过优化激光器芯片结构设计，在N面增加用于解理的N面解理槽，避免了常规芯片P面解理容易产生金属塌陷、金属撕裂、巴条裂偏等问题，从而提高产品良率，提升工作效率；在解理过程中，通过N面划线，并通过控制划线速度、划线长度和划线压力，减少发光区的污染和损伤，提高了解理后巴条良率。
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公开(公告)号：CN118399192A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410397483.7
申请日：2024-04-03
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法，属于大功率半导体激光器电镀金电极技术领域。本发明大功率激光器的待镀金区域为薄金种子层，非镀金区域为纳米级SiO2绝缘层，代替了较厚的光刻胶绝缘层，从而降低电镀后大功率半导体激光器图形化的偏离度，改善纵向发散角；同时，此方法为全覆盖TiPtAu种子层，无需剥离去除非镀金区上的TiPtAu种子层，在非镀金区上生长纳米级SiO2绝缘层，保证了整个晶圆的导电性一致，镀层均匀性稳定在10％内，有利于大功率半导体激光器的焊线封装。此方法也避免了碱性电镀液中光刻胶的溶解，避免了电镀液的污染和电镀镀层的污染，大大提高了镀层金属良率和电镀液的利用率。
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公开(公告)号：CN118054304A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211440712.6
申请日：2022-11-17
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 本发明公开一种半导体激光器结构及其制备方法，包括外延片本体结构以及连接在该外延片本体结构表面上的脊形成层，该脊形成层包括交错且间隔分布的导电脊波导和耗损脊波导，且两者的侧壁均为向内凹陷的弧形结构；所述导电脊波导和耗损脊波导的上表面上均具有欧姆接触层，所述欧姆接触层的侧壁、导电脊波导的侧壁、耗损脊波导的侧壁上均覆盖弧形绝缘层，且该绝缘层经过粗糙化处理；所述耗损脊波导的欧姆接触层上表面覆盖绝缘层，所述导电脊波导和耗损脊波导之间的外延片本体结构的上表面覆盖绝缘层。本发明通过增大脊波导侧壁处绝缘层的体积和粗糙度，有效改善了半导体激光器的热透镜效应和提高了单模激射的稳定性，从而提升了光束质量。
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公开(公告)号：CN116706674A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210201931.2
申请日：2022-02-28
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/028
摘要： 本发明涉及一种钝化半导体激光器腔面的方法，属于半导体激光器腔面钝化领域。包括：使用解理划片机在样品P面解理位解理成长度为3cm以上的巴条；将解理后的样品浸入钝化液中，将钝化液容器放于恒温摇床中，在样品腔面形成硫化物钝化膜，然后将钝化后的样品取出，采用去离子水清洗，氮气吹干，钝化液包括肼、硫化铵和去离子水；将吹干后的样品装入镀膜夹具中，放入真空镀膜机中，在前后腔面蒸镀硒化物钝化膜，接着在前腔面蒸镀增透膜，在后腔面蒸镀高反膜。本发明的腔面氧化物可以与S2‑和Se2‑反应，去除氧化物的同时，钝化液在腔面形成硫化物钝化膜；Se2‑与腔面形成硒化物钝化膜，达到双重保护，有效减少表面态密度。
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公开(公告)号：CN118007206A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311768388.5
申请日：2023-12-21
申请人： 山东华光光电子股份有限公司 , 山东芯光光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种高稳定的亚硫酸金钠电镀液及其脉冲电镀工艺。包括电镀液A和保护液B；电镀液A包括以下质量浓度的组分：亚硫酸金钠10～15g/L、导电盐70～90g/L、结晶调整剂26～35mg/L、溶剂为去离子水，pH为7.5～8.5；所述保护液B为己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷中的一种或多种的组合。本发明还提供了利用该电镀液的脉冲电镀工艺。本发明提供的高稳定的亚硫酸金钠电镀液在电镀过程中完全隔绝空气，极大地减少了亚硫酸根的氧化，从而延长电镀液的寿命，提高了电镀稳定性。三段脉冲电镀和本发明高稳定亚硫酸金钠电镀液的结合保证了电镀过程中金晶核形成与长大的协调生长，既减小了晶粒的粗糙度，又提高了电镀效率和镀层均匀性。
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公开(公告)号：CN117498147A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210876117.0
申请日：2022-07-25
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种具有疏水腔面的半导体激光器及其制造方法。所述激光器的巴条的前端腔面依次覆盖有增透膜和疏水膜，所述巴条的后端腔面依次覆盖有第一高反膜、第二高反膜和疏水膜；其中，所述疏水膜的外表面上具有微纳米级的凸起。本发明在半导体激光器巴条的前、后端腔面上均设置了具有微纳米级凸起的疏水膜，这种疏水膜可以有效降低水的表面张力，使巴条的前、后端腔面达到疏水效果，防止水、污渍等污染物的污染。同时，这种疏水膜还能够提高增透膜的透过率，降低腔面的吸收损耗，有助于延长半导体激光器寿命。
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